**產品簡介：**
BSC440N10NS3 G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)，設計用于中到高電壓應用。該 MOSFET 的 VDS（漏極-源極最大電壓）為 100V，最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V，漏極電流 ID 達到 30A。采用溝槽型工藝技術，具有導通電阻 RDS(ON) 為 17mΩ（在 VGS=10V 時），提供了可靠的高電壓開關性能，適用于各種高電壓開關電路。
**詳細參數說明：**
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓（VDS）**: 100V
- **柵源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 17mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 30A
- **技術**: 溝槽型工藝
**應用領域和模塊示例：**
1. **電源開關**：在高電壓電源開關應用中，BSC440N10NS3 G-VB 的高 VDS 和低 RDS(ON) 特性使其適用于高效的電源開關設計，能夠處理較高的電壓和電流。
2. **電動汽車充電系統(tǒng)**：在電動汽車的充電控制系統(tǒng)中，該 MOSFET 能夠應對高電壓和大電流負載，確保充電系統(tǒng)的穩(wěn)定和安全。
3. **工業(yè)電源管理**：用于工業(yè)電源管理和高電壓開關系統(tǒng)中，BSC440N10NS3 G-VB 的高電壓耐受能力和低導通電阻使其成為理想選擇，適合于要求高效能和高可靠性的應用。
