--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:ME20N03-VB
絲?。篤BE1310
品牌:VBsemi
參數(shù)說明:
- 極性:N溝道
- 額定電壓:30V
- 最大連續(xù)漏極電流:70A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):7mΩ @ 10V,9mΩ @ 4.5V
- 門極-源極電壓(Vgs):20V(±V)
- 開啟電壓(門極閾值電壓):1.8V
- 封裝:TO252

應用簡介:
ME20N03-VB是一款N溝道場效應晶體管(MOSFET)器件,具有低漏極-源極電阻和高電流承受能力,適用于多種高功率電子應用。
應用領域:
1. **電源模塊**:ME20N03-VB適用于開關電源、電源管理模塊和高功率電源放大器,有助于提高電能轉(zhuǎn)換效率,特別適用于高功率應用。
2. **電機驅(qū)動**:這種MOSFET器件的高電流承受能力和低電阻使其非常適合用于高功率電機驅(qū)動器、電機控制和電機保護,可用于工業(yè)電機和汽車電機等領域。
3. **電池保護**:在高功率電池組中,如電動汽車、電池儲能系統(tǒng)和電池保護模塊,ME20N03-VB可用于電池保護和電池組的高電流管理。
4. **電源開關**:這種MOSFET可用于高功率和高電流的開關電路,如電源開關、直流-直流轉(zhuǎn)換器和電源逆變器。
5. **音頻放大器**:在高功率音頻放大器中,ME20N03-VB可用于輸出級別的功率放大,用于音響系統(tǒng)和音響設備。
總之,ME20N03-VB是一款高功率電子器件,適用于需要高電流承受能力、低電阻和可靠性的各種高功率電子應用領域。它可以用于電源管理、電機控制、電池保護、電源開關、音頻放大器等模塊。
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