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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC12DN20NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSC12DN20NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSC12DN20NS3 G-VB 是一款高電壓、高功率單N溝道MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝。設(shè)計(jì)用于處理高電壓和大電流應(yīng)用,BSC12DN20NS3 G-VB 的漏源電壓(VDS)達(dá)到200V,柵源電壓(VGS)為20V(±)。其閾值電壓(Vth)為3V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在10V柵極驅(qū)動(dòng)下為38mΩ,漏極電流(ID)高達(dá)30A。采用Trench技術(shù)制造,BSC12DN20NS3 G-VB 提供了優(yōu)異的開關(guān)性能和高效的功率處理能力,適合用于需要高電壓和高功率的各種應(yīng)用場(chǎng)景。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:DFN8(5X6)
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:200V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 38mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:30A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高電壓電源管理**:
  BSC12DN20NS3 G-VB 在高電壓電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,如高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)模塊。其高電壓耐受能力和穩(wěn)定的功率處理能力確保了系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性,適合于高電壓負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。

2. **電力逆變器**:
  在太陽能逆變器和其他電力逆變器應(yīng)用中,BSC12DN20NS3 G-VB 提供了高電壓處理能力和高效的開關(guān)控制,適合于高功率電力轉(zhuǎn)換,提升逆變器的效率和可靠性。

3. **工業(yè)電源控制**:
  工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源控制系統(tǒng),如大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源調(diào)節(jié)器,使用BSC12DN20NS3 G-VB 可以有效地處理高電壓和大電流,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和高效運(yùn)行。

4. **家用電器**:
  對(duì)于高電壓家用電器中的應(yīng)用,如高功率電熱器和大功率電機(jī)控制,BSC12DN20NS3 G-VB 能夠提供穩(wěn)定的電流控制和低功耗運(yùn)行,提升電器的性能和安全性。

5. **通信基礎(chǔ)設(shè)施**:
  在通信設(shè)備的電源模塊中,尤其是需要高電壓和高功率的電源開關(guān)和功率放大器應(yīng)用,BSC12DN20NS3 G-VB 能夠提供可靠的開關(guān)性能和高效的功率處理,改善設(shè)備的整體性能和穩(wěn)定性。

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