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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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STD10PF06T4-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: STD10PF06T4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:STD10PF06T4-VB
絲印:VBE2610N
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-60V
- 最大連續(xù)電流:-38A
- 靜態(tài)開啟電阻(RDS(ON)):61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓(Vgs):20V(±V)
- 閾值電壓(Vth):-1.3V
- 封裝類型:TO252

應(yīng)用簡介:
STD10PF06T4-VB 是一款P溝道功率MOSFET,適用于需要高性能功率開關(guān)的電子應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域模塊:

1. **電源開關(guān)模塊**:該MOSFET可用于電源開關(guān)模塊,以實(shí)現(xiàn)電源的高效開關(guān)和調(diào)節(jié)。它適用于工業(yè)電源系統(tǒng)和高電流電源應(yīng)用。

2. **電機(jī)控制模塊**:STD10PF06T4-VB 可用于電機(jī)控制模塊,包括直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和無刷直流電機(jī)驅(qū)動。其低導(dǎo)通電阻有助于提高電機(jī)效率和性能。

3. **電池保護(hù)模塊**:在需要負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)的應(yīng)用中,此MOSFET可用于電池管理系統(tǒng),以防止過放電和過充電。

4. **逆變器和功率放大器**:STD10PF06T4-VB 可用于逆變器和功率放大器等高電流高電壓模塊,以實(shí)現(xiàn)信號放大和功率放大。

5. **電源逆變器**:在太陽能逆變器和電源逆變器中,這種MOSFET可用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源。

這些是一些可能用到 STD10PF06T4-VB P溝道高電壓高電流MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域模塊的示例。該器件的參數(shù)使其適用于需要處理高電壓和高電流的應(yīng)用,特別是在需要低導(dǎo)通電阻的場合。在實(shí)際應(yīng)用中,請務(wù)必遵守?cái)?shù)據(jù)手冊中的電氣規(guī)格和工作條件,以確保最佳性能和可靠性。

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