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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSP321P-VB一款Single-P溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSP321P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT223
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSP321P-VB是一款高性能的單P溝道MOSFET,采用SOT223封裝。該MOSFET利用Trench技術(shù)設(shè)計(jì),能夠處理高達(dá)-100V的漏源極電壓,專(zhuān)為負(fù)電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它具有較低的導(dǎo)通電阻,適合在需要高效開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)定電流控制的應(yīng)用中使用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:BSP321P-VB
- **封裝**:SOT223
- **配置**:?jiǎn)蜳溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:-100V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 230mΩ(@VGS=4.5V)
 - 200mΩ(@VGS=10V)
- **漏極電流(ID)**:-3A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

BSP321P-VB MOSFET因其負(fù)電壓處理能力和高效能,適用于各種高效能的負(fù)電壓應(yīng)用。以下是一些具體應(yīng)用的示例:

1. **負(fù)電壓電源管理**:
  在負(fù)電壓電源管理系統(tǒng)中,BSP321P-VB可以用于負(fù)電壓的開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)。它能夠穩(wěn)定控制負(fù)電壓電源中的電流流動(dòng),提高系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:
  該MOSFET在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。由于其低RDS(ON)和負(fù)電壓耐受能力,它能夠有效地控制負(fù)載開(kāi)關(guān),特別適用于需要負(fù)電壓切換的應(yīng)用,例如在電源適配器和工業(yè)設(shè)備中。

3. **電池管理系統(tǒng)**:
  在電池管理系統(tǒng)中,BSP321P-VB可用于負(fù)電壓保護(hù)和控制。其高電壓耐受能力使其能夠處理負(fù)電壓電池系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)需求,確保電池的安全性和高效性。

4. **高壓開(kāi)關(guān)電路**:
  在高壓開(kāi)關(guān)電路中,該MOSFET可以作為負(fù)電壓開(kāi)關(guān)使用。其耐受-100V的能力使其適合用于高電壓負(fù)載開(kāi)關(guān),提供可靠的開(kāi)關(guān)控制和保護(hù)。

5. **反向電流保護(hù)**:
  在需要反向電流保護(hù)的電路中,BSP321P-VB能夠有效地阻止反向電流的流動(dòng)。其P溝道配置使其在負(fù)電壓保護(hù)電路中發(fā)揮重要作用,保障系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

這些應(yīng)用示例展示了BSP321P-VB MOSFET在負(fù)電壓處理和高效開(kāi)關(guān)控制中的關(guān)鍵作用,特別是在負(fù)電壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池管理等領(lǐng)域的廣泛適用性。

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