### BSC200P03LS G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSC200P03LS G-VB 是一款高性能單P通道MOSFET，封裝在DFN8(5x6)外殼中。這款MOSFET 專(zhuān)為需要高電流和高效率的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，提供了優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能和可靠性。其最大漏極-源極電壓（VDS）為-30V，柵極-源極電壓（VGS）容差為±20V，適應(yīng)各種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。BSC200P03LS G-VB 的閾值電壓（Vth）為-2.5V，保證在較低柵極電壓下能夠可靠地開(kāi)啟。其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V時(shí)為12mΩ，在VGS = 10V時(shí)為7.8mΩ，提供了高效的功率傳輸和低功耗。該MOSFET 的連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)到-60A，適合處理較大的負(fù)電流負(fù)荷。BSC200P03LS G-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，優(yōu)化了其開(kāi)關(guān)性能和總體能效。

### BSC200P03LS G-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型:** DFN8(5x6)
- **配置:** 單P通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** -30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** -2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
 - VGS = 4.5V 時(shí)為 12mΩ
 - VGS = 10V 時(shí)為 7.8mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** -60A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### BSC200P03LS G-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域

BSC200P03LS G-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在多個(gè)領(lǐng)域中具有出色的應(yīng)用表現(xiàn)。例如，在電源管理系統(tǒng)中，這款MOSFET 可以用作高效的電源開(kāi)關(guān)和電源調(diào)節(jié)模塊，處理負(fù)電流負(fù)荷并優(yōu)化能效。在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，它適合用作電機(jī)控制系統(tǒng)和電池管理模塊中的開(kāi)關(guān)元件，提供穩(wěn)定和高效的電流供應(yīng)。在工業(yè)應(yīng)用中，BSC200P03LS G-VB 可用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源轉(zhuǎn)換設(shè)備，提供可靠的開(kāi)關(guān)功能，減少能量損耗。此外，該MOSFET 還適用于高效能LED驅(qū)動(dòng)器和其他高功率電子設(shè)備，以提升整體性能和能效。