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數(shù)據(jù): AFBR-S4N44P163:4×4 NUV-HD硅光電倍增器陣列數(shù)據(jù)表
該器件采用硅通孔(TSV)技術(shù)有效利用表面積,無(wú)需電線即可實(shí)現(xiàn)高封裝密度。通過(guò)平鋪多個(gè)陣列可以覆蓋更大的探測(cè)器區(qū)域,幾乎沒(méi)有邊緣損失。
探測(cè)器在可見(jiàn)光譜中具有廣泛的響應(yīng),特別優(yōu)化了藍(lán)光和近紫外光。
低至紫外波長(zhǎng)的高透明薄玻璃層保護(hù)陣列,非常適合檢測(cè)來(lái)自最常見(jiàn)閃爍體的閃爍或Cherenkov光,如LSO,LYSO,GSO,BGO,NaI,CsI,BaF, LaBr。