99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

上海陸芯 ? 來源:上海陸芯 ? 2025-03-11 16:17 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品推薦

YGK40N120TMA1 GEN3—IGBT單管

陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺,TO263封裝;產(chǎn)品外觀和示意圖如下

02ed21be-fe1d-11ef-9310-92fbcf53809c.jpg

產(chǎn)品特點

LUXIN FS-Trench GEN3平臺,低導通壓降Vcesat=1.4V@40A

短路能力Tsc>10us

最高結(jié)溫Tjmax=175℃

出色的開關(guān)波形,兼容性高,易于調(diào)試

優(yōu)異的參數(shù)一致性,易于并聯(lián)

推薦工作頻率0~10kHz,優(yōu)異的性價比

市場應用

新能源PTC行業(yè)

電機驅(qū)動

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1278

    文章

    4071

    瀏覽量

    254660
  • 陸芯科技
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    15

    瀏覽量

    246

原文標題:陸芯新品 | YGK40N120TMA1 GEN3 IGBT單管

文章出處:【微信號:lu-semi,微信公眾號:上海陸芯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

    作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團隊持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 06-11 08:59 ?895次閱讀
    新潔能<b class='flag-5'>推出</b>第三代<b class='flag-5'>40V</b> <b class='flag-5'>Gen.3</b> SGT MOSFET系列產(chǎn)品

    科技推出IGBTAU40N120T3A5

    科技正式推出1200V40A Gen3IGBT
    的頭像 發(fā)表于 05-27 12:04 ?505次閱讀
    <b class='flag-5'>陸</b><b class='flag-5'>芯</b>科技<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>AU<b class='flag-5'>40N120T3A</b>5

    AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應用能效優(yōu)化而生

    Gen31200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品,旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比,該系列產(chǎn)品在高負載條件下能夠保持較低導通損耗的同時,其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)
    發(fā)表于 05-07 10:56 ?521次閱讀
    AOS<b class='flag-5'>推出</b>第三代<b class='flag-5'>1200V</b> aSiC MOSFET,專為高功率應用能效優(yōu)化而生

    龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

    在功率器件快速發(fā)展的當下,如何實現(xiàn)更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品
    的頭像 發(fā)表于 04-29 14:43 ?493次閱讀

    Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V1200 V SiC肖特基二極,提升高頻應用效率

    40 A至240 A雙二極和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,
    的頭像 發(fā)表于 02-27 12:49 ?401次閱讀
    Vishay<b class='flag-5'>推出</b>多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 <b class='flag-5'>V</b>和<b class='flag-5'>1200</b> <b class='flag-5'>V</b> SiC肖特基二極<b class='flag-5'>管</b>,提升高頻應用效率

    NGW40T65M3DFP 40A溝槽場停止IGBT與全額定硅二極規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NGW40T65M3DFP 40A溝槽場停止IGBT與全額定硅二極規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-18 16:58 ?0次下載
    NGW<b class='flag-5'>40T65M3</b>DFP <b class='flag-5'>40A</b>溝槽場停止<b class='flag-5'>IGBT</b>與全額定硅二極<b class='flag-5'>管</b>規(guī)格書

    高速Gen3快速基因MOSFET提供同類最佳性能

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高速Gen3快速基因MOSFET提供同類最佳性能.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-24 14:00 ?0次下載
    高速<b class='flag-5'>Gen3</b>快速基因MOSFET提供同類最佳性能

    新品 | 3300V1200A IGBT4 IHV B模塊

    3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過了重大改進,以滿足牽引和工業(yè)應用(如中壓傳動或HVDC)當前和未來的要求。其最新推出的產(chǎn)品組合
    的頭像 發(fā)表于 01-02 17:41 ?501次閱讀
    新品 | 3300<b class='flag-5'>V</b>,<b class='flag-5'>1200A</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>4 IHV B模塊

    達茂國產(chǎn)IGBT模塊,國產(chǎn)IBGT 全系列型號

    深圳市三佛科技有限公司介紹達茂國產(chǎn)IGBT模塊,國產(chǎn)IBGT 提供樣品,技術(shù)支持。 國產(chǎn)IBGT+FRD
    發(fā)表于 12-19 15:03

    科技推出IGBTYGW40N65FMA1

    科技正式推出650V40A GEN3IGBT
    的頭像 發(fā)表于 12-14 14:28 ?734次閱讀
    <b class='flag-5'>陸</b><b class='flag-5'>芯</b>科技<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>YGW<b class='flag-5'>40</b>N65FMA1

    森國科推出全新1200V/25A IGBT

    森國科推出1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒
    的頭像 發(fā)表于 12-04 16:16 ?734次閱讀
    森國科<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>1200V</b>/25<b class='flag-5'>A</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>

    長晶科技FST3.0 IGBT新品發(fā)布

    長晶科技本次推出了FST3.0(對標國際Gen7.0) 650V1200V系列的三款IGBT
    的頭像 發(fā)表于 12-02 09:36 ?741次閱讀

    電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

    為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V
    的頭像 發(fā)表于 11-27 14:58 ?996次閱讀
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>電子<b class='flag-5'>推出</b>采用TC<b class='flag-5'>3</b>Pak封裝的<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

    本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極。與傳統(tǒng)功率模塊相比,
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:59 ?1884次閱讀
    深度了解第8代1800<b class='flag-5'>A</b>/<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>功率模塊

    Xilinx 7系列FPGA PCIe Gen3的應用接口及特性

    Xilinx7系列FPGA集成了新一代PCI Express集成塊,支持8.0Gb/s數(shù)據(jù)速率的PCI Express 3.0。本文介紹了7系列FPGA PCIe Gen3的應用接口及一些特性。
    的頭像 發(fā)表于 11-05 15:45 ?3200次閱讀
    Xilinx 7系列FPGA PCIe <b class='flag-5'>Gen3</b>的應用接口及特性