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NCP349 內(nèi)部低R的正過壓保護(hù)電路

數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)表：具有內(nèi)部低R的正過壓保護(hù)控制器

如果檢測(cè)到錯(cuò)誤的輸入操作條件，NCP349能夠斷開系統(tǒng)與輸出引腳的連接。該系統(tǒng)具有高達(dá)+28 V的正過壓保護(hù)。
由于該器件使用內(nèi)部NMOS，因此不需要外部器件，從而降低了系統(tǒng)成本和應(yīng)用板的PCB面積。
NCP349能夠由于集成的低R _on功率NMOS（65mΩ，如果輸入電壓超過過壓閾值（OVLO）或欠壓閾值（UVLO）），瞬間斷開輸入與輸入的連接。
上電時(shí)（EN（BAR）引腳=低電平），在<_{中的V _{超過欠壓閾值后，V _out接通。
NCP349提供負(fù)向標(biāo)志（FLAG（BAR））輸出，警告系統(tǒng)發(fā)生故障。
此外，當(dāng)使用1.0μF或更大的電容旁路時(shí)，器件具有ESD保護(hù)輸入（15 kV空氣）。}}

特性
高達(dá)28 V的過壓保護(hù)
On-芯片低R ~~DS（on） NMOS晶體管：65 m~~
過壓鎖定（OVLO）
欠壓鎖定（UVLO）
內(nèi)部軟啟動(dòng)
警告標(biāo)志（BAR）輸出
關(guān)閉EN（BAR）輸入
符合IEC61000-4-2（4級(jí)），8.0 kV（接觸）和15 kV（空氣）
ESD評(píng)級(jí)：機(jī)器模型= B，人體模型= 3
這是一個(gè)無鉛設(shè)備
封裝DFN 1.6 x 2.0 mm