1、 正向偏置安全工作區(qū)正向偏置安全工作區(qū),如圖4所示。它是由最大漏源電壓極限線I、最大漏極電流極限線Ⅱ、
2017-10-26 11:35:19
9709 
海飛樂(lè)技術(shù)20V MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開(kāi)關(guān)用
2020-03-03 17:36:16
的是,MOSFET的寄生二極管或體二極管的恢復(fù)特性比業(yè)界目前使用的分立二極管要緩慢。因此,對(duì)于硬開(kāi)關(guān)MOSFET應(yīng)用而言,體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來(lái)說(shuō),IGBT組合封裝二極管
2018-08-27 20:50:45
MOSFET(MOS管)中的“開(kāi)關(guān)”時(shí)間可以改變電壓?jiǎn)幔?
2023-05-16 14:26:16
.MOSFET的 工作原理 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-06-14 00:37:57
金屬-氧化層半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路
2020-07-06 11:28:15
`MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)大全`
2012-08-06 12:23:46
`MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)大全`
2012-08-17 15:47:18
在做電機(jī)驅(qū)動(dòng)的時(shí)候很多人會(huì)用到MOSS管在這里詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路
2016-01-20 14:15:56
MOSFET管的耐壓在150左右,電流在80A左右,MOSFET管怎么選擇?什么型號(hào)的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝??
2016-12-24 14:26:59
規(guī)格書(shū)中最大脈沖電流會(huì)定義在最大持續(xù)電流的4倍,并且隨著脈沖寬度的增加,最大脈沖電流會(huì)隨之減少,主要原因就是MOSFET的溫度特性,這一點(diǎn)可以從之后講到的安全工作區(qū)圖形中清楚看到。理想情況下,理論上
2018-07-12 11:34:11
類(lèi)型?! ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的工作原理: MOSFET是一種可控制的三極管,由 Gate(門(mén)) 、 Drain(漏極)和Source(源極)構(gòu)成。當(dāng)在Gate上施加一個(gè)能通過(guò)MOSFET的電壓,則形成電場(chǎng)
2023-03-08 14:13:33
與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等
2018-12-28 15:44:03
文章,這么看來(lái),也不算是巧合)之外,我被問(wèn)到的最多的問(wèn)題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地帶,這是因?yàn)槊總€(gè)供應(yīng)商都有各自生成SOA曲線的方法,并且在提供有
2018-09-05 15:37:29
什么是MOSFET管?由哪幾部分組成?MOSFET的主要參數(shù)是什么?如何選型?
2022-02-23 06:57:53
SOA是“Safety Operation Area”的縮寫(xiě),意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。?有五個(gè)SOA的制約要素,不滿足其中任何一個(gè)要素的要求都有可能會(huì)造成損壞
2022-07-26 18:06:41
內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列與標(biāo)準(zhǔn)型AN系列相比,trr速度提高至約1/5。同時(shí),反向恢復(fù)電流Irr也降低至約1/3。這些特性的提升
2018-11-28 14:27:08
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
著一定的飽和程度,也對(duì)應(yīng)著跨導(dǎo)限制的最大電流。恒流區(qū)也被稱為放大區(qū),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET也可以作為信號(hào)放大元件,可以工作在和三極管相類(lèi)似的放大狀態(tài),MOSFET的恒流區(qū)就相當(dāng)于三極管的放大區(qū)。另外恒流區(qū)還可
2016-12-21 11:39:07
。SOA的溫度降低方法雙極晶體管篇??MOSFET篇※降低的溫度基本是元件的溫度。關(guān)于元件溫度的詳細(xì)計(jì)算方法,請(qǐng)參照 "元件溫度的計(jì)算方法" 。附屬 SOA(安全工作區(qū)域)的溫度降低
2019-05-05 09:27:01
)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率
2012-07-09 10:01:42
)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率
2012-07-09 11:53:47
的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。由此可知,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定:——IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓
2018-10-18 10:53:03
和Flyback等電路(對(duì)MOSFET體二極管沒(méi)有要求),因?yàn)長(zhǎng)LC電路工作過(guò)程中,MOSFET的體二極管要參與大電流的過(guò)程,因此LLC電路中的MOSFET對(duì)體二極管參數(shù)有了很高的要求。以下
2019-09-17 09:05:04
,稱為安全工作區(qū),如下圖所示。安全工作區(qū)可以避免管子因結(jié)溫過(guò)高而損壞。圖2 器件手冊(cè)SOA曲線圖示波器的測(cè)試應(yīng)用非常簡(jiǎn)單,使用電壓、電流探頭正常測(cè)試開(kāi)關(guān)管的VDS和IDM,并打開(kāi)SOA分析功能,對(duì)照
2019-02-18 22:40:00
損耗的限制形成一個(gè)工作區(qū)域,稱為安全工作區(qū),如下圖所示。安全工作區(qū)可以避免管子因結(jié)溫過(guò)高而損壞。2、器件手冊(cè)SOA曲線圖:示波器的測(cè)試應(yīng)用非常簡(jiǎn)單,使用電壓、電流探頭正常測(cè)試開(kāi)關(guān)管MOS管的VDS
2019-04-08 13:42:38
工作區(qū),如下圖所示。安全工作區(qū)可以避免管子因結(jié)溫過(guò)高而損壞。圖2 器件手冊(cè)SOA曲線圖示波器的測(cè)試應(yīng)用非常簡(jiǎn)單,使用電壓、電流探頭正常測(cè)試開(kāi)關(guān)管的VDS和IDM,并打開(kāi)SOA分析功能,對(duì)照數(shù)據(jù)手冊(cè)
2017-11-17 16:46:03
壓,則會(huì)在氧化層下方形成空穴通道。增強(qiáng)模式 N 通道N 通道耗盡和增強(qiáng)類(lèi)型的符號(hào)加工n溝道MOSFET的工作原理是假設(shè)大多數(shù)載流子是電子。電子在通道中的運(yùn)動(dòng)負(fù)責(zé)晶體管中的電流。柵極端子的形成需要使用p
2023-02-02 16:26:45
柵極電壓低于10V時(shí),二極管電壓鉗位于各種漏極電流水平。在非線性曲線中見(jiàn)到的彎曲是二極管和歐姆區(qū)之間的轉(zhuǎn)變點(diǎn)。圖6:施加?xùn)艠O電壓時(shí),N溝道MOSFET工作在第三象限的典型特性表1對(duì)N溝道MOSFET和P溝道MOSFET進(jìn)行了比較。表1:N溝道和P溝道MOSFET的比較
2018-03-03 13:58:23
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區(qū)圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說(shuō)明。如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
,而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好,可以說(shuō)是具有極大優(yōu)勢(shì)的開(kāi)關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出,理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高,可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
電壓。導(dǎo)通電阻表示功率MOSFET完全開(kāi)后的電阻,和上述的線性區(qū)工作狀態(tài)并不相同。功率MOSFET的內(nèi)部二極管導(dǎo)通的反向工作狀態(tài),因?yàn)槠銼、D極的電壓為二極管的壓降,因此并沒(méi)有線性區(qū)的過(guò)程,也就
2017-04-06 14:57:20
`<p><font face="Verdana">功率MOSFET管<br/>
2010-08-12 13:58:43
穩(wěn)定一些。這也就是為什么過(guò)了平臺(tái)區(qū)之后,管子不怎么震蕩了,這也和上面這幅圖表達(dá)的含義有關(guān)系的。上面這幅圖相對(duì)來(lái)說(shuō)比較關(guān)鍵。它是MOSFET工作的一個(gè)安全區(qū)域。MOSFET選型的合適與否,就要看上面這幅圖
2021-09-07 15:27:38
MOSFET的安全工作區(qū)為什么SOA對(duì)于熱插拔應(yīng)用非常重要?
2021-03-08 07:49:01
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系,就必須對(duì)這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解,下面我將用最簡(jiǎn)單易懂的語(yǔ)言來(lái)為大家逐一講解。BJT:雙極性晶體管,俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)(以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
運(yùn)動(dòng)。MOSFET的控制柵壓作用于橫跨絕緣層的溝道區(qū),而不像結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管那樣橫跨PN結(jié)。柵極用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)來(lái)絕緣。MOSFET可以是P溝道也可以是N溝道,其工作可以是耗盡型或者增強(qiáng)型
2012-01-06 22:55:02
運(yùn)動(dòng)。MOSFET的控制柵壓作用于橫跨絕緣層的溝道區(qū),而不像結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管那樣橫跨PN結(jié)。柵極用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)來(lái)絕緣。MOSFET可以是P溝道也可以是N溝道,其工作可以是耗盡型或者增強(qiáng)型
2012-12-10 21:37:15
畢設(shè)要求做一個(gè)脈沖發(fā)生器模擬局部放電脈寬需要達(dá)到納秒級(jí)別我的想法是通過(guò)開(kāi)關(guān)器件的高速開(kāi)關(guān)來(lái)產(chǎn)生脈沖,然后用pwm芯片來(lái)控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通現(xiàn)在的問(wèn)題是,納秒級(jí)別,也就是100MHz左右的頻率,用mosfet和基于dds芯片產(chǎn)生的pwm控制信號(hào)可以完成這樣的頻率要求嗎?
2016-04-21 16:01:49
,F(xiàn)IREOUT1為輸出端。三極管那部分的電路輸出和輸入時(shí)一樣是不是起保護(hù)作用?MOSFET的橋式怎么工作的,如何實(shí)現(xiàn)脈沖輸出,請(qǐng)各位幫忙看一看。
2018-01-19 10:32:04
1、功率MOSFET安全工作區(qū)SOA曲線功率MOSFET數(shù)據(jù)表中SOA曲線是正向偏置的SOA曲線,即FBSOA曲線,那么這個(gè)安全工作區(qū)SOA曲線是如何定義的呢?這個(gè)曲線必須結(jié)合前面討論過(guò)的功率
2016-10-31 13:39:12
功率MOSFET管的電流值有哪幾種?如何去選取這些電流值呢?這些電流值又是如何影響系統(tǒng)的呢?
2021-09-08 08:00:58
大于B管,因此選取的MOSFET開(kāi)關(guān)損耗占較大比例時(shí),需要優(yōu)先考慮米勒電容Crss的值。整體開(kāi)關(guān)損耗為開(kāi)通及關(guān)斷的開(kāi)關(guān)損耗之和:從上面的分析可以得到以下結(jié)論:(1)減小驅(qū)動(dòng)電阻可以減小線性區(qū)持續(xù)的時(shí)間
2017-03-06 15:19:01
MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)(1):功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時(shí)的電流/電壓曲線(2):說(shuō)明功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時(shí)的穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn):當(dāng)門(mén)極不加控制時(shí),其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點(diǎn)同二極管。(3):穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
2021-09-05 07:00:00
,二邊的P區(qū)中間夾著一個(gè)N區(qū),由于二個(gè)P區(qū)在外面通過(guò)S極連在一起,因此,這個(gè)結(jié)構(gòu)形成了標(biāo)準(zhǔn)的JFET結(jié)構(gòu)。 4 隔離柵SGT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 功率MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個(gè)相互
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET有二種類(lèi)型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中,選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
簡(jiǎn)單;2.輸入阻抗高,可達(dá)108Ω以上;3.工作頻率范圍寬,開(kāi)關(guān)速度高(開(kāi)關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒),開(kāi)關(guān)損耗小;4.有較優(yōu)良的線性區(qū),并且場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多
2011-12-19 16:52:35
;gt;圖1-6:柵極電荷特性<br/>(8)正向偏置安全工作區(qū)及主要參數(shù)<br/>MOSFET和雙極型晶體管一樣,也有它的安全工作區(qū)
2009-05-12 20:38:45
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
2019-04-10 10:02:53
只能創(chuàng)建一個(gè)工作區(qū)?想創(chuàng)建一個(gè)新的工作區(qū),但是說(shuō)最多只有一個(gè),那要工作區(qū)這個(gè)概念干嘛?
2022-01-04 11:27:07
溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFETP溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET:如果要工作,源極電壓 (VS ) 必須比 柵極電壓 (VG )大,且柵源電壓(VGS)不能小于漏源電壓 (VDS )。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET:如果
2022-09-06 08:00:00
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開(kāi)關(guān)管,TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路,請(qǐng)問(wèn)怎么驅(qū)動(dòng)MOSFET,,,加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答!
2014-11-15 16:35:11
所示。Q1為放電管,使用N溝道增強(qiáng)型MOSFET,實(shí)際的工作中,根據(jù)不同的應(yīng)用,會(huì)使用多個(gè)功率MOSFET并聯(lián)工作,以減小導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)散熱性能。RS為電池等效內(nèi)阻,LP為電池引線電感?! ≌?b class="flag-6" style="color: red">工作
2018-09-30 16:14:38
和研究領(lǐng)域。頻率為20~30kHz,使用可控硅整流器的諧振電源已經(jīng)使用了多年。MOSFET管的出現(xiàn)使電路可以工作在更高的頻率,大量研究人員正著手開(kāi)發(fā)各種頻率為0.3~5MHz的新型諧振電路拓?fù)洹?在
2023-09-28 06:33:09
微波功率管是什么?微波功率管的安全工作區(qū)是什么?微波功率管在使用中會(huì)遇到哪些問(wèn)題?
2021-04-21 07:09:41
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2021-07-29 09:46:38
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2021-10-28 10:06:38
見(jiàn)到的彎曲是二極管和歐姆區(qū)之間的轉(zhuǎn)變點(diǎn)。圖6:施加?xùn)艠O電壓時(shí),N溝道MOSFET工作在第三象限的典型特性。表1對(duì)N溝道MOSFET和P溝道MOSFET進(jìn)行了比較。表1:N溝道和P溝道MOSFET的比較。
2021-04-09 09:20:10
電壓等于0的時(shí)候,漏極電流是等于0.其中JFET中柵級(jí)與襯底之間的PN結(jié)工作在反偏,當(dāng)所有的討論都是基于源級(jí)接地的電路時(shí),當(dāng)耗盡型MOSFET、JFET的柵源電壓大于0時(shí),電流怎么變化,兩種管子工作在
2019-04-08 03:57:38
怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時(shí)出現(xiàn)的問(wèn)題? 來(lái)糾正傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05:04
與歸一化瞬態(tài)熱阻關(guān)系圖SOA注意事項(xiàng)功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中,相關(guān)極限參數(shù)和安全工作區(qū)SOA曲線都是基于工作溫度TC =25 ℃下的計(jì)算值。例如,一款MOS管的BVDSS為600V,但這個(gè)600V
2020-04-22 07:00:00
各位前輩,請(qǐng)問(wèn)關(guān)于晶閘管的安全工作區(qū)(SOA)應(yīng)該怎么刻畫(huà)呢?
2017-06-20 15:40:06
別: MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 80 ns 典型接通延遲時(shí)間: 28 ns MOS管開(kāi)關(guān)MOSFET 和 BJT 的工作區(qū)域的命名有所不同。BJT 中的截止,放大和飽和區(qū)相對(duì)于MOSFET 為截止,飽和,變
2020-03-09 15:36:41
℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時(shí),所能施加的最大的額定電壓,測(cè)試的電路如圖1所示。功率MOSFET的耐壓由結(jié)構(gòu)中低摻雜層的外延層epi厚度N-決定。功率MOSFET的N+源極和P-體區(qū)形成的結(jié)
2023-02-20 17:21:32
MOSFET工作也可以工作在飽和區(qū),即放大區(qū)恒流狀態(tài),此時(shí),電流受到溝道內(nèi)電子數(shù)量的限制,改變漏極電壓不能增加流通電流。功率MOSFET從放大區(qū)進(jìn)入穩(wěn)態(tài)工作可變電阻區(qū),此時(shí),VGS驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)應(yīng)的的放大恒流狀態(tài)
2016-08-15 14:31:59
可以工作在三個(gè)區(qū):關(guān)斷區(qū)、線性區(qū)(恒流區(qū))和可變電阻區(qū),線性區(qū)(恒流區(qū))相當(dāng)于三極管的放大區(qū),有時(shí)候也稱為放大區(qū);可變電阻區(qū)相當(dāng)于三極管的飽和區(qū),在這個(gè)區(qū)域MOSFET基本上完全導(dǎo)通。 當(dāng)驅(qū)動(dòng)開(kāi)通脈沖
2016-11-29 14:36:06
個(gè)寄生的晶體管,當(dāng)IC大到一定程度,寄生晶體管導(dǎo)通,柵極失去控制作用。此時(shí),漏電流增大,造成功耗急劇增加,器件損壞。安全工作區(qū)隨著開(kāi)關(guān)速度增加將減小。 (6)柵極偏置電壓與電阻
2009-05-12 20:44:23
請(qǐng)問(wèn)如何在軟件中找到下圖的MOSFET管?這種MOSFET管型號(hào)是什么?
2021-07-02 20:09:43
小弟是電子初學(xué)者,經(jīng)常在設(shè)計(jì)電路時(shí)MOSFET管出現(xiàn)損壞,請(qǐng)問(wèn)造成MOSFET管損壞有哪些原因?
2019-02-19 10:15:25
從本篇開(kāi)始,介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
減小RDS(on)的值,就需要找到一種對(duì)漂移區(qū)進(jìn)行重?fù)诫s的方法,并大幅減小epi電阻。圖2:平面式MOSFET的電阻性元件通常,高壓的功率MOSFET采用平面型結(jié)構(gòu),其中,厚的低摻雜的N-的外延層,即
2018-10-17 16:43:26
,在實(shí)際應(yīng)用中,TC 的溫度遠(yuǎn)高于 25 度,因此,SOA 曲線是不能用來(lái)作為設(shè)計(jì)的驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。功率 MOSFET 的 SOA 定義,參考文獻(xiàn):功率 MOSFET 安全工作區(qū) SOA:真的安全
2020-03-24 07:00:00
時(shí),IAS和EAS則均大于常規(guī) MOSFET?! OOLMOS的最大特點(diǎn)之一就是它具有短路安全工作區(qū)(SCSOA),而常規(guī)MOS不具備這個(gè)特性。 COOLMOS的SCSOA的獲得主要是由于轉(zhuǎn)移特性的變化
2023-02-27 11:52:38
嗨,我的FET狂熱愛(ài)好者同行們,歡迎回到看懂MOSFET數(shù)據(jù)表博客系列的第2部分!作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)工程師,在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中,除了電流額定值(本博客系列中的下一篇文章,這么看來(lái),也不算是巧合)之外,我被問(wèn)到的最多的問(wèn)題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。
2017-04-18 11:35:01
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了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的安全工作面積(SOA)下
2018-08-23 05:27:00
1998 了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的安全工作面積(SOA)上
2019-04-23 06:19:00
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Hot Swap?電路設(shè)計(jì)中最具挑戰(zhàn)性的方面通常是驗(yàn)證不會(huì)超過(guò)MOSFET的安全工作區(qū)(SOA)。與LTspice IV ?一起分發(fā)的SOAtherm工具簡(jiǎn)化了這項(xiàng)任務(wù),使電路設(shè)計(jì)人員能夠立即評(píng)估應(yīng)用的SOA要求以及所選N溝道MOSFET的適用性。
2019-04-16 08:22:00
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除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)(SOA)曲線,該曲線同時(shí)描述了漏極電流和漏源電壓的關(guān)系?;旧?,SOA定義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。
2019-06-18 14:40:21
6794 作為一名功率 MOSFET 的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)工程師,在 FET 數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中,除了電流額定值之外,我被問(wèn)到的最多的問(wèn)題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解
2021-01-06 00:09:00
15 MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
2021-03-20 08:32:33
16 看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第2部分—安全工作區(qū) (SOA) 圖
2022-11-03 08:04:45
7 每個(gè) MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)都包含一個(gè) SOA 圖,該圖描述了 MOSFET 暴露于特定電壓和電流的最長(zhǎng)時(shí)間。圖1顯示了恩智浦半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)中PSMN1R5-30BLE 30V 1.5mΩ N溝道
2023-01-04 15:08:12
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パパーMOSFETの安全動(dòng)作領(lǐng)域ニツいテ
2023-04-27 20:03:58
0 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA(Safe Operation Area)圖片,這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:31
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以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理,還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時(shí)的特性,會(huì)出現(xiàn)與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣的線性、過(guò)渡、飽和等區(qū)域。
2023-06-03 11:22:09
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了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這篇文章中,我們將全面討論MOSFET數(shù)據(jù)表
2022-05-11 09:59:02
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MOSFET安全工作區(qū)域SOA是啥?了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這
2023-05-09 09:47:03
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mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種現(xiàn)代電子器件,常用于電子電路中的開(kāi)關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)有很大
2023-11-22 17:33:30
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評(píng)論