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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AUIRFU3607-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: AUIRFU3607-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**AUIRFU3607-VB** 是一款高性能單N通道MOSFET,封裝為TO251。它具有80V的最大漏極源極電壓(VDS),以及±20V的最大門源極電壓(VGS)。門檻電壓(Vth)為3V,確保MOSFET在相對較低的門電壓下即可導通。該MOSFET在VGS=4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為8.7mΩ,在VGS=10V時降至6.4mΩ。其最大連續(xù)漏極電流(ID)為75A,采用Trench技術制造,特別適用于高效能、高電流的應用場景。

### 參數(shù)說明

- **型號**: AUIRFU3607-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單N通道
- **最大漏極源極電壓(VDS)**: 80V
- **最大門源極電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: 3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 8.7mΩ @ VGS=4.5V
 - 6.4mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**: 75A
- **技術**: Trench

### 適用領域和模塊示例

1. **高功率電源開關**: AUIRFU3607-VB的低導通電阻和高電流能力使其非常適合用于高功率電源開關模塊,有效減少功耗并提升整體效率。

2. **電動汽車驅動系統(tǒng)**: 在電動汽車的電機控制系統(tǒng)中,該MOSFET能夠穩(wěn)定處理高電流需求,提高系統(tǒng)的可靠性和性能。

3. **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中,AUIRFU3607-VB的低導通電阻有助于提高轉換效率,適合用于高效能電源設計和電流密集型應用。

4. **逆變器**: 適用于光伏逆變器和其他高功率逆變器應用,能夠處理高電壓和高電流要求,確保逆變器的穩(wěn)定性和高效性。

5. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可以高效控制充電和放電過程中的電流,優(yōu)化電池性能并延長其使用壽命。

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