支持PD3.1與QC2.0快充充電器誘騙取電芯片在應(yīng)用方面也具有廣泛性。除了可以應(yīng)用于智能手機等移動設(shè)備外，還可以應(yīng)用于平板電腦、筆記本電腦等其他設(shè)備。同時，由于其支持多種快充技術(shù)，因此可以適用于各種
2024-03-12 15:10:50
求助，用USB-C端口實現(xiàn)快充及高清音視頻傳輸
2024-01-24 06:52:48
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
一個IGBT用不同的驅(qū)動板會得到不一樣的效果嗎？為什么？ 當(dāng)使用不同的驅(qū)動板驅(qū)動同一個 IGBT 時，會產(chǎn)生不同的效果。這是因為驅(qū)動板在控制 IGBT 的開關(guān)過程中起著重要的作用，不同的驅(qū)動板具有
2024-01-15 11:26:04
355
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅(qū)動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:29254 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，由氮氣和金屬鎵反應(yīng)得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性，因此在電子器件、光電器件、化學(xué)傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將從氮化鎵的制備方法、特性、應(yīng)用等方面進行詳細(xì)介紹
2024-01-10 10:06:30194 氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料，受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:21944 氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢
2024-01-09 18:06:36294 CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20719 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302309 氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？ 氮化鎵（GaN）充電器被廣泛認(rèn)為是下一代充電器技術(shù)的關(guān)鍵。與傳統(tǒng)充電器相比，氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢，比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而，有些人擔(dān)心
2023-11-21 16:15:271663 SycoTec電動自動換刀高速電主軸技術(shù)具有高可靠性、智能化、高效性，可縮短換刀時間、減少換刀失誤、提高生產(chǎn)效率、降低成本，且可實現(xiàn)無人化操作，隨著制造業(yè)的發(fā)展，將會得到更廣泛的應(yīng)用。
2023-11-13 13:39:28394 
鎵技術(shù)在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下具有優(yōu)異的表現(xiàn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件、射頻器件等領(lǐng)域。
2023-11-07 15:48:01196 支持QC快充的設(shè)備在5v時設(shè)備會在usb主動輸出差分電壓，這個時候根據(jù)差分電壓來改變電壓嗎
2023-11-01 06:15:20
隨著科技的不斷進步，電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點，已經(jīng)開始在各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹120W氮化鎵芯片的特點及其應(yīng)用場景，同時探討該技術(shù)的未來發(fā)展方向。
2023-10-27 13:47:52296 隨著各大手機和筆記本電腦品牌紛紛進入氮化鎵快充市場，氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證，同時也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場的普及。目前，快充源市場上氮化鎵主要以三種形式使用，即GaN單管功率器件、內(nèi)置驅(qū)動器的GaN功率芯片以及內(nèi)置控制器、驅(qū)動器和GaN功率器件的封裝芯片。其中，GaN單管功率器件發(fā)展最快
2023-10-23 16:38:59292 直流電技術(shù)的互聯(lián)網(wǎng)連接系統(tǒng)，具有高效、穩(wěn)定、安全等優(yōu)點，因此在未來將會得到廣泛應(yīng)用。本文將從柔直互聯(lián)系統(tǒng)的定義、特點、應(yīng)用場景等方面進行詳細(xì)介紹，以期幫助讀者更好
2023-10-18 22:32:50
在當(dāng)今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:23476 
推出非常關(guān)鍵的同步整流控制器，解決了氮化鎵快充的全部難點。在移動電源領(lǐng)域，智融同樣不斷克服技術(shù)難題，推出同步升降壓控制器、協(xié)議芯片、SoC 芯片等產(chǎn)品，致力于為客戶提供端到端的全套解決方案。
2023-09-18 15:52:03
GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能塑造未來的電信技術(shù)。
2023-09-14 10:22:36647 
英集芯IP5356——全面掌握未來快充技術(shù)的移動電源SOC民信微在這個充滿變化與挑戰(zhàn)的時代，英集芯IP5356以全新視角，定義了移動電源的未來。它不僅支持高低 壓SCP、雙向PD3.0等
2023-09-12 20:50:39
集成了多種快充協(xié)議的移動電源SOC IC，讓你的充電速度提升，讓充電變得更加方便。 這款芯片支持雙向PD3.0快充等多種協(xié)議，民信微讓你的充電速度更快、更
2023-09-07 20:43:18
都可以快充
2：A1+A2（+C1）同時使用都是轉(zhuǎn) 5V 放電
二：SW7201+MCU（帶協(xié)議），A1C1C2 單路，四串電池（16.8V）
1: A1（22.5W）C1（100W）C2（100W
2023-09-07 15:26:56
固態(tài)電池作為一種新興的能源存儲技術(shù)，具有廣闊的產(chǎn)業(yè)化前景。隨著科技的不斷進步，固態(tài)電池將會得到更廣泛的市場化推廣與應(yīng)用，并成為未來能源存儲領(lǐng)域的重要力量。
2023-09-05 11:24:121851 工業(yè)LCD生產(chǎn)看板也在不斷升級和完善。未來，工業(yè)LCD生產(chǎn)看板將會更加智能化、集成化和個性化。 首先，工業(yè)LCD生產(chǎn)看板將會更加智能化。未來的工業(yè)LCD生產(chǎn)看板將具備更強的計算能力和智能化分析能力，能夠?qū)崟r收集、分析和處理生產(chǎn)數(shù)據(jù)，為生產(chǎn)管理提供更加精準(zhǔn)的數(shù)據(jù)支持
2023-08-25 16:49:11225 
生長氮化鎵薄膜，形成GaN基礎(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)。由于氮化鎵材料的性質(zhì)優(yōu)良，GaN技術(shù)被廣泛應(yīng)用于LED、高頻功率放大器、射頻器件等領(lǐng)域。
2023-08-22 15:17:312375 降低了產(chǎn)品成本。搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調(diào)試方便、高頻工作實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點，可以簡化設(shè)計，降低GaN快充的開發(fā)難度，有助于實現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設(shè)計。 Keep Tops氮化鎵內(nèi)置多種
2023-08-21 17:06:18
。未來，XR虛擬制作技術(shù)將在以下幾個方面實現(xiàn)進一步的發(fā)展： 更高的視覺質(zhì)量 隨著顯示技術(shù)和光效技術(shù)的不斷進步，XR虛擬拍攝的視覺質(zhì)量將得到進一步提升。未來的LED顯示屏將具備更高的分辨率、更高的刷新率和更低的延遲，提供更加逼真、流暢的虛擬背景。
2023-08-15 17:51:00298 表情識別技術(shù)將會更加智能化和自適應(yīng)化，能夠處理更加復(fù)雜的場景和數(shù)據(jù)，從而提高識別準(zhǔn)確率和可靠性。 其次，面部表情識別的應(yīng)用將會不斷拓展。未來，面部表情識別技術(shù)將會應(yīng)用于更多領(lǐng)域，如安全、教育、醫(yī)療、社交媒體等
2023-08-09 16:16:10307 充電10分鐘，續(xù)航400公里，新能源汽車高壓快充時代來了！
2023-07-31 11:11:26
26寸透明屏具有透明度高、色彩鮮艷、清晰度高等特點，可以廣泛應(yīng)用于商業(yè)展示、戶外廣告、智能家居等領(lǐng)域。隨著科技的不斷進步，透明屏技術(shù)將會得到更廣泛的應(yīng)用和發(fā)展。
2023-07-25 14:02:32226 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC，原裝現(xiàn)貨 型號：NCP1342品牌：安森美封裝:SOIC-8 ,SOIC-9
2023-07-11 11:31:20
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片特性集成高壓啟動電路，帶停電檢測集成X2電容放電
2023-07-05 15:38:22
尊敬的讀者，今天我將向大家介紹一款專為高效能PD/快充應(yīng)用而設(shè)計的多模式PWM控制器——MK2687。該控制器具備多項特性，可為功率傳遞和快速充電提供卓越的性能。
MK2687的突出特點之一是其
2023-06-25 14:50:18
器件，因為其產(chǎn)量不斷在增加、可靠性得到認(rèn)證和價格持續(xù)下降。
此時，氮化鎵技術(shù)不再是一個“科學(xué)項目”，而是在15 V~650 V的應(yīng)用中廣泛替代硅MOSFET器件。
結(jié)論
當(dāng)今的氮化鎵技術(shù)在性能、可靠性
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
最新的移動充電:拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)和性能
2023-06-21 08:53:04
做了一塊sw3518s100W全協(xié)議快充開始很好沒問題，現(xiàn)在觸發(fā)快充十幾秒就保護重啟 普通充電沒問題，重啟時安全插座燈亮跟短路樣。大神們幫看下哪里的問題。謝謝了！
附上圖紙，圖紙4個mos管用的都是swt40n45d3n溝道m(xù)osfet管。
2023-06-19 14:55:43
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
支持65W快充，并可支持三臺設(shè)備同時充電，相當(dāng)實用。下面就帶來這款充電器的拆解，看看內(nèi)部的用料和做工。
橙果65W氮化鎵充電器外觀
這款充電器采用時下主流長方體造型，機身主體外殼磨砂抗指紋，整體簡潔
2023-06-16 14:05:50
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機充電器?應(yīng)用實例：高性能電機驅(qū)動器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的電壓，其漏極漂移區(qū)為10-20μm，或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而，氮化鎵器件目前仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于約300V/μm的禁帶寬度極限，這為未來的優(yōu)化和改進，留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
SW6206 15W 無線充+快充移動電源方案
這是一款快充移動電源+15W 無線充電的解決方案，采用智融科技 SW6206 雙向快充芯片搭配 14PIN MCU 組成，并使用賽芯微 XB8886
2023-06-08 16:16:25
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍(lán)、綠、白光LED，廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:467176 1.概述
XSP16 是一款集成 USB Power Delivery PD3.1 快充協(xié)議、PD2.0/3.0 快充協(xié)議、QC2.0/3.0 快充協(xié)議、華為 FCP 協(xié)議和三星 AFC 協(xié)議
2023-06-01 22:14:22
今年3月底魅族的新品發(fā)布會發(fā)布了PANDAER 67W GaN變速箱潮充，其采用與上一代相同的透明變速箱設(shè)計語言，最大輸出功率則由65W提升至67W，USB-A口也升級支持UFCS融合快充。效果
2023-05-30 11:27:26
供應(yīng)XPD319BP36 36W和36W以內(nèi)vooc快充協(xié)議芯片-支持OPPO VOOC2.0快充，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 14:36:56
供應(yīng)XPD319BP25 25w快充協(xié)議芯片無VBUS MOS-華為FCP/SCP 快充協(xié)議 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 13:49:55
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:13:51
供應(yīng)XPD318A 20w快充協(xié)議芯片支持蘋果20w 快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域， 更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-26 11:20:39
供應(yīng)1XPD318B18 18w快充協(xié)議芯片支持 PD/PPS/QC/FCP/SCP/AFC/VOOC/BC1.2等快充協(xié)議，，XPD318 是一款集成 USB Type-C、USB
2023-05-26 11:00:25
SW2327是-款高集成度的Type-C口/Type-A口快充協(xié)議芯片，支持VOOC4.0/PD3.1、QC5.0、FCP、高低壓SCP、AFC、SFCP以及PE等主流快充協(xié)議，支持光耦反饋和FB
2023-05-25 14:38:50
SW3562了支持140W快充輸出的協(xié)議芯片，分別是支持1A+1C接口，兩款芯片均支持私有快充協(xié)議，滿足20V7A，140W輸出功率。
SW3562支持非常廣泛的快充協(xié)議，并支持VOOC4.0私有快
2023-05-25 14:26:23
iMX8M Plus USB口快充/快充嗎？
2023-05-19 06:37:37
工業(yè)RFID電子紙標(biāo)簽是一種可靠的解決方案，可以提高制造和物流的可視化程度和管理效率。在未來，隨著科技的不斷進步，電子標(biāo)簽技術(shù)將會得到更加廣泛的應(yīng)用和發(fā)展。
2023-05-17 13:44:01244 萬能拉力試驗機是一種極為重要的實驗設(shè)備，為各個工業(yè)領(lǐng)域的材料測試和質(zhì)量控制提供了關(guān)鍵性的支持。它的發(fā)展使得產(chǎn)品設(shè)計和制造更加科學(xué)化和精準(zhǔn)化。隨著時代的進步和科技的不斷創(chuàng)新，萬能拉力試驗機將會得到更加廣泛和深入的應(yīng)用，為工業(yè)生產(chǎn)帶來更多的變革和突破。
2023-05-11 16:31:49293 
1.概述
XSP06 是一款集成 USB Power Delivery（PD2.0/3.0）快充協(xié)議，QC3.0/2.0 快充協(xié)議，和三星 AFC 快充協(xié)議（兼容 BC1.2）的 USB 多功能
2023-05-11 15:40:45
在推動更多應(yīng)用的開發(fā)和使用方面發(fā)揮積極作用。
與物聯(lián)網(wǎng)的結(jié)合：5G網(wǎng)絡(luò)和物聯(lián)網(wǎng)的結(jié)合，將會使物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)速變得更加快捷和穩(wěn)定，這會促進物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的創(chuàng)新和推廣，未來還可能有更多的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備被廣泛應(yīng)用。
2023-05-08 16:08:3911946 隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，Mini Fakra連接器作為一種關(guān)鍵的電子元器件，已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。Mini Fakra連接器可以將不同的電子元器件進行有效的連接，實現(xiàn)電子信號的傳輸和處理
2023-04-28 18:08:48331 
本帖最后由 haiwen1314526 于 2023-5-5 10:00 編輯
XSQ10 是一款集成 USB-A 或 Type-C 的 QC2.0/3.0 快充協(xié)議、華為 FCP 協(xié)議快充
2023-04-28 11:39:15
PL84052，在對其深度優(yōu)化后，再度簡化降壓轉(zhuǎn)換器的Demo外圍電路后，使快充產(chǎn)品的工程師更加容易調(diào)教和應(yīng)用的降壓轉(zhuǎn)換器PL84052，方便其設(shè)計新的快充產(chǎn)品，加快廠商開發(fā)出新的快充產(chǎn)品上市，以取得PD快充
2023-04-14 09:21:22
產(chǎn)品特色： 本產(chǎn)品是低成本、已量產(chǎn)的65W多口氮化鎵PD快充頭，可以與市場上18~65W的產(chǎn)品需求兼容，由于極優(yōu)的價格，本產(chǎn)品與市場上的低功率充電器成本沒有顯著的價格差距，可以拿下
2023-04-12 17:34:59
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場需求，正因為如此斯利通現(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401363 
IP6520 具有過流點自動調(diào)節(jié)功能，當(dāng)高壓 SCP,快充協(xié)議握手成功后，最大支持 10V/2.25A輸出 。當(dāng) IP6520的 Type-C接口連的設(shè)備支持高壓 SCP 時， 優(yōu)先輸出高壓 SCP
2023-04-07 20:48:19
智融SW3536是一顆支持1A1C雙USB口輸出的降壓控制器芯片，內(nèi)置多快充協(xié)議，支持雙口功率盲插，支持雙口獨立限流。內(nèi)置的同步降壓轉(zhuǎn)換器支持7A大電流輸出，可使用氮化鎵開關(guān)管，以獲得更小的體積
2023-04-04 17:53:37
，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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