CM1231專為亞微米硅設計而設計。這些器件非常適合保護具有高數據和時鐘速率的系統(tǒng)以及需要低容性負載的電路，如USB 2.0。 CM1231-02SO采用雙級ESD架構，與傳統(tǒng)的單鉗位設計相比，可提供更高的系統(tǒng)級ESD保護。此外，CM1231-02SO還提供受控濾波器滾降功能，可實現更高的雜散EMI抑制和信號完整性。根據IEC 61000-4-2標準，CM1231-02SO可防止OUT引腳上高達12 kV的ESD脈沖。該器件還具有易于布線的直通差分引腳布局。