WD4000半導體晶圓表面三維形貌測量設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚?？蓮V泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。
測量功能
1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等；粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù)；結構分析包括孔洞體積和波谷。
WD4000半導體晶圓表面三維形貌測量設備可測各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等，提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標準共計300余種2D、3D參數(shù)作為評價標準。非接觸厚度、三維維納形貌一體測量：集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組，使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。
應用場景
1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過非接觸測量，WD4000半導體晶圓表面三維形貌測量設備將晶圓上下面的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護膜或圖案的晶片的完整性。
2、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數(shù)據(jù)計算重復性為0.046987nm，測量穩(wěn)定性良好。
懇請注意：因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請諒解。
部分技術規(guī)格
| 品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
| 型號 | ED4000 |
厚度和翹曲度測量系統(tǒng) | |
可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃、米字、自由多點 |
測量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度 |
三維顯微形貌測量系統(tǒng) | |
測量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個) |
可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復性 | 0.005nm |
測量參數(shù) | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù) |
膜厚測量系統(tǒng) | |
測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測厚度 | 0.4um |
紅外干涉測量系統(tǒng) | |
光源 | SLED |
測量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
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