型號(hào)：DMG2301U-7-VB
絲?。篤B2290
品牌：VBsemi
參數(shù)說明：
- 極性：P溝道
- 額定電壓：-20V
- 最大連續(xù)漏極電流：-4A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5V
- 門極-源極電壓（Vgs）：12V（±V）
- 開啟電壓（門極閾值電壓）：-0.81V
- 封裝：SOT23

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
DMG2301U-7-VB是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，具有適中電流承受能力和低漏極-源極電阻，適用于多種電子應(yīng)用領(lǐng)域。

應(yīng)用領(lǐng)域：
1. **電源模塊**：DMG2301U-7-VB適用于開關(guān)電源、電源管理模塊和電池保護(hù)電路，有助于提高電能轉(zhuǎn)換效率，特別適用于低電壓電源管理。

2. **電池管理**：在便攜式設(shè)備、電動(dòng)工具和嵌入式系統(tǒng)中，DMG2301U-7-VB可用于電池保護(hù)和管理，確保電池的安全充放電和保護(hù)。

3. **信號(hào)開關(guān)**：這種MOSFET器件可用于信號(hào)開關(guān)、模擬開關(guān)和低功耗電路中，用于控制電路的開關(guān)和信號(hào)傳輸。

4. **便攜式設(shè)備**：DMG2301U-7-VB可用于便攜式設(shè)備的電源管理、信號(hào)開關(guān)和電池保護(hù)，如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式電子設(shè)備。

5. **低功耗電子**：由于其低漏極-源極電阻和低門極閾值電壓，這種MOSFET器件可用于低功耗電子應(yīng)用，如傳感器接口、小型控制器和嵌入式系統(tǒng)。

總之，DMG2301U-7-VB是一款多功能的電子器件，適用于需要適中電流承受能力、低電阻和可靠性的各種電子應(yīng)用領(lǐng)域。它可以用于電源管理、電池保護(hù)、信號(hào)開關(guān)、便攜式設(shè)備和低功耗電子等模塊。