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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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E4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

型號： E4D20120A

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 阻斷電壓 1200V
  • 最大持續(xù)電流 20A
  • 總電容電荷 每條腿99nC
  • 功耗 242W
  • 正向電壓 1.5V

--- 產(chǎn)品詳情 ---

E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。

E4D20120A


好處
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件
? 戶外環(huán)境的理想選擇


特征
? 第 4 代 SiC 合并 PIN 肖特基技術
? 零反向恢復電流
? 高頻操作
? 與溫度無關的開關行為
? 符合 AEC-Q101 標準并支持 PPAP
? 防潮


應用
? PFC 或 DC/DC 級中的升壓二極管
? 逆變器級中的續(xù)流二極管
? AC/DC 轉換器
? 汽車和牽引電源轉換
? 光伏逆變器


阻斷電壓:1200V
最大持續(xù)電流：20A
總電容電荷：每條腿99nC
功耗：242W
正向電壓：1.5V

 


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