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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AUIRFS3307Z-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: AUIRFS3307Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**AUIRFS3307Z-VB** 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO263。采用Trench技術,具備極低的導通電阻和高電流處理能力,非常適合用于高效能、高電流的應用場景。

### 參數(shù)說明

- **型號**: AUIRFS3307Z-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (V_DS)**: 80V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **柵源閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導通電阻 (R_DS(on))**: 
 - 10mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 5mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 215A
- **技術**: Trench

### 應用領域及模塊

**AUIRFS3307Z-VB** MOSFET 以其低導通電阻和高電流能力,適用于以下領域和模塊:

1. **高效能電源管理**:在高電流開關電源和DC-DC轉換器中使用,提供極低的功率損耗和高效的電能傳輸。
2. **電機驅動**:用于電機驅動應用,提供可靠的高電流開關控制,適合大功率電機控制系統(tǒng)。
3. **功率逆變器**:在功率逆變器中作為開關元件,幫助實現(xiàn)高效的電能轉換和處理。
4. **電源保護系統(tǒng)**:應用于高電流保護電路中,確保在極端工作條件下的穩(wěn)定性和安全性。

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