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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSZ42DN25NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSZ42DN25NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、BSZ42DN25NS3 G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSZ42DN25NS3 G-VB 是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用DFN8 (3x3)封裝,利用先進(jìn)的Trench技術(shù)設(shè)計(jì)。此MOSFET專為高壓應(yīng)用而優(yōu)化,提供了高達(dá)250V的漏源極電壓和良好的電流處理能力。它在高壓開關(guān)和電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別適合需要高耐壓和高穩(wěn)定性的電子應(yīng)用場(chǎng)景。

### 二、BSZ42DN25NS3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSZ42DN25NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 250V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 125mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 10.3A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、BSZ42DN25NS3 G-VB 適用領(lǐng)域和模塊舉例

BSZ42DN25NS3 G-VB 的高壓耐受性和穩(wěn)定性使其在以下領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)出色:

1. **高壓電源管理系統(tǒng)**: 由于其高達(dá)250V的漏源極電壓,BSZ42DN25NS3 G-VB 非常適用于高壓電源管理系統(tǒng),如AC-DC轉(zhuǎn)換器和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。這些應(yīng)用需要在高電壓條件下可靠地工作,而該MOSFET 能夠提供穩(wěn)定的性能和低功耗損耗。

2. **電力開關(guān)設(shè)備**: 在電力開關(guān)設(shè)備中,該MOSFET 的高耐壓特性使其能夠承受較高的電壓負(fù)荷,適合用于電力開關(guān)和斷路器等模塊。這種高壓MOSFET 能夠確保在開關(guān)過程中穩(wěn)定且安全地處理高電壓。

3. **逆變器系統(tǒng)**: 在太陽能逆變器和其他類型的高電壓逆變器系統(tǒng)中,BSZ42DN25NS3 G-VB 能夠高效地處理來自電池或太陽能板的高電壓輸出,確保逆變器系統(tǒng)的高效運(yùn)行和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

4. **電力電子變換器**: 該MOSFET 也適用于電力電子變換器,尤其是那些涉及高電壓應(yīng)用的變換器模塊,如電動(dòng)汽車充電器和高壓直流輸電系統(tǒng)。其高電壓耐受性和低導(dǎo)通電阻能夠幫助提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

BSZ42DN25NS3 G-VB 的高耐壓、良好的導(dǎo)通特性以及穩(wěn)定的性能,使其在需要高電壓處理和高效率的應(yīng)用中成為理想選擇。

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