型號(hào)：IPD50P04P4-13-VB
絲?。篤BE2412
品牌：VBsemi
參數(shù)說(shuō)明：
- 極性：P溝道
- 額定電壓：-40V
- 最大連續(xù)漏極電流：-65A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10V，13mΩ @ 4.5V
- 門(mén)極-源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 開(kāi)啟電壓（門(mén)極閾值電壓）：-1.6V
- 封裝：TO252

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
IPD50P04P4-13-VB是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，具有極高的電流承受能力和非常低的漏極-源極電阻，適用于多種高性能電子應(yīng)用領(lǐng)域。

應(yīng)用領(lǐng)域：
1. **電源模塊**：由于IPD50P04P4-13-VB具有非常低的漏極-源極電阻，它適用于高性能的開(kāi)關(guān)電源、電源管理模塊和電池保護(hù)電路，能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**：這種MOSFET器件的高電流承受能力使其非常適合用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電機(jī)控制和電機(jī)保護(hù)，可用于工業(yè)電機(jī)和汽車(chē)電機(jī)等領(lǐng)域。

3. **電池管理**：在電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)工具和能源存儲(chǔ)系統(tǒng)中，IPD50P04P4-13-VB可用于電池管理系統(tǒng)，確保電池的高效充放電和安全性。

4. **功率放大器**：由于具有低電阻和高電流能力，這種MOSFET可用于高性能音響放大器和射頻功率放大器。

5. **高功率LED驅(qū)動(dòng)**：IPD50P04P4-13-VB適用于高功率LED照明應(yīng)用，提供高效且可靠的LED驅(qū)動(dòng)。

總之，IPD50P04P4-13-VB是一款多功能的高性能電子器件，適用于需要高電流承受能力、低電阻、高效率和可靠性的各種電子應(yīng)用領(lǐng)域。它可以用于電源管理、電機(jī)控制、電池保護(hù)、功率放大器、高功率LED驅(qū)動(dòng)等模塊。