醫(yī)療刺激裝置如何通過外部存儲器來實現(xiàn)高性能

隨著技術(shù)的不斷進步，消費類、便攜式醫(yī)療設(shè)備的功能越來越強大，越來越完善，極大地提高了準(zhǔn)確性、可靠性、連接性和易用性，同時保證了用戶健康信息的安全性，價格也合理。這些全新的高級功能需要更強的處理能力、安全性和連接性。日益增長的復(fù)雜性也要求固件/軟件代碼擴展，反過來不僅增加了代碼，而且還提升了數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的存儲器需求。這些增強功能，增加了系統(tǒng)的功耗預(yù)算，矛盾的是，緊湊外型的便攜式醫(yī)療設(shè)備要求超長電池壽命，需要降低功耗。

系統(tǒng)架構(gòu)師面臨的首要挑戰(zhàn)是，確定合適的片上系統(tǒng)（SoC）或MCU作為系統(tǒng)的核心。它必須能夠提供所需的性能，還要降低整個系統(tǒng)的功耗預(yù)算。此外外部存儲器、傳感器和遙測接口等外設(shè)也要考慮進來，因為外設(shè)性能不佳，可能對系統(tǒng)總體性能產(chǎn)生負(fù)面影響，抵消高性能內(nèi)核的價值和優(yōu)勢。外設(shè)的性能必須與SoC/MCU的性能相當(dāng)，還必須能夠?qū)崿F(xiàn)緊湊的外型和高效的能量供應(yīng)。

SoC/MCU通常集成兩種類型的存儲器：閃存和SRAM。閃存是一種寫入相對緩慢的非易失性存儲器，支持有限的寫入周期數(shù)。它用于保存固定或緩慢變化的數(shù)據(jù)，如應(yīng)用代碼、系統(tǒng)信息和/或后處理的用戶數(shù)據(jù)日志。相比之下，SRAM是一種快速訪問的易失性存儲器，提供無限的寫入周期耐久度。它用于存儲運行時系統(tǒng)數(shù)據(jù)。

隨著系統(tǒng)復(fù)雜性不斷增加，包括多個數(shù)學(xué)函數(shù)和算法的復(fù)雜代碼也隨之增加，片上存儲器內(nèi)存容量可能不足。因此，便攜式醫(yī)療系統(tǒng)通常需要額外的存儲空間，以便設(shè)計人員使用外部存儲器來增加內(nèi)部存儲器的空間。圖1所示的原理圖顯示了醫(yī)療刺激裝置如何使用外部存儲器來支持高級功能。

圖1：使用外部存儲器來支持高級功能的醫(yī)療刺激裝置原理圖

低功耗外部存儲器可用于RAM擴展，通常是具有極低工作電流和待機電流的SRAM。非易失性存儲器的主要選項包括串行閃存、EEPROM、MRAM和FRAM。串行閃存具有低成本和高密度的特點，因而廣泛應(yīng)用于非易失性程序和數(shù)據(jù)的存儲擴展。

然而閃存的能耗較高，極大地降低了電池供電設(shè)備的工作壽命。為了節(jié)約能源，一些應(yīng)用將部分閃存替換成EEPROM。然而這種方法仍然對電池不利，尤其是在涉及對EEPROM的大量寫入操作時。此外這種方法還使應(yīng)用代碼設(shè)計復(fù)雜化。MRAM具有無限寫入耐久度，是非易失性存儲器的另一種替代方案。然而MRAM的工作電流和待機電流非常高，并且易受磁場的影響，會損壞存儲數(shù)據(jù)，因此MRAM不能用于電池供電的醫(yī)療設(shè)備。

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PrimeCell AHB SRAM/NOR存儲器控制器（PL241）技術(shù)參考手冊

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2023-08-02 06:26:35

ADSP-21992BSTZ是一款存儲器

ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN

2023-07-14 16:00:59

半導(dǎo)體存儲器的介紹與分類

2023-07-12 17:01:13

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RA6快速設(shè)計指南 [11] 存儲器 (3)

8 存儲器 8.5 外部存儲器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲器和器件的外部數(shù)據(jù)總線。某些產(chǎn)品還包括一個內(nèi)置的SDRAM控制器，可通過該控制器使用最高達128MB的外部SDRAM。八個可編程

2023-06-28 12:10:02

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回顧易失性存儲器發(fā)展史

易失性存儲器的發(fā)展歷程繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是

2023-06-28 09:05:28

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PLC系統(tǒng)的存儲器分類介紹

PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。

2023-06-26 14:02:45

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半導(dǎo)體存儲器簡介

半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有

2023-06-25 14:30:18

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RA6快速設(shè)計指南 [9] 存儲器 (1)

該控制器訪問連接到外部存儲器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲器共用地址空間；使用單獨的總線分別訪問這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲器映射中包含片上RAM、外設(shè)

2023-06-21 12:15:03

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如何保存數(shù)據(jù)在SRAM存儲器中通過SW?

************************************************* ************************************* * 詳細說明： * 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過

2023-06-05 09:47:48

電路板在醫(yī)療控制器中的作用有哪些？

和診斷策略朝著自動化方向發(fā)展。因此，需要更多涉及PCB組裝的工作來改進行業(yè)中的醫(yī)療設(shè)備。隨著人口老齡化，PCB組裝在醫(yī)療行業(yè)中的重要性將持續(xù)增長。目前，PCB在MRI等醫(yī)學(xué)成像設(shè)備和心臟起搏器

2023-05-26 14:30:14

SD卡外部存儲使用方法

Android`設(shè)備支持外部存儲，比如`SD`卡等，保存在外部存儲的數(shù)據(jù)具有全局可讀性，可供在其他設(shè)備比如電腦上閱讀，修改等。使用外部存儲需要獲取外部存儲的訪問權(quán)限`

2023-05-26 11:32:53

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外部存儲和內(nèi)部存儲的區(qū)別

Android中根據(jù)數(shù)據(jù)是否為應(yīng)用私有、是否需要給外部應(yīng)用暴露以及數(shù)據(jù)的大小可以有以下幾種選擇： * Shared Preferences * 內(nèi)部存儲 * 外部存儲 * 本地數(shù)據(jù)庫存儲 * 通過網(wǎng)絡(luò)在服務(wù)器端數(shù)據(jù)庫存儲

2023-05-26 11:30:29

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SOC設(shè)計之外部存儲器

主存儲器的主要技術(shù)指標(biāo) * **存儲容量** 存儲器可以容納的二進制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定） * **實際存儲容量：** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。 * **存取速度：** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間，也稱為讀寫周期；

2023-05-26 11:28:10

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什么是外部存儲器

磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量

2023-05-26 11:27:06

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單板硬件設(shè)計：存儲器（ NAND FLASH)

上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構(gòu)給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補充電荷，這個就叫動態(tài)刷新，所以稱其為動態(tài)隨機存儲器

2023-05-19 15:59:37

單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？

單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？

2023-05-10 15:17:56

C51中如何通過一個外部中斷和定時器來實現(xiàn)對速度的檢測？

C51中如何通過一個外部中斷和定時器來實現(xiàn)對速度的檢測？我的硬件設(shè)計思路是：車輪每轉(zhuǎn)六分之一周，硬件部分則向單片機發(fā)一個脈沖信號。我的問題是：如何得到“速度=距離/時間”中的距離和時間。是不是一定要同時使用一個外部中斷和一個定時器？

2023-05-08 16:14:13

如何將i.MX RT1024與外部64MB SDRAM一起使用？

我想將 i.MX RT1024 與外部 64MB SDRAM 一起使用。根據(jù)數(shù)據(jù)表，它支持 8/16 位 SDRAM 外部存儲器接口。從性能的角度來看，哪種模式更好？如何？如果有任何鏈接/參考可以通過此詳細信息，請告訴我。謝謝

2023-05-05 11:17:30

如何為RT1172選擇FLASH存儲器？

通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？

2023-04-27 06:03:21

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA （外設(shè)到存儲器）

關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。

2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA （存儲器到外設(shè)）

。關(guān)于DMA存儲器到外設(shè)傳輸方式，程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH中，然后通過DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存器，然后通過串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機顯示出來。

2023-04-20 16:35:13

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA（存儲器到存儲器）

本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。

2023-04-17 15:28:08