話說電容之一：電容的作用

????????作為無源元件之一的電容，其作用不外乎以下幾種：
1、應(yīng)用于電源電路，實(shí)現(xiàn)旁路、去藕、濾波和儲(chǔ)能的作用。下面分類詳述之：
1）旁路
????? 旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負(fù)載需求。 就像小型可充電電池樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進(jìn)行放電。 為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地
管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地彈是地連接處在通過大電流毛刺時(shí)的電壓降。
2）去藕
????? 去藕，又稱解藕。 從電路來說， 總是可以區(qū)分為驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大， 驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電， 才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候， 電流比較大， 這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作，這就是所謂的“耦合”。
????? 去藕電容就是起到一個(gè)“電池”的作用，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。將旁路電容和去藕電容結(jié)合起來將更容易理解。旁路電容實(shí)際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動(dòng)電流的變化大小來確定。
????? ?旁路是把輸入信號(hào)中的干擾作為濾除對(duì)象，而去耦是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象，防止干擾信號(hào)返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。
3）濾波
????? 從理論上（即假設(shè)電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實(shí)際上超過1μF 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會(huì)增大。有時(shí)會(huì)看到有一個(gè)電容量較大電解電容并聯(lián)了一個(gè)小電
容，這時(shí)大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過，電容越大高頻越容易通過。具體用在濾波中,大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。曾有網(wǎng)友形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會(huì)突變，由此可知，信號(hào)頻率越高則衰減越大，可很形象的說電容像個(gè)水塘，不會(huì)因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。它把電壓的變動(dòng)轉(zhuǎn)化為電流的變化，頻率越高，峰值電流就越大，從而緩沖了電壓。濾波就是充電，放電的過程。
4）儲(chǔ)能
????? 儲(chǔ)能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲(chǔ)的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。 電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000μF 之間的鋁電解電容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求，器件有時(shí)會(huì)采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式， 對(duì)于功率級(jí)超過10KW 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。
2、應(yīng)用于信號(hào)電路，主要完成耦合、振蕩/同步及時(shí)間常數(shù)的作用：
??? 1）耦合
??? 舉個(gè)例子來講，晶體管放大器發(fā)射極有一個(gè)自給偏壓電阻，它同時(shí)又使信號(hào)產(chǎn)生壓降反饋到輸入端形成了輸入輸出信號(hào)耦合， 這個(gè)電阻就是產(chǎn)生了耦合的元件，如果在這個(gè)電阻兩端并聯(lián)一個(gè)電容， 由于適當(dāng)容量的電容器對(duì)交流信號(hào)
較小的阻抗，這樣就減小了電阻產(chǎn)生的耦合效應(yīng)，故稱此電容為去耦電容。
??? 2）振蕩/同步
??? 包括RC、LC 振蕩器及晶體的負(fù)載電容都屬于這一范疇。
?? 3）時(shí)間常數(shù)
??? 這就是常見的 R、C 串聯(lián)構(gòu)成的積分電路。當(dāng)輸入信號(hào)電壓加在輸入端時(shí)，電容（C）上的電壓逐漸上升。而其充電電流則隨著電壓的上升而減小。電流通過電阻（R）、電容（C）的特性通過下面的公式描述：
i = (V / R)e - (t / CR)

話說電容之二：電容的選擇

通常，應(yīng)該如何為我們的電路選擇一顆合適的電容呢？筆者認(rèn)為，應(yīng)基于以
??????????????? 下幾點(diǎn)考慮：
??????????????? 1、靜電容量；
??????????????? 2、額定耐壓；
??????????????? 3、容值誤差；
??????????????? 4、直流偏壓下的電容變化量；
??????????????? 5、噪聲等級(jí)；
??????????????? 6、電容的類型；
??????????????? 7、電容的規(guī)格。
?????? 那么，是否有捷徑可尋呢？其實(shí)，電容作為器件的外圍元件，幾乎每個(gè)器件的 Datasheet 或者 Solutions，都比較明確地指明了外圍元件的選擇參數(shù)，也就是說，據(jù)此可以獲得基本的器件選擇要求，然后再進(jìn)一步完善細(xì)化之。其實(shí)選用電容時(shí)不僅僅是只看容量和封裝，具體要看產(chǎn)品所使用環(huán)境，特殊的電路必須用特殊的電容。

??? 下面是 chip capacitor 根據(jù)電介質(zhì)的介電常數(shù)分類， 介電常數(shù)直接影響電
路的穩(wěn)定性。
NP0 or CH （K < 150）： 電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度﹑電壓與時(shí)間的改變而改變，適用于對(duì)穩(wěn)定性要求高的高頻電路。鑒于K 值較小，所以在0402、0603、0805 封裝下很難有大容量的電容。如 0603 一般最大的 10nF以下。X7R or YB （2000 < K < 4000）： 電氣性能較穩(wěn)定,在溫度﹑電壓與時(shí)間改變時(shí)性能的變化并不顯著（?C < ±10%）。適用于隔直、偶合、旁路與對(duì)容量穩(wěn)定性要求不太高的全頻鑒電路。Y5V or YF（K > 15000）： 容量穩(wěn)定性較 X7R 差（?C < +20% ～ -80%），容量﹑損耗對(duì)溫度、電壓等測(cè)試條件較敏感，但由于其K 值較大，所以
適用于一些容值要求較高的場(chǎng)合。

話說電容之三：電容的分類

電容的分類方式及種類很多，基于電容的材料特性，其可分為以下幾大類：
1、鋁電解電容
????? 電容容量范圍為0.1μF ～ 22000μF，高脈動(dòng)電流、長(zhǎng)壽命、大容量的不二
之選，廣泛應(yīng)用于電源濾波、解藕等場(chǎng)合。
2、薄膜電容
????? 電容容量范圍為0.1pF ～ 10μF，具有較小公差、較高容量穩(wěn)定性及極低的
壓電效應(yīng)，因此是X、Y 安全電容、EMI/EMC 的首選。
3、鉭電容
????? 電容容量范圍為2.2μF ～ 560μF，低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低等效串聯(lián)
電感（ESL）。脈動(dòng)吸收、瞬態(tài)響應(yīng)及噪聲抑制都優(yōu)于鋁電解電容，是高穩(wěn)定電
源的理想選擇。
4、陶瓷電容
????? 電容容量范圍為0.5pF ～ 100μF，獨(dú)特的材料和薄膜技術(shù)的結(jié)晶，迎合了
當(dāng)今“更輕、更薄、更節(jié)能“的設(shè)計(jì)理念。
5、超級(jí)電容
?????? 電容容量范圍為0.022F ～ 70F，極高的容值，因此又稱做“金電容”或者
“法拉電容”。主要特點(diǎn)是：超高容值、良好的充/放電特性，適合于電能存儲(chǔ)
和電源備份。缺點(diǎn)是耐壓較低，工作溫度范圍較窄。

話說電容之四：多層陶瓷電容（MLCC）

??? 對(duì)于電容而言，小型化和高容量是永恒不變的發(fā)展趨勢(shì)。其中，要數(shù)多層陶瓷電容（MLCC）的發(fā)展最快。
多層陶瓷電容在便攜產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用極為廣泛，但近年來數(shù)字產(chǎn)品的技術(shù)進(jìn)步對(duì)其提出了新要求。例如，手機(jī)要求更高的傳輸速率和更高的性能；基帶處理器要求高速度、低電壓；LCD 模塊要求低厚度（0.5mm）、大容量電容。 而汽車環(huán)境的苛刻性對(duì)多層陶瓷電容更有特殊的要求：首先是耐高溫，放置于其中的多層陶瓷電容必須能滿足150℃ 的工作溫度；其次是在電池電路上需要短路失效保護(hù)設(shè)計(jì)。
??? 也就是說，小型化、高速度和高性能、耐高溫條件、高可靠性已成為陶瓷電容的關(guān)鍵特性。
陶瓷電容的容量隨直流偏置電壓的變化而變化。直流偏置電壓降低了介電常
數(shù)， 因此需要從材料方面，降低介電常數(shù)對(duì)電壓的依賴，優(yōu)化直流偏置電壓特
性。
應(yīng)用中較為常見的是 X7R（X5R）類多層陶瓷電容， 它的容量主要集中在
1000pF 以上，該類電容器主要性能指標(biāo)是等效串聯(lián)電阻（ESR），在高波紋電
流的電源去耦、濾波及低頻信號(hào)耦合電路的低功耗表現(xiàn)比較突出。
另一類多層陶瓷電容是 C0G 類，它的容量多在 1000pF 以下， 該類電容
器主要性能指標(biāo)是損耗角正切值 tgδ(DF)。傳統(tǒng)的貴金屬電極（NME）的 C0G
產(chǎn)品 DF 值范圍是 (2.0 ～ 8.0) × 10-4，而技術(shù)創(chuàng)新型賤金屬電極（BME）的

C0G 產(chǎn)品 DF 值范圍為 (1.0 ～ 2.5) × 10-4， 約是前者的 31 ～ 50%。 該
類產(chǎn)品在載有 T/R 模塊電路的 GSM、CDMA、無繩電話、藍(lán)牙、GPS 系統(tǒng)中
低功耗特性較為顯著。較多用于各種高頻電路，如振蕩/同步器、定時(shí)器電路等。
話說電容之五：鉭電容替代電解電容的誤區(qū)
通常的看法是鉭電容性能比鋁電容好，因?yàn)殂g電容的介質(zhì)為陽(yáng)極氧化后生成
的五氧化二鉭，它的介電能力（通常用ε 表示）比鋁電容的三氧化二鋁介質(zhì)要高。
因此在同樣容量的情況下，鉭電容的體積能比鋁電容做得更小。（電解電容的電
容量取決于介質(zhì)的介電能力和體積，在容量一定的情況下，介電能力越高，體積
就可以做得越小，反之，體積就需要做得越大）再加上鉭的性質(zhì)比較穩(wěn)定，所以
通常認(rèn)為鉭電容性能比鋁電容好。
但這種憑陽(yáng)極判斷電容性能的方法已經(jīng)過時(shí)了，目前決定電解電容性能的關(guān)
鍵并不在于陽(yáng)極，而在于電解質(zhì)，也就是陰極。因?yàn)椴煌年帢O和不同的陽(yáng)極可
以組合成不同種類的電解電容，其性能也大不相同。采用同一種陽(yáng)極的電容由于
電解質(zhì)的不同，性能可以差距很大，總之陽(yáng)極對(duì)于電容性能的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于陰極。
還有一種看法是認(rèn)為鉭電容比鋁電容性能好，主要是由于鉭加上二氧化錳陰
極助威后才有明顯好于鋁電解液電容的表現(xiàn)。如果把鋁電解液電容的陰極更換為
二氧化錳， 那么它的性能其實(shí)也能提升不少。
可以肯定，ESR 是衡量一個(gè)電容特性的主要參數(shù)之一。 但是，選擇電容，
應(yīng)避免 ESR 越低越好，品質(zhì)越高越好等誤區(qū)。衡量一個(gè)產(chǎn)品，一定要全方位、
多角度的去考慮，切不可把電容的作用有意無意的夸大。
---以上引用了部分網(wǎng)友的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)。
普通電解電容的結(jié)構(gòu)是陽(yáng)極和陰極和電解質(zhì)，陽(yáng)極是鈍化鋁，陰極是純鋁，
所以關(guān)鍵是在陽(yáng)極和電解質(zhì)。陽(yáng)極的好壞關(guān)系著耐壓電介系數(shù)等問題。
一般來說，鉭電解電容的ESR 要比同等容量同等耐壓的鋁電解電容小很多，
高頻性能更好。如果那個(gè)電容是用在濾波器電路（比如中心為50Hz 的帶通濾波
器）的話，要注意容量變化后對(duì)濾波器性能（通帶...）的影響。

話說電容之六：旁路電容的應(yīng)用問題

????? 嵌入式設(shè)計(jì)中，要求 MCU 從耗電量很大的處理密集型工作模式進(jìn)入耗電量
很少的空閑/休眠模式。這些轉(zhuǎn)換很容易引起線路損耗的急劇增加，增加的速率
很高，達(dá)到 20A/ms 甚至更快。通常采用旁路電容來解決穩(wěn)壓器無法適應(yīng)系統(tǒng)中高速器件引起的負(fù)載變化，以確保電源輸出的穩(wěn)定性及良好的瞬態(tài)響應(yīng)。旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負(fù)載需求。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進(jìn)行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡
量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致
的地電位抬高和噪聲。地彈是地連接處在通過大電流毛刺時(shí)的電壓降。
應(yīng)該明白，大容量和小容量的旁路電容都可能是必需的，有的甚至是多個(gè)陶
瓷電容和鉭電容。這樣的組合能夠解決上述負(fù)載電流或許為階梯變化所帶來的問
題，而且還能提供足夠的去耦以抑制電壓和電流毛刺。在負(fù)載變化非常劇烈的情
況下，則需要三個(gè)或更多不同容量的電容，以保證在穩(wěn)壓器穩(wěn)壓前提供足夠的電
流?？焖俚乃矐B(tài)過程由高頻小容量電容來抑制，中速的瞬態(tài)過程由低頻大容量來
抑制，剩下則交給穩(wěn)壓器完成了。
還應(yīng)記住一點(diǎn)，穩(wěn)壓器也要求電容盡量靠近電壓輸出端。

話說電容之七：電容的等效串聯(lián)電阻ESR

普遍的觀點(diǎn)是：一個(gè)等效串聯(lián)電阻（ESR）很小的相對(duì)較大容量的外部電容
能很好地吸收快速轉(zhuǎn)換時(shí)的峰值（紋波）電流。但是，有時(shí)這樣的選擇容易引起
穩(wěn)壓器（特別是線性穩(wěn)壓器 LDO）的不穩(wěn)定，所以必須合理選擇小容量和大容
量電容的容值。永遠(yuǎn)記住，穩(wěn)壓器就是一個(gè)放大器，放大器可能出現(xiàn)的各種情況
它都會(huì)出現(xiàn)。
由于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的響應(yīng)速度相對(duì)較慢，輸出去耦電容在負(fù)載階躍的初始
階段起主導(dǎo)的作用，因此需要額外大容量的電容來減緩相對(duì)于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
的快速轉(zhuǎn)換，同時(shí)用高頻電容減緩相對(duì)于大電容的快速變換。通常，大容量電容
的等效串聯(lián)電阻應(yīng)該選擇為合適的值，以便使輸出電壓的峰值和毛刺在器件的
Dasheet 規(guī)定之內(nèi)。

高頻轉(zhuǎn)換中，小容量電容在 0.01μF 到0.1μF 量級(jí)就能很好滿足要求。表
貼陶瓷電容或者多層陶瓷電容（MLCC）具有更小的 ESR。另外，在這些容值
下，它們的體積和 BOM 成本都比較合理。如果局部低頻去耦不充分，則從低
頻向高頻轉(zhuǎn)換時(shí)將引起輸入電壓降低。電壓下降過程可能持續(xù)數(shù)毫秒，時(shí)間長(zhǎng)短
主要取決于穩(wěn)壓器調(diào)節(jié)增益和提供較大負(fù)載電流的時(shí)間。
用 ESR 大的電容并聯(lián)比用 ESR 恰好那么低的單個(gè)電容當(dāng)然更具成本效
益。然而,這需要你在 PCB 面積、器件數(shù)目與成本之間尋求折衷。

話說電容之八：電解電容的電參數(shù)

這里的電解電容器主要指鋁電解電容器，其基本的電參數(shù)包括下列五點(diǎn)：
1、電容值
電解電容器的容值，取決于在交流電壓下工作時(shí)所呈現(xiàn)的阻抗。因此容值，
也就是交流電容值，隨著工作頻率、電壓以及測(cè)量方法的變化而變化。在標(biāo)準(zhǔn)
JISC 5102 規(guī)定：鋁電解電容的電容量的測(cè)量條件是在頻率為 120Hz，最大交
流電壓為 0.5Vrms，DC bias 電壓為1.5 ～ 2.0V 的條件下進(jìn)行?？梢詳嘌裕?br>鋁電解電容器的容量隨頻率的增加而減小。
2、損耗角正切值 Tan δ
在電容器的等效電路中，串聯(lián)等效電阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比稱之為 Ta
n δ， 這里的 ESR 是在 120Hz 下計(jì)算獲得的值。顯然，Tan δ 隨著測(cè)量頻率
的增加而變大，隨測(cè)量溫度的下降而增大。
3、阻抗 Z
在特定的頻率下，阻礙交流電流通過的電阻即為所謂的阻抗（Z）。它與電
容等效電路中的電容值、電感值密切相關(guān)，且與 ESR 也有關(guān)系。
Z = √ [ESR2 + (XL - XC)2 ]
展峻的筆記 http://xabai.21ic.org
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式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC
XL = ωL = 2πfL
電容的容抗（XC）在低頻率范圍內(nèi)隨著頻率的增加逐步減小，頻率繼續(xù)增加
達(dá)到中頻范圍時(shí)電抗（XL）降至 ESR 的值。當(dāng)頻率達(dá)到高頻范圍時(shí)感抗（XL）
變?yōu)橹鲗?dǎo)，所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。
4、漏電流
電容器的介質(zhì)對(duì)直流電流具有很大的阻礙作用。然而，由于鋁氧化膜介質(zhì)上
浸有電解液，在施加電壓時(shí)，重新形成的以及修復(fù)氧化膜的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生一種很小
的稱之為漏電流的電流。通常，漏電流會(huì)隨著溫度和電壓的升高而增大。
5、紋波電流和紋波電壓
在一些資料中將此二者稱做“漣波電流”和“漣波電壓”，其實(shí)就是 ripple
current，ripple voltage。 含義即為電容器所能耐受紋波電流/電壓值。 它們和
ESR 之間的關(guān)系密切，可以用下面的式子表示：
Urms = Irms × R
式中，Vrms 表示紋波電壓
Irms 表示紋波電流
R 表示電容的 ESR
由上可見，當(dāng)紋波電流增大的時(shí)候，即使在 ESR 保持不變的情況下，漣波
電壓也會(huì)成倍提高。換言之，當(dāng)紋波電壓增大時(shí)，紋波電流也隨之增大，這也是
要求電容具備更低 ESR 值的原因。疊加入紋波電流后，由于電容內(nèi)部的等效串
連電阻（ESR）引起發(fā)熱，從而影響到電容器的使用壽命。一般的，紋波電流與
頻率成正比，因此低頻時(shí)紋波電流也比較低。
話說電容之九：電容器參數(shù)的基本公式
1、容量（法拉）
英制： C = ( 0.224 × K · A) / TD
公制： C = ( 0.0884 × K · A) / TD
2、電容器中存儲(chǔ)的能量
E = ? CV2
3、電容器的線性充電量
I = C (dV/dt)
4、電容的總阻抗（歐姆）
Z = √ [ RS
2 + (XC – XL)2 ]
5、容性電抗（歐姆）
XC = 1/(2πfC)
6、相位角 Ф
理想電容器：超前當(dāng)前電壓 90o
理想電感器：滯后當(dāng)前電壓 90o
理想電阻器：與當(dāng)前電壓的相位相同
7、耗散系數(shù) (%)
D.F. = tan δ （損耗角）
= ESR / XC
= (2πfC)(ESR)
8、品質(zhì)因素
Q = cotan δ = 1/ DF
9、等效串聯(lián)電阻ESR（歐姆）
ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC
10、功率消耗
Power Loss = (2πfCV2) (DF)
11、功率因數(shù)
PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)
12、均方根
rms = 0.707 × Vp
13、千伏安KVA （千瓦）
KVA = 2πfCV2 × 10-3
14、電容器的溫度系數(shù)
T.C. = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106
15、容量損耗(%)
CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100
16、陶瓷電容的可靠性
L0 / Lt = (Vt / V0) X (Tt / T0)Y
17、串聯(lián)時(shí)的容值
n 個(gè)電容串聯(lián)：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + …. + 1/Cn
兩個(gè)電容串聯(lián)：CT = C1 · C2 / (C1 + C2)
18、并聯(lián)時(shí)的容值
CT = C1 + C2 + …. + Cn
19、重復(fù)次數(shù)（Againg Rate）
A.R. = % ?C / decade of time
上述公式中的符號(hào)說明如下：
K = 介電常數(shù)
A = 面積
TD = 絕緣層厚度
V = 電壓
t = 時(shí)間
RS = 串聯(lián)電阻
f = 頻率
L = 電感感性系數(shù)
δ = 損耗角
Ф = 相位角
L0 = 使用壽命
Lt = 試驗(yàn)壽命
Vt = 測(cè)試電壓
V0 = 工作電壓
Tt = 測(cè)試溫度
T0 = 工作溫度
X , Y = 電壓與溫度的效應(yīng)指數(shù)。

話說電容之十：電源輸入端的X,Y 安全電容

??? 在交流電源輸入端，一般需要增加三個(gè)電容來抑制EMI 傳導(dǎo)干擾。交流電源的輸入一般可分為三根線：火線（L）/零線（N）/地線（G）。在火線和地線之間及在零線和地線之間并接的電容，一般稱之為Y 電容。這兩個(gè)Y電容連接的位置比較關(guān)鍵，必須需要符合相關(guān)安全標(biāo)準(zhǔn)，以防引起電子設(shè)備漏電或機(jī)殼帶電，容易危及人身安全及生命，所以它們都屬于安全電容，要求電容值不能偏大，而耐壓必須較高。一般地，工作在亞熱帶的機(jī)器，要求對(duì)地漏電電流不能超0.7mA；工作在溫帶機(jī)器，要求對(duì)地漏電電流不能超過0.35mA。因此，Y 電容的總?cè)萘恳话愣疾荒艹^4700pF。
??? 特別提示：Y 電容為安全電容，必須取得安全檢測(cè)機(jī)構(gòu)的認(rèn)證。Y 電容的耐壓一般都標(biāo)有安全認(rèn)證標(biāo)志和AC250V 或AC275V 字樣，但其真正的直流耐壓高達(dá)5000V 以上。因此，Y 電容不能隨意使用標(biāo)稱耐壓AC250V，或DC400V之類的普通電容來代用。
??? 在火線和零線抑制之間并聯(lián)的電容，一般稱之為X 電容。由于這個(gè)電容連接的位置也比較關(guān)鍵，同樣需要符合安全標(biāo)準(zhǔn)。因此，X 電容同樣也屬于安全電容之一。X 電容的容值允許比Y 電容大，但必須在X 電容的兩端并聯(lián)一個(gè)安全電阻，用于防止電源線拔插時(shí)，由于該電容的充放電過程而致電源線插頭長(zhǎng)時(shí)間帶電。安全標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，當(dāng)正在工作之中的機(jī)器電源線被拔掉時(shí)，在兩秒鐘內(nèi)，電源線插頭兩端帶電的電壓(或?qū)Φ仉娢?必須小于原來額定工作電壓的30%。同理，X 電容也是安全電容，必須取得安全檢測(cè)機(jī)構(gòu)的認(rèn)證。X 電容的耐壓一般都標(biāo)有安全認(rèn)證標(biāo)志和AC250V 或AC275V 字樣，但其真正的直流耐壓高達(dá)2000V 以上，使用的時(shí)候不要隨意使用標(biāo)稱耐壓AC250V，或DC400V 之類
的的普通電容來代用。
??? X 電容一般都選用紋波電流比較大的聚脂薄膜類電容，這種電容體積一般都很大，但其允許瞬間充放電的電流也很大，而其內(nèi)阻相應(yīng)較小。普通電容紋波電流的指標(biāo)都很低，動(dòng)態(tài)內(nèi)阻較高。用普通電容代替X 電容，除了耐壓條件不能
滿足以外，一般紋波電流指標(biāo)也是難以滿足要求的。
??? 實(shí)際上，僅僅依賴于Y 電容和X 電容來完全濾除掉傳導(dǎo)干擾信號(hào)是不太可能的。因?yàn)楦蓴_信號(hào)的頻譜非常寬，基本覆蓋了幾十KHz 到幾百M(fèi)Hz，甚至上千MHz 的頻率范圍。通常，對(duì)低端干擾信號(hào)的濾除需要很大容量的濾波電容，但受到安全條件的限制，Y 電容和X 電容的容量都不能用大；對(duì)高端干擾信號(hào)的濾除，大容量電容的濾波性能又極差，特別是聚脂薄膜電容的高頻性能一般都比較差，因?yàn)樗怯镁砝@工藝生產(chǎn)的，并且聚脂薄膜介質(zhì)高頻響應(yīng)特性與陶瓷或云母相比相差很遠(yuǎn)，一般聚脂薄膜介質(zhì)都具有吸附效應(yīng)，它會(huì)降低電容器的工作頻率，聚脂薄膜電容工作頻率范圍大約都在1MHz 左右，超過1MHz 其阻抗將顯著增加。
??? 因此，為抑制電子設(shè)備產(chǎn)生的傳導(dǎo)干擾，除了選用Y 電容和X 電容之外，還要同時(shí)選用多個(gè)類型的電感濾波器，組合起來一起濾除干擾。電感濾波器多屬于低通濾波器，但電感濾波器也有很多規(guī)格類型，例如有：差模、共模，以及高頻、低頻等。每種電感主要都是針對(duì)某一小段頻率的干擾信號(hào)濾除而起作用，對(duì)其它頻率的干擾信號(hào)的濾除效果不大。通常，電感量很大的電感，其線圈匝數(shù)較多，那么電感的分布電容也很大。高頻干擾信號(hào)將通過分布電容旁路掉。而且，導(dǎo)磁率很高的磁芯，其工作頻率則較低。目前，大量使用的電感濾波器磁芯的工作頻率大多數(shù)都在75MHz 以下。對(duì)于工作頻率要求比較高的場(chǎng)合，必須選用高頻環(huán)形磁芯，高頻環(huán)形磁芯導(dǎo)磁率一般都不高，但漏感特別小，比如，非晶合金磁芯，坡莫合金等。