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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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B70NF03L-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: B70NF03L-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### B70NF03L-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

B70NF03L-VB 是一款高性能單N通道MOSFET,封裝在TO-263外殼中。該MOSFET設(shè)計用于要求高電流和低導通電阻的應用。其最大漏極-源極電壓(VDS)為30V,柵極-源極電壓(VGS)容差為±20V。器件具有較低的閾值電壓(Vth),為1.7V,保證了其可以在較低的柵極電壓下啟動。B70NF03L-VB具有非常低的導通電阻(RDS(ON)),在VGS = 4.5V時為2.7mΩ,在VGS = 10V時為2.4mΩ,適合于需要處理大電流的應用,其連續(xù)漏極電流(ID)高達98A。該MOSFET采用先進的溝槽技術(shù),提升了其開關(guān)性能和能效。

### B70NF03L-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型:** TO-263
- **配置:** 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
 - VGS = 4.5V 時為 2.7mΩ
 - VGS = 10V 時為 2.4mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 98A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### B70NF03L-VB MOSFET 的應用領(lǐng)域

B70NF03L-VB MOSFET 由于其高電流處理能力和低導通電阻,適用于多個高效能要求的領(lǐng)域。例如,在電源管理系統(tǒng)中,如計算機電源供應器和電池管理系統(tǒng),這款MOSFET可以用于高電流開關(guān)和電源調(diào)節(jié),確保系統(tǒng)穩(wěn)定和高效。它還適合用于汽車電子領(lǐng)域,如電動車輛的電機控制和電源管理模塊,能夠處理高電流并保持低功耗。在工業(yè)應用中,B70NF03L-VB 可以應用于電機驅(qū)動和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,因其低導通電阻能夠顯著降低能量損耗。最后,這款MOSFET 也適用于消費電子產(chǎn)品,如LED驅(qū)動器和高效能開關(guān)電源,提升設(shè)備的整體性能和功率效率。

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