KRi 考夫曼離子源,真空鍍膜離子源

離子源

型號： KDC 100

--- 產品參數 ---

產地美國
類型考夫曼型
品牌 KRi

--- 產品詳情 ---

因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準
KRI 考夫曼離子源 KDC 100
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 中型規(guī)格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產設備中, 考夫曼離子源 KDC 100 采用雙陰極燈絲和自對準柵極, 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 100 技術參數：

* 可選: 可調角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 100 應用領域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請聯絡上海伯東葉女士

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