型號：NTZD3154NT1G-VB
絲印：VBTA3230NS
品牌：VBsemi
參數(shù)：2個N溝道,20V,0.2A,RDS(ON),300mΩ@4.5V,350mΩ@2.5V,20Vgs(±V)；0.3Vth(V)；SC75-6
封裝：SC75-6

詳細參數(shù)說明：
- 型號：NTZD3154NT1G-VB
- 絲?。篤BTA3230NS
- 品牌：VBsemi
- 溝道類型：2個N溝道
- 最大耐壓：20V
- 最大電流：0.2A
- 靜態(tài)導通電阻：300mΩ @ 4.5V, 350mΩ @ 2.5V
- 門源極電壓：20Vgs (±V)
- 閾值電壓：0.3V

應用簡介：
NTZD3154NT1G-VB是一款雙N溝道MOSFET，適用于多種低功耗電子模塊和應用，特別是在需要低電流開關(guān)和低導通電阻的情況下。

應用領(lǐng)域：
這種產(chǎn)品通常用在以下領(lǐng)域的模塊上：
1. 電源開關(guān)模塊：用于小功率電源管理和電流控制，如便攜式設(shè)備。
2. 信號開關(guān)模塊：用于模擬和數(shù)字信號開關(guān)和切換，如音頻信號切換器和數(shù)據(jù)選擇器。
3. 傳感器接口模塊：用于連接和管理傳感器信號，如溫度傳感器和光傳感器。
4. 低功耗應用模塊：適用于需要極低靜態(tài)功耗的電子設(shè)備，如傳感器節(jié)點和便攜式醫(yī)療設(shè)備。
5. 電池管理模塊：在低功耗設(shè)備中，可用于電池充電和放電控制。

這款器件的低電流開關(guān)特性和低導通電阻使其適用于各種低功耗應用，有助于提高電子系統(tǒng)的性能和能效。