LMG3410單通道氮化鎵（GaN）功率級包含一個70mΩ，600V GaN功率晶體管，一個優(yōu)化的驅動器，并且內置 - 采用低電感8 mm×8 mm QFN封裝，提供保護。與基于硅FET的解決方案相比，LMG3410功率級與TI ?? sanalog和數字電源轉換控制器相結合，使設計人員能夠創(chuàng)建更小，更高效和更高性能的設計。這些優(yōu)勢在隔離的高壓工業(yè)，電信，企業(yè)計算和可再生能源應用中尤為重要。

憑借其集成的驅動器和零反向恢復電流等特性，LMG3410可在硬開關應用中提供可靠的性能，可顯著降低開關損耗高達80％。與獨立的GaN FET不同，易于使用的LMG3410集成了內置智能，可用于溫度，電流和欠壓鎖定（UVLO）故障保護。

最后，外部可調節(jié)的壓擺率和低電感QFN封裝可最大限度地減少開關損耗，電壓振鈴和電噪聲的產生