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      Infineon

      IKW40N120H3

      1200 V IGBT in Trench and Fieldstop Technology with Soft, Fast Recovery Anti-Parallel Diode, 80 A IC, -40 to 175 degC, PG-TO247-3-44, Tube, Green

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      IKW40N120H3 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        80 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        2.05 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        1.2 kV
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        1.2 kV
      • 配置
        Single
      • 正向電壓
        2.4 V
      • 柵極電荷
        185 nC
      • 晶體管類型
        溝槽型場(chǎng)截止
      • 反向恢復(fù)時(shí)間
        355 ns
      • 功率耗散
        483 W

      Physical

      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -40 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        240
      • 制造商封裝
        TO-247AC-3

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        21.1 mm
      • 長(zhǎng)度
        16.03 mm
      • 寬度
        5.16 mm

      IKW40N120H3 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IKW40N120H3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • IKW40N120H3
        1年前
        Huaqiu Chip
      • Rev. 1.2
        1年前
        Altium Library

      IKW40N120H3 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip