TC Wafer 晶圓測溫系統(tǒng)通過利用自主研發(fā)的核心技術將耐高溫的熱電偶傳感器鑲嵌在晶圓表面，實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數據，為半導體制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關鍵的工藝參數。
【應用范圍】
物理氣相沉積 (PVD)、原子層沉積 (ALD)、化學氣相沉積 (CVD)、退火爐、去膠設備、晶圓臨時鍵合、涂膠顯影 TRACK 設備、 加熱板、加熱盤
【產品優(yōu)勢】
1. 1200℃耐高溫測量：熱電偶傳感器能夠承受1200℃的溫度，TC Wafer適合用于監(jiān)控在極端溫度條件下進行的半導體制造過程。
2. 溫度精確實時監(jiān)測：TC Wafer可提供晶圓上特定位置的準確溫度數據。
3. 詳細溫度分布圖：通過在晶圓上布置多個點來收集溫度數據，TC Wafer能夠提供整個晶圓的溫度分布情況，幫助識別不均勻加熱或冷卻的問題。
4. 瞬態(tài)溫度跟蹤：TC Wafer能夠捕捉到快速變化的溫度動態(tài)，如升溫、降溫、恒溫過程以及延遲時間等關鍵參數的變化，為工藝優(yōu)化提供數據支持。
5. 支持過程控制與優(yōu)化：持續(xù)監(jiān)控晶圓在熱處理過程中的溫度變化有助于工程師調整工藝參數，提高生產效率并確保產品質量。
6. 適用于多種晶圓尺寸：TC Wafer的設計使其能夠適用于不同直徑的晶圓，包括2英寸和大至12英寸的晶圓，滿足各種制造需求。
【參數配置】
Wafer 尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 晶圓材質 | 硅片 / 藍寶石等 |
測溫點數 | 1-34 | 線長 | L1- 腔體內部；L2- 倉門過渡段；L3- 腔體外部 |
測溫元件 | TC | 采樣頻率 | 1Hz |
TC 線徑 | 0.127mm/0.254mm | 配套主機 | 測溫系統(tǒng)配套主機 |
溫度范圍 | K 型：RT~1200℃;R/S 型：RT~1200℃;T 型：RT~350℃;TR 高精度型：-40-250℃ /-40-350℃ | ||
溫度精度 | K 型：±1.1℃ /0.4%；R/S 型：±0.6℃ /0.1%；T 型：±0.5℃;TR 高精度型：±0.1℃ /±0.5℃ | ||
測溫軟件 | 測溫專用軟件，實時顯示溫度場剖面圖及實時升溫曲線圖 | ||
