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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE55P04S-VB一款2個P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: NCE55P04S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:NCE55P04S-VB
絲?。篤BA4658
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:2個P溝道
- 額定電壓:-60V
- 最大連續(xù)電流:-5.3A
- 靜態(tài)開啟電阻(RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓(Vgs):20V(±V)
- 閾值電壓(Vth):-1V 至 -3V
- 封裝類型:SOP8

應用簡介:
NCE55P04S-VB 是一款具有2個P溝道的MOSFET,適用于需要高性能功率開關的電子應用。以下是一些可能的應用領域模塊:

1. **電源開關模塊**:該MOSFET可用于電源開關模塊,以實現(xiàn)高效電源的開關和調節(jié)。它適用于便攜設備、電源管理系統(tǒng)和低電壓電源應用。

2. **電池保護模塊**:在需要保護電池免受過放電和過充電的應用中,NCE55P04S-VB 可用于電池保護電路,確保電池的安全運行。

3. **DC-DC變換器**:在需要高效的DC-DC變換器中,這款MOSFET可用于幫助實現(xiàn)電壓升降和電能轉換。它適用于便攜式設備、通信設備和工業(yè)應用。

4. **電機驅動模塊**:NCE55P04S-VB 可用于電機驅動和控制模塊,包括直流電機、步進電機和無刷直流電機驅動。

5. **電流控制模塊**:在需要高性能電流控制的應用中,這款MOSFET可以用于電流傳感器和電流放大器模塊。

NCE55P04S-VB 具有2個P溝道,適用于需要同時控制兩個P溝道MOSFET的應用,以實現(xiàn)高性能功率開關。在實際應用中,請務必遵守數(shù)據(jù)手冊中的電氣規(guī)格和工作條件,以確保最佳性能和可靠性。

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