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JEDEC發(fā)布DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)的DDR3L規(guī)范

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請(qǐng)問STM32MP135裸機(jī)開發(fā)DDR怎么配置?

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2024-03-06 10:17:540

DDR4信號(hào)完整性測(cè)試要求

DDR5已經(jīng)開始商用,但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào),對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格,JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463

DDR1/2/3數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)原理詳解

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2023-11-29 15:39:101470

存儲(chǔ)器廠強(qiáng)攻DDR5產(chǎn)品 后市可期

對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展,威剛表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨,主要來自pc,隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高,明年上半年ddr5將超過ddr4,形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上,ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%,從威強(qiáng)的情況來看,ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217

DDR3存儲(chǔ)廠迎漲價(jià)商機(jī) 華邦、鈺創(chuàng)、晶豪科等訂單涌進(jìn)

法人方面解釋說:“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導(dǎo),因此,中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下,臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲,給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405

DDR3相較于DDR2有哪些特點(diǎn)?其設(shè)計(jì)規(guī)范有哪些?

存儲(chǔ)器一般來說可以分為內(nèi)部存儲(chǔ)器(內(nèi)存),外部存儲(chǔ)器(外存),緩沖存儲(chǔ)器(緩存)以及閃存這幾個(gè)大類。內(nèi)存也稱為主存儲(chǔ)器,位于系統(tǒng)主機(jī)板上,可以同CPU直接進(jìn)行信息交換。
2023-11-04 17:53:251406

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885

美光科技發(fā)布1β制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)的16Gb DDR5存儲(chǔ)器,領(lǐng)先業(yè)界

。美光 1β DDR5 DRAM 可擴(kuò)大運(yùn)算能力,并以更高性能輔佐資料中心及客戶端平臺(tái),支持 AI 訓(xùn)練及推論、生成式 AI、資料分析、存儲(chǔ)器資料庫等。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品在現(xiàn)有模組化密度中,速率可達(dá) 4800MT/s 至 7200MT/s,適用于資料中心及客戶端應(yīng)用。
2023-10-19 16:03:00387

闡述DDR3讀寫分離的方法

DDR3是2007年推出的,預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516

i.mx6ul板4G通信移植與使用

處理提供多種存儲(chǔ)器接口,其中包括16位lpddr2,ddr3,ddr3l,nand flash,nor flash,emmc,具有qspi spi接口可與廣泛的外設(shè)進(jìn)行連接,如wifi、藍(lán)牙、gps、顯示屏及攝像頭等。
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的pmu,降低了外接電源的復(fù)雜性,并簡化了上電時(shí)序。這個(gè)系列的每個(gè)處理提供多種存儲(chǔ)器接口,其中包括16位lpddr2,ddr3ddr3l,nand flash,nor flash,emmc,具有
2023-10-09 06:23:56

DDR3DDR4存儲(chǔ)器學(xué)習(xí)筆記

DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之,是更高速率,更低電壓,更密的存儲(chǔ)密度,從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488

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摘要:本文將對(duì)DDR3DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088

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2023-09-19 14:49:441478

DDR3的規(guī)格書解讀

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2023-09-15 15:30:09629

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為什么DDR3/4不需要設(shè)置input delay呢?

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DDR3數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)程序函數(shù)
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關(guān)于MCU200T的DDR3的配置和原理圖的問題

MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細(xì)的介紹。 在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹 在schematic文件中也沒有明確表明每個(gè)接口的具體信息
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從里可以找到DDR200T的DDR3的配置和約束文件?

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內(nèi)存設(shè)備: ?雙倍數(shù)據(jù)速率3DDR3)SDRAM。 ?低壓DDR3 SDRAM。 ?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM
2023-08-02 08:30:00

PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用

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2023-07-24 09:50:470

DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR的區(qū)別

DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362

關(guān)于DDR3設(shè)計(jì)思路分享

DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大,必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312

高速設(shè)計(jì):用于DDR3/DDR4的xSignal

DDR4
Altium發(fā)布于 2023-06-25 17:49:32

DDR基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

DDRDDR SDRAM的簡稱,只是人們習(xí)慣了稱之為DDR,全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,中文名為:雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,同步是指需要時(shí)鐘。
2023-06-25 15:06:404898

DDR信號(hào)的處理

注意,這里的DDR指的是Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06781

基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲(chǔ)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲(chǔ)資源無法滿足存儲(chǔ)需求,因此需要配置外部存儲(chǔ)器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比,DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電,能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求,因此
2023-06-08 03:35:011024

紫光同創(chuàng)FPGA入門指導(dǎo):DDR3 讀寫——紫光盤古系列50K開發(fā)板實(shí)驗(yàn)教程

一、實(shí)驗(yàn)要求 生成 DDR3 IP 官方例程,實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫控制,了解其工作原理和用戶接口。 二、DDR3 控制簡介 PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制
2023-05-31 17:45:39

使用帶有ECC芯片的4GB DDR3 RAM連接到T1040處理DDR控制,未能成功生成DDR地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤的原因?

我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理 DDR 控制。 我嘗試了這個(gè)序列,但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤: 步驟1: ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03

DDR VIP模型的無縫快速初始化

DDR 驗(yàn)證是任何 SoC 中最關(guān)鍵和最復(fù)雜的任務(wù)之一,因?yàn)樗婕拔挥?DUT 內(nèi)部的控制器和位于板載 DUT 外部的外部 DDR 存儲(chǔ)器。在這里,我們將討論 DDR VIP 模型的快速初始化。
2023-05-29 09:10:46772

跳過DDR VIP模型的初始化

1 – DDR3 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-3F 狀態(tài)圖和圖 2 – DDR4 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-4 狀態(tài)圖所示。
2023-05-26 18:02:27995

紫光同創(chuàng)FPGA入門指導(dǎo):DDR3 讀寫——紫光盤古系列50K開發(fā)板實(shí)驗(yàn)教程

數(shù)據(jù)速率 800Mbps 一、實(shí)驗(yàn)要求 生成 DDR3 IP 官方例程,實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫控制,了解其工作原理和用戶接口。 二、DDR3 控制簡介 GL50H 為用戶提供一套完整的 DDR
2023-05-19 14:28:45

MAX17000A是一款存儲(chǔ)器

MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制為筆記本電腦的DDRDDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓以及一路基準(zhǔn)緩沖,能夠產(chǎn)生
2023-05-17 09:48:45

想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎?

你好 : 專家,我們想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎?
2023-05-17 08:13:46

Imx6ul ddr時(shí)鐘如何修改?

我們使用 mx6ul 14x14_evk 板和 DDR3L。 通過在 u-boot 中設(shè)置 mx6ul_14x14_evk_defconfig,DDR3L 時(shí)鐘運(yùn)行在 400MHZ。 我們想將
2023-05-08 08:44:36

在i.MX6 SOLO中有沒有辦法讀取芯片DDR3的大?。?/a>

DDR SDRAM與SDRAM的區(qū)別

DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng),直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍;如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867

DDR3-P-E3-UT1

SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46

DDR3-P-E3-U1

IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16

在哪里可以找到i.MX8 QXP DDR3L-1866驗(yàn)證板的設(shè)計(jì)文件?

我正在開發(fā)帶有 i.MX8 QXP MCU 的新板,將使用帶 ECC 的 DDR3L。在文檔 i.MX8 QM / i.MX8 QXP 硬件開發(fā)人員指南中,有一些針對(duì) fly-by 拓?fù)渲械?16
2023-03-23 09:08:52

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