型號：SM1105NSV-VB
絲?。篤BJ1101M
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- N溝道
- 額定電壓：100V
- 最大漏電流：5A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：100mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 閾值電壓（Vth）范圍：2V 至 4V
- 封裝：SOT223

應(yīng)用簡介：
SM1105NSV-VB是一種N溝道場效應(yīng)晶體管，適用于多種低功率和中功率電子應(yīng)用，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的額定電壓。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊：

1. **電源管理**：這種N溝道MOSFET適用于低功率電源管理模塊，如電源開關(guān)、電源管理單元和電源適配器。它有助于實(shí)現(xiàn)電路的高效率和可靠性。

2. **電池保護(hù)**：在便攜式電子設(shè)備中，SM1105NSV-VB可以用于電池保護(hù)電路，以確保電池充電和放電過程中的安全和穩(wěn)定性。

3. **信號開關(guān)**：這款MOSFET可用于低功率信號開關(guān)應(yīng)用，如模擬信號切換、數(shù)字信號開關(guān)和信號放大器。

4. **電源開關(guān)**：在低功率電源開關(guān)電路中，它可用于控制和調(diào)整電源輸出，以滿足不同低功率電子設(shè)備的電能需求。

5. **電流調(diào)整模塊**：SM1105NSV-VB也可以用于低功率電流調(diào)整模塊，如LED驅(qū)動器、低功率電流調(diào)整電路和電源管理單元，以確保電路輸出的穩(wěn)定性和精確性。

總之，SM1105NSV-VB N溝道MOSFET適用于多種低功率和中功率應(yīng)用，包括電源管理、電池保護(hù)、信號開關(guān)、電源開關(guān)和低功率電流調(diào)整模塊等領(lǐng)域。它有助于實(shí)現(xiàn)低功率電子系統(tǒng)的高效能和可靠性。