英特爾對(duì)此次活動(dòng)的定位如下： “誠(chéng)摯邀請(qǐng)您傾聽(tīng)英特爾高層精英、技術(shù)專(zhuān)才以及各方合作伙伴深度解讀我們的戰(zhàn)略布局、卓越
工藝技術(shù)、尖端封裝技巧與生態(tài)建設(shè)。旨在讓您深入理解英特爾的代工廠(chǎng)服務(wù)如何助力貴司充分利用英特爾強(qiáng)大的彈性供應(yīng)實(shí)力構(gòu)筑芯片設(shè)計(jì)?！?/div>
2024-01-05 09:40:29
368 結(jié)合5nm和6nm工藝節(jié)點(diǎn)，采用先進(jìn)的小芯片（Chiplets）設(shè)計(jì)，全新的計(jì)算單元和第二代AMD高速緩存技術(shù)，相比AMD RDNA 2架構(gòu)的每瓦性能提高54%；
2024-01-04 16:27:36509 
這座晶圓廠(chǎng)于2022年4月開(kāi)始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片，這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個(gè)變種，專(zhuān)用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433 據(jù)悉，2024年臺(tái)積電的第二代3nm工藝（稱(chēng)為N3E）有望得到更廣泛運(yùn)用。此前只有蘋(píng)果有能力訂購(gòu)第一代N3B高端晶圓。經(jīng)過(guò)解決工藝難題及提升產(chǎn)量后，臺(tái)積電推出經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的3nm版型，吸引更多企業(yè)采用。
2024-01-03 14:15:17279 據(jù)了解，臺(tái)積電公司（TSMC）的CoWoS產(chǎn)能已經(jīng)飽和，且未來(lái)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃主要服務(wù)于英偉達(dá)，為滿(mǎn)足AMD需求新建生產(chǎn)線(xiàn)需耗時(shí)6—9個(gè)月。據(jù)此推測(cè)，AMD可能會(huì)尋找具有類(lèi)似CoWoS 封裝技術(shù)的其他制造商合作，日月光、安靠（Amkor）、力成以及京元電或許是首選對(duì)象。
2024-01-03 14:07:58196 英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開(kāi)始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠(yuǎn)。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進(jìn)程度無(wú)疑已經(jīng)超過(guò)了三星和臺(tái)積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799 來(lái)源：EETOP，謝謝 編輯：感知芯視界 萬(wàn)仞 臺(tái)積電在近日舉辦的IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺(tái)積電還再次強(qiáng)調(diào)，2nm
2023-12-19 09:31:06318 12 月 14 日消息，臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025
2023-12-18 15:13:18191 此外，對(duì)于臺(tái)積電的1.4nm制程技術(shù)，媒體預(yù)計(jì)其名稱(chēng)為A14。從技術(shù)角度來(lái)看，A14節(jié)點(diǎn)可能不會(huì)運(yùn)用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)。
2023-12-15 10:23:12264 1. 臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)
2023-12-14 11:16:00733 SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示，臺(tái)積電1.4nm制程的正式名稱(chēng)為A14。截至目前，關(guān)于該節(jié)點(diǎn)的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫未公開(kāi)。但是，根據(jù)其與N2及N2P等節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)排期預(yù)測(cè)，我們預(yù)期A14節(jié)點(diǎn)將會(huì)在2027至2028年度面市。
2023-12-14 10:27:23195 最近流傳的一份謠言顯示，包括AMD、高通、MediaTek和NVIDIA在內(nèi)的一批企業(yè)似乎有意將一部分3nm和2nm的晶圓制造訂單交由三星或者英特爾代為生產(chǎn)。然而，另一位知情人士表示，盡管NVIDIA與三星合作的重點(diǎn)在于存儲(chǔ)芯片
2023-12-12 15:40:53266 芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽(tīng)到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來(lái)看看吧！
2023-12-07 11:45:311591 
3nm工藝剛量產(chǎn)，業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了，并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠(chǎng)來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大挑戰(zhàn)，同樣也考驗(yàn)著EDA公司，以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)芯片的客戶(hù)。
2023-12-06 09:09:55693 今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來(lái)介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514232 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
采用先進(jìn)的14nm FinFET工藝，具有較低的有源功耗和更快的峰值CPU性能.
2023-11-18 14:24:45537 
內(nèi)情人士透露，AMD採(cǎi)用Zen 5c架構(gòu)的新一代芯片包含眾多型號(hào)，其中低階芯片將由三星4nm制程代工，高階芯片則由臺(tái)積電3nm制程代工。業(yè)界認(rèn)為臺(tái)積電3nm制程技術(shù)在完整性、整合度及效能表現(xiàn)上還不夠成熟，因此對(duì)AMD而言三星4nm制程與臺(tái)積電3nm制程技術(shù)相當(dāng)。
2023-11-17 16:37:29330 Tick-Tock，是Intel的芯片技術(shù)發(fā)展的戰(zhàn)略模式，在半導(dǎo)體工藝和核心架構(gòu)這兩條道路上交替提升。半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也有類(lèi)似的形式存在，在14nm/16nm節(jié)點(diǎn)之前，半導(dǎo)體工藝在相當(dāng)長(zhǎng)的歷史時(shí)期里有著“整代”和“半代”的差別。
2023-11-16 11:52:25963 
01 塞孔技術(shù)的突破 由于過(guò)往企業(yè)一直采用傳統(tǒng)的塞孔技術(shù)導(dǎo)致當(dāng)前電路板在生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生了很多問(wèn)題，其中比較嚴(yán)峻的問(wèn)題在于對(duì)位工藝流程改革 目前市場(chǎng)上三機(jī)連印存在的普遍問(wèn)題點(diǎn)在于影響產(chǎn)能&耗能，其中
2023-11-10 09:22:42231 
芯片的不同分類(lèi)方式
按照處理信號(hào)方式可分為模擬芯片和數(shù)字芯片。
按照應(yīng)用領(lǐng)域可分為軍工級(jí)芯片、工業(yè)級(jí)芯片、汽車(chē)級(jí)芯片和商業(yè)級(jí)芯片。
按照工藝制程的話(huà)還可以分為5nm芯片、14nm芯片、65nm芯片……
2023-11-08 11:12:06760 
了臺(tái)積電3nm 工藝（N3B），晶體管數(shù)量達(dá)到了190 億，比前代 A16 增加了近 20%，CPU 性能提升了約
2023-10-20 12:06:23930 2nm芯片什么時(shí)候出 2nm芯片什么時(shí)候出這個(gè)問(wèn)題目前沒(méi)有相關(guān)官方的報(bào)道，因此無(wú)法給出準(zhǔn)確的回答。根據(jù)網(wǎng)上的一些消息臺(tái)積電于6月16日在2022年度北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進(jìn)工藝制程
2023-10-19 17:06:18799 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 更小的節(jié)點(diǎn)尺寸
2023-10-19 16:59:161958 Sandbox上個(gè)月開(kāi)始銷(xiāo)售的混合計(jì)量圖像處理工具有望提高蝕刻和沉積步驟的計(jì)量精度，簡(jiǎn)化新工藝配方的實(shí)驗(yàn)，并最終降低工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)成本。該工具Weave與SandBox Studio AI建模平臺(tái)配合
2023-10-13 15:26:17530 IC設(shè)計(jì)中，時(shí)常會(huì)遇到工藝替換的問(wèn)題，使用新工藝替換舊工藝，或者這家的換那家的。
2023-10-12 14:24:112296 
該部件采用臺(tái)積電最先進(jìn)的 3nm 工藝制造，不太可能很快被其他任何技術(shù)擊敗，因?yàn)樘O(píng)果干脆買(mǎi)下了臺(tái)積電今年的全部產(chǎn)能。有傳言稱(chēng)，這種新工藝的產(chǎn)量仍然相當(dāng)?shù)?，這使得它成為一個(gè)特別昂貴的部件。
2023-09-28 09:33:292625 
電阻可以說(shuō)是電子設(shè)備中最常用的電子亞件Z一，仕何一個(gè)電丁皮面都西個(gè)開(kāi)E，巴o胡材料、新工藝的不斷發(fā)展，電阻器的種類(lèi)不斷增多。
電阻（Resistance，通常用“R”表示):在物理學(xué)中表示導(dǎo)體對(duì)電流阻礙作用的大小。導(dǎo)體的電阻越大表示導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用
2023-09-26 06:28:37
求新科DVP328的電路圖或者是維修教程
2023-09-24 20:55:17
Intel 4工藝第一次登場(chǎng)和之前的14nm、10nm有些類(lèi)似，性能上還未達(dá)到足夠高的水準(zhǔn)，所以只能用于筆記本移動(dòng)平臺(tái)的主流H系列、低功耗P系列，分為酷睿Ultra 9/7/5三個(gè)子系列。
2023-09-21 14:42:50348 
的大部分時(shí)間里，用于制造芯片的工藝節(jié)點(diǎn)的名稱(chēng)是由晶體管柵極長(zhǎng)度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線(xiàn)寬來(lái)指定的。350nm工藝節(jié)點(diǎn)就是一個(gè)例子。
2023-09-19 15:48:434475 
;Agilent 83750系列掃頻源為元件測(cè)試市場(chǎng)帶來(lái)引人注目的合成性能。它們?cè)谕ㄓ门_(tái)式掃頻測(cè)試或標(biāo)量測(cè)試中提供了佳的性?xún)r(jià)比?；菊袷幤髟O(shè)計(jì)方面的新工藝進(jìn)展提供了達(dá)20
2023-09-16 11:44:38
Z20K11xN采用國(guó)產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車(chē)規(guī) 40nm工藝，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封裝，CPU主頻最大支持64MHz，支持2路帶64個(gè)郵箱的CAN-FD通訊接口，工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:081073 
芯片。 首先，我認(rèn)為這一代的CPU提升會(huì)很大，我們都知道從A14開(kāi)始，CPU就開(kāi)始使用臺(tái)積電的5nm工藝，一直到iPhone 14 Pro/ProMax上的A16，依然還是5nm工藝，
2023-09-11 16:17:15727 的架構(gòu)，常見(jiàn)的有x86和x64。
指令集：如SSE、AVX等，用于拓展CPU的功能。
微架構(gòu)：如NetBurst、K10等，表示CPU內(nèi)部的具體實(shí)現(xiàn)。
制造工藝：如22nm、14nm等，表示CPU制造過(guò)程中的最小尺寸。
查看CPU處理器參數(shù)可以通過(guò)Intel官網(wǎng)或CPU-Z等工具實(shí)現(xiàn)。
2023-09-05 16:42:49
蘋(píng)果即將發(fā)布的iPhone 15系列將搭載的芯片已經(jīng)確定，確認(rèn)iPhone 15和iPhone 15 Plus兩款機(jī)型將繼續(xù)采用與iPhone 14 Pro同款的A16芯片。而iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max則將搭載全新蘋(píng)果A17芯片，獨(dú)享這顆全球首款3nm芯片。
2023-09-01 10:43:411702 面對(duì)美國(guó)的種種制裁,華為依然能研制出性能優(yōu)異的自主芯片,這充分體現(xiàn)了公司“狼性”的企業(yè)文化和對(duì)技術(shù)的執(zhí)著追求。新芯片采用了7nm工藝,相比上一代產(chǎn)品功耗降低了20%,處理能力提升了30%。它支持全網(wǎng)通和5G雙模,可廣泛應(yīng)用于各種智能終端。
2023-08-31 18:09:073774 除了中興通訊和華為之外，國(guó)內(nèi)還有其他擁有自研芯片設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)能力的公司。例如，小米旗下的松果電子于2017年發(fā)布了其首款自研芯片澎湃S1。雖然與7nm芯片相比，澎湃S1采用的制造工藝是10nm或14nm，但這一成果仍然顯示了松果電子在芯片設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的實(shí)力。
2023-08-30 17:11:309496 上海新陽(yáng)在集成電路制造用清洗劑產(chǎn)品方面，28nm干法蝕刻液產(chǎn)品規(guī)?；隽舜罅可a(chǎn)，14nm技術(shù)切入點(diǎn)后干法蝕刻艘后世額也實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)和銷(xiāo)售，公司的干法蝕刻液產(chǎn)品已經(jīng)14nm后以上技術(shù)切入點(diǎn)的禮儀
2023-08-28 10:59:43345 有哪些。 1.制造工藝 首先，我們來(lái)看一下它們的制造工藝。天璣1100采用了聯(lián)發(fā)科最新的6nm制造工藝，而驍龍660采用了14nm FinFet工藝。顯然，在這一塊天璣1100有一定的優(yōu)勢(shì)，6nm制造工藝意味著更高的性能和更低的功耗，因此天璣1100在這方面更出色。 2.CPU 再來(lái)看一
2023-08-16 11:48:201258 UV激光具有將一個(gè)完整孔的工藝步驟減至1種單獨(dú)的激光工序的能力，特別是取消了對(duì)去鉆污的需求，甚至完全可以不用這一工序，尤其是對(duì)于脈沖圖形電鍍。不需要使用侵蝕性去鉆污工序，例如對(duì)CO2激光而言，孔的形狀的粗糙度、芯吸和桶形畸變得到了改善。
2023-08-09 14:16:53258 鋰電池的生產(chǎn)迭代已經(jīng)給激光設(shè)備帶來(lái)了明確的“增量”機(jī)會(huì)，能夠抓住技術(shù)領(lǐng)先的時(shí)間窗口，以激光創(chuàng)新工藝技術(shù)與現(xiàn)有所需設(shè)備進(jìn)行耦合，將形成鋰電智能裝備企業(yè)新的價(jià)值來(lái)源。
2023-08-09 10:17:27818 
根據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)稱(chēng)臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過(guò)根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋(píng)果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 15:59:27780 無(wú)論是14nm還是10nm，Intel這些年的新工藝都有一個(gè)通性：剛誕生的時(shí)候性能平平，高頻率都上不去，只能用于筆記本移動(dòng)端(分別對(duì)應(yīng)5代酷睿、10代酷睿)，后期才不斷成熟，比如到了13代酷睿就達(dá)到史無(wú)前例的6GHz。
2023-08-07 09:55:57734 
UV激光具有將一個(gè)完整孔的工藝步驟減至1種單獨(dú)的激光工序的能力，特別是取消了對(duì)去鉆污的需求，甚至完全可以不用這一工序，尤其是對(duì)于脈沖圖形電鍍。不需要使用侵蝕性去鉆污工序，例如對(duì)CO2激光而言，孔的形狀的粗糙度、芯吸和桶形畸變得到了改善。
2023-08-03 14:47:21323 Intel將在下半年發(fā)布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝，也就是之前的7nm，但是Intel認(rèn)為它能達(dá)到4nm級(jí)別的水平，所以改了名字。
2023-08-01 09:41:50561 如果工藝制程繼續(xù)按照摩爾定律所說(shuō)的以指數(shù)級(jí)的速度縮小特征尺寸，會(huì)遇到兩個(gè)阻礙，首先是經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙，其次是物理學(xué)的阻礙。 經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙是，隨著特征尺寸縮小，由于工藝的復(fù)雜性設(shè)計(jì)規(guī)則的復(fù)雜度迅速增大，導(dǎo)致芯片的成本迅速上升。
2023-07-31 10:41:15710 
近幾年，芯片產(chǎn)業(yè)越來(lái)越火熱，一些行業(yè)內(nèi)的術(shù)語(yǔ)大家也聽(tīng)得比較多了。那么工藝節(jié)點(diǎn)、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？
2023-07-28 17:34:335639 
金航標(biāo)kinghelm薩科微slkor一直在學(xué)習(xí)華為的狼性營(yíng)銷(xiāo)。宋仕強(qiáng)先生說(shuō)，在搞好新材料新工藝新產(chǎn)品和國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品研發(fā)的同時(shí)，對(duì)外還積極做好品牌kinghelm、slkor建設(shè)和下游代理商渠道
2023-07-21 09:33:55250 
英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門(mén)IFS后，將向三方開(kāi)放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶(hù)，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757 BCR20PM-14LJ 數(shù)據(jù)表
2023-07-14 11:35:11
0 電池保護(hù)IC（Integrated Circuit）的納米工藝并沒(méi)有固定的規(guī)定或標(biāo)準(zhǔn)。電池保護(hù)IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣，采用從較大的微米級(jí)工藝（如180nm、90nm、65nm等）逐漸進(jìn)化到更先進(jìn)的納米級(jí)工藝（如45nm、28nm、14nm等）。
2023-07-11 15:42:371171 
BCR20FM-14LJ 數(shù)據(jù)表
2023-07-07 18:37:190 BCR20FM-14RA 數(shù)據(jù)表
2023-07-05 19:52:570 國(guó)產(chǎn)劃片機(jī)確實(shí)開(kāi)創(chuàng)了半導(dǎo)體芯片切割的新工藝時(shí)代。劃片機(jī)是一種用于切割和劃分半導(dǎo)體芯片的設(shè)備，它是半導(dǎo)體制造過(guò)程中非常重要的一環(huán)。在過(guò)去，劃片機(jī)技術(shù)一直被國(guó)外廠(chǎng)商所壟斷，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造企業(yè)不得不
2023-07-03 17:51:46479 
隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷發(fā)展（現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越來(lái)越高，規(guī)模也越來(lái)越大
2023-06-29 15:24:111741 
01塞孔技術(shù)的突破Science&Technology由于過(guò)往企業(yè)一直采用傳統(tǒng)的塞孔技術(shù)導(dǎo)致當(dāng)前電路板在生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生了很多問(wèn)題，其中比較嚴(yán)峻的問(wèn)題在于對(duì)位&換料號(hào)操作時(shí)間長(zhǎng)。因?yàn)槿撞粯?biāo)準(zhǔn)，有的塞不好不穩(wěn)定，塞孔精度達(dá)不到，塞小孔無(wú)法實(shí)現(xiàn)塞滿(mǎn)塞實(shí)，塞孔油墨濃度低導(dǎo)致烤板時(shí)間加長(zhǎng)，有的3小時(shí)以上，并且由于塞孔油墨濃度低，烘烤時(shí)容易造成透光、冒油、拉裂等現(xiàn)象直
2023-06-27 10:07:38738 
盡管英特爾的第14代酷睿尚未發(fā)布，但第15代酷睿（代號(hào)Arrow Lake）已經(jīng)曝光。新的酷睿系列產(chǎn)品將改為酷睿Ultra系列，并使用臺(tái)積電的3nm工藝，預(yù)計(jì)會(huì)有顯著的性能提升。
2023-06-20 17:48:571100 NM1200 UART1可以使用嗎？官方BSP庫(kù)文件里面沒(méi)有P14-RXD和P15-TXD的功能配置
只有對(duì)Uart1的一些寄存器配置，數(shù)據(jù)手冊(cè)明確指出P14和P15 可以配置為Uart1，
2023-06-19 08:05:56
據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，芯片測(cè)試設(shè)備制造企業(yè)穎崴科技6月14日在高雄舉行了高雄第二工廠(chǎng)竣工儀式。公司方面表示：“為生產(chǎn)用于半導(dǎo)體測(cè)試的探針芯片，將于今年年底在臺(tái)元科技園區(qū)建設(shè)新工廠(chǎng)。將擴(kuò)大現(xiàn)有生產(chǎn)能力?！崩^新工廠(chǎng)啟動(dòng)之后，預(yù)計(jì)明年將以探針卡業(yè)績(jī)加倍為目標(biāo)。
2023-06-15 10:31:42633 跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-06-15 08:57:31
目前，在半導(dǎo)體業(yè)界，14納米以下的工程設(shè)備被嚴(yán)格切斷，因此smic很難購(gòu)買(mǎi)設(shè)備突破這一工程。再加上國(guó)產(chǎn)設(shè)備短時(shí)間內(nèi)無(wú)法達(dá)到這種水平，因此smic決定放慢速度，不再急于追求先進(jìn)技術(shù)。
2023-06-12 09:25:511302 的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專(zhuān)家的帶領(lǐng)下，向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國(guó)際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2117913 電極一直是另一個(gè)傳統(tǒng)的厚膜技術(shù)應(yīng)用市場(chǎng)。厚膜的主要優(yōu)點(diǎn)之一是它是一種加成工藝，其中各種導(dǎo)體、電阻器和電介質(zhì)漿料被絲網(wǎng)印刷、燒制或連續(xù)固化，從而形成電路。這是一種具有加工效率的電路制造方式：圖案化的絲網(wǎng)相對(duì)容易制造
2023-06-06 12:03:281109 
在探討半導(dǎo)體行業(yè)時(shí)，我們經(jīng)常會(huì)聽(tīng)到兩個(gè)概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個(gè)重要的概念。
2023-06-06 10:44:001420 
處理器核，基于 Chisel 硬件設(shè)計(jì)語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)，支持 RV64GC 指令集?！澳虾?采用中芯國(guó)際 14nm 工藝制造，目標(biāo)頻率是 2GHz，SPECCPU 分值達(dá)到 10 分 / GHz，支持
2023-06-05 11:51:36
，ARMCortex-A53(64-bit)主處理單元主頻高達(dá)1.6GHz，ARMCortex-M7實(shí)時(shí)處理單元主頻高達(dá)800MHz。處理器采用14nm最新工藝，內(nèi)置2.3TOPS算力NPU神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元、雙路獨(dú)立ISP圖像
2023-06-01 21:46:371 明尼蘇達(dá)雙城大學(xué)的研究人員與美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院(NIST)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)一起開(kāi)發(fā)了一種制造自旋電子器件的突破性工藝，該工藝有可能成為構(gòu)成計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)和許多其他電子產(chǎn)品的半導(dǎo)體芯片的新行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。該新工藝將允許制造更快、更高效的自旋電子器件，而且這些器件可以比以往任何時(shí)候都更小。
2023-05-29 16:59:33383 
有據(jù)可查的是，與平面晶體管相比，從16nm/14nm開(kāi)始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類(lèi)似3D架構(gòu)的鰭片會(huì)產(chǎn)生許多電容值，必須提取這些電容值才能準(zhǔn)確模擬電氣行為，并最終
2023-05-25 14:23:56234 
SPC5644的wafer有多少nm？
2023-05-25 08:46:07
14nm、10nm、4……Intel近幾年的制造工藝，每次首秀都不太順利，頻率和性能不達(dá)標(biāo)，只能用于移動(dòng)版，優(yōu)化個(gè)一兩年才能上桌面，然后性能又非常好。
2023-05-24 11:33:42985 
西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件日前在臺(tái)積電2023北美技術(shù)論壇上宣布一系列最新工藝認(rèn)證。作為臺(tái)積電的長(zhǎng)期合作伙伴，此次認(rèn)證是雙方精誠(chéng)合作的關(guān)鍵成就，將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)西門(mén)子EDA技術(shù)對(duì)臺(tái)積電最新制程的全面支持。
2023-05-16 11:30:30596 3nm到底能不能上也存疑，DT稱(chēng)蘋(píng)果包下了今年臺(tái)積電90%的3nm產(chǎn)能，這意味著留給AMD備貨的空間非常有限。更早的一則爆料指出，在整個(gè)2024年，AMD都只有4nm。
2023-05-16 10:06:371521 
Intel將于6月11日至16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會(huì)上，首次展示PowerVia技術(shù)。有關(guān)信息顯示,Intel的20A工藝將引入PowerVia背部供電和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管等全新技術(shù)。
2023-05-10 15:07:51345 
1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進(jìn)行鍵合連接，外引線(xiàn)通過(guò)金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過(guò)金屬外殼，將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號(hào)等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
隨著政策扶植、智能化技術(shù)、高性能磁性材料和新工藝的發(fā)展，BLDC電機(jī)市場(chǎng)增量空間將被有力推動(dòng)，滲透率有望加速提高。 前言 隨著全球?qū)τ诃h(huán)保和能源效率的要求越來(lái)越高，BLDC電機(jī)作為一種高效、環(huán)保
2023-05-08 15:52:44510 
研究團(tuán)隊(duì)聚焦集成電路領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)，研發(fā)了一種可以應(yīng)用于高端電子產(chǎn)品、適應(yīng)5G通信高頻高速信號(hào)傳輸速率，且具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的PCB高精密表面修飾新工藝。
2023-04-25 10:49:37362 
4月14日，為充分發(fā)揮勞模和工匠人才、工會(huì)先進(jìn)集體和個(gè)人示范引領(lǐng)作用，樹(shù)立典型、鼓勵(lì)先進(jìn)，全面推進(jìn)福田區(qū)勞模和工匠人才創(chuàng)新工作室創(chuàng)建和福田區(qū)工會(huì)組織建設(shè)工作，深圳市福田區(qū)2023年勞模和工匠人才創(chuàng)新工
2023-04-21 15:39:27
4月14日，為充分發(fā)揮勞模和工匠人才、工會(huì)先進(jìn)集體和個(gè)人示范引領(lǐng)作用，樹(shù)立典型、鼓勵(lì)先進(jìn)，全面推進(jìn)福田區(qū)勞模和工匠人才創(chuàng)新工作室創(chuàng)建和福田區(qū)工會(huì)組織建設(shè)工作，深圳市福田區(qū)2023年勞模和工匠人才創(chuàng)新工
2023-04-21 15:30:39
據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，德國(guó)Plan Optik公司和4JET microtech公司合作開(kāi)發(fā)了一條高生產(chǎn)率的玻璃通孔（TGV）金屬化制造工藝鏈。
2023-04-20 09:09:01943 以上工藝所需EDA工具，基本實(shí)現(xiàn)了14nm以上EDA工具國(guó)產(chǎn)化！在2023年將完成對(duì)14nm以上EDA工具的全面驗(yàn)證！ 近來(lái)不僅是華為，國(guó)產(chǎn)EDA龍頭華大九天也是好消息不斷！ 好消息！華大九天部分?jǐn)?shù)字工具支持5nm并且已經(jīng)開(kāi)始商業(yè)化?？梢栽谖哪┓垂P者之前分享的文
2023-04-20 03:00:575418 臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個(gè)是技術(shù)，一個(gè)是資金，一個(gè)是市場(chǎng)，在技術(shù)上日本是指望跟美國(guó)的IBM公司合作，后者前兩年就演示過(guò)2nm工藝，但I(xiàn)BM的2nm工藝還停留在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別，距離量產(chǎn)要很遠(yuǎn)。
2023-04-14 10:24:55507 BCR20PM-14LJ 數(shù)據(jù)表
2023-04-04 18:41:470 其實(shí)就目前的情況（截止2022年）而言，現(xiàn)實(shí)和他們想的相反，在很多軍工領(lǐng)域，我國(guó)現(xiàn)役軍備里的芯片反而比美帝要先進(jìn)，實(shí)際情況大概率是美國(guó)戰(zhàn)斗機(jī)用90nm芯片，我國(guó)用45nm。
2023-03-31 09:41:024408 設(shè)計(jì)EDA工具團(tuán)隊(duì)聯(lián)合國(guó)內(nèi)EDA企業(yè)，共同打造了14nm以上工藝所需EDA工具，基本實(shí)現(xiàn)了14nm以上EDA工具國(guó)產(chǎn)化，預(yù)計(jì)2023年將完成對(duì)其全面驗(yàn)證。 此外，華為的MetaERP將會(huì)完全用自己的操作系統(tǒng)、數(shù)據(jù)庫(kù)、編譯器和語(yǔ)言，做出自己的管理系統(tǒng)MetaERP軟件。 美國(guó)芯片法案限制
2023-03-27 16:27:184778 華為終端 BG COO 何剛在發(fā)布會(huì)后的采訪(fǎng)表示，華為這幾年克服了很多困難。隨著各項(xiàng)供應(yīng)恢復(fù)穩(wěn)定，華為產(chǎn)品發(fā)布的節(jié)奏也終于回歸正常。
2023-03-27 11:23:51865 
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