芯矽科技文章

• 晶圓蝕刻擴(kuò)散工藝流程2025-07-15 15:00

  

  晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面，形成所需的電路或結(jié)構(gòu)（如金屬線、介質(zhì)層、硅槽等）。材料去除：通過化學(xué)或物理方法選擇性去除暴露的薄膜或襯底。2.蝕刻分類干法蝕刻：依賴等離子體或離子束（如ICP、R

  半導(dǎo)體制造 晶圓 晶圓蝕刻 61瀏覽量

• 晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些2025-07-15 14:59

  

  晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時(shí)避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠、有機(jī)殘留物和部分蝕刻產(chǎn)物。常用溶劑：丙酮（Acetone）：溶解正性光刻膠。醋酸乙酯（EthylAcetate）：替代丙酮的環(huán)保溶劑。N-甲基吡咯烷酮（NMP）

  半導(dǎo)體制造 晶圓蝕刻 59瀏覽量

• 酸性溶液清洗劑的濃度是多少合適2025-07-14 13:15

  

  酸性溶液清洗劑的濃度選擇需綜合考慮清洗目標(biāo)、材料特性及安全要求。下文將結(jié)合具體案例，分析濃度優(yōu)化與工藝設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要點(diǎn)。酸性溶液清洗劑的合適濃度需根據(jù)具體應(yīng)用場景、清洗對象及污染程度綜合確定，以下是典型范圍和參考：1.一般工業(yè)清洗（金屬除銹、氧化層）硫酸（H?SO?）：5%~15%適用于去除鐵銹、氧化鋁等，濃度過高易導(dǎo)致金屬過腐蝕或氫脆。鹽酸（HCl）：5%~

  半導(dǎo)體晶圓 清洗劑 71瀏覽量

• 去離子水清洗的目的是什么2025-07-14 13:11

  

  去離子水清洗的核心目的在于有效去除物體表面的雜質(zhì)、離子及污染物，同時(shí)避免普通水中的電解質(zhì)對被清洗物的腐蝕與氧化，確保高精度工藝環(huán)境的純凈。這一過程不僅提升了產(chǎn)品質(zhì)量，還為后續(xù)加工步驟奠定了良好基礎(chǔ)，是精密制造、半導(dǎo)體生產(chǎn)、醫(yī)藥研發(fā)等領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其重要性貫穿整個(gè)高質(zhì)量生產(chǎn)流程。去離子水清洗主要有以下目的：1.去除雜質(zhì)和污染物溶解并清除可溶性物質(zhì)：去

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• 槽式清洗和單片清洗最大的區(qū)別是什么2025-06-30 16:47

  

  槽式清洗與單片清洗是半導(dǎo)體、光伏、精密制造等領(lǐng)域中兩種主流的清洗工藝，其核心區(qū)別在于清洗對象、工藝模式和技術(shù)特點(diǎn)。以下是兩者的最大區(qū)別總結(jié)：1.清洗對象與規(guī)模槽式清洗：批量處理：一次性清洗多個(gè)工件（如半導(dǎo)體晶圓、光伏硅片、金屬零件等），通常以“槽”為單位裝載。適用場景：適合大批量生產(chǎn)，尤其是對清潔度要求一致且工藝相同的產(chǎn)品（如集成電路封裝前的引腳清洗、汽車零

  半導(dǎo)體 清洗工藝 366瀏覽量

• 單晶硅清洗廢液處理方法有哪些2025-06-30 13:45

  

  很多人接觸過，或者是存在好奇與疑問，很想知道的是單晶硅清洗廢液處理方法有哪些？那今天就來給大家解密一下，主流的單晶硅清洗廢液處理方法詳情。物理法過濾：可去除廢液中的大顆粒懸浮物、固體雜質(zhì)等，常采用砂濾、精密過濾等手段。比如在單晶硅切割廢液處理中，先通過過濾將廢砂漿中的固體顆粒分離出來，便于后續(xù)處理3。沉淀：利用重力作用使廢液中的懸浮顆粒自然沉降，可分為自然沉

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