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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC046N02KS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSC046N02KS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號**: BSC046N02KS G-VB  
**封裝**: DFN8 (5x6)  
**配置**: 單N溝道MOSFET  
**技術**: 溝槽型技術

### 詳細參數(shù)說明

- **VDS**: 30V (漏源極電壓)
- **VGS**: ±20V (柵源極電壓)
- **Vth**: 1.7V (柵源極閾值電壓)
- **RDS(ON)**: 
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **ID**: 160A (漏極電流)

### 應用領域和模塊

1. **高功率開關**: 適用于高電流和高功率的電源開關應用,如電源管理系統(tǒng)和DC-DC轉換器。
2. **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理和電機驅動系統(tǒng)中,用于高效的電流控制和負載開關。
3. **數(shù)據(jù)中心**: 用于數(shù)據(jù)中心的電源供應系統(tǒng),提供高效的電流開關和散熱管理。
4. **工業(yè)電源**: 適用于工業(yè)設備的電源管理,實現(xiàn)高效和可靠的電流開關。

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