動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-06-14 09:42

  晶圓邊緣 TTV 測量的意義和影響

  

  摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導體制造中的重要意義，分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產良品率的影響，同時研究測量方法、測量設備精度等因素對測量結果的作用，為提升半導體制造質量提供理論依據(jù)。 關鍵詞：晶圓邊緣；TTV 測量；半導體制造；器件性能；良品率 一、引言 在半導體制造領域，晶圓總厚度偏差（TTV）是衡量晶圓質量的關鍵指標之一，而晶圓邊

  晶圓 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-06-13 10:07

  基于進給量梯度調節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術

  

  碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴重影響其后續(xù)應用性能。傳統(tǒng)固定進給量切割方式難以適應材料特性與切割工況變化，基于進給量梯度調節(jié)的方法為提升切割厚度均勻性提供了新思路，對推動碳化硅襯底加工技術發(fā)展具有重要價值。 技術原理分析 梯度調節(jié)依據(jù) 碳化硅硬度高、脆性大，切割起始階段，材料表面完整，刀具與材料接觸狀態(tài)穩(wěn)定，可采用相對較大的進給量提高加工效率

  碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-12 10:03

  切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關系及工藝優(yōu)化

  

  引言 在碳化硅襯底加工過程中，切割進給量是影響其厚度均勻性的關鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關系，并進行工藝優(yōu)化，對提升碳化硅襯底質量、滿足半導體器件制造需求具有重要意義。 量化關系分析 切割機理對厚度均勻性的影響 碳化硅硬度高、脆性大，切割過程中，切割進給量直接影響切割力大小與分布 。當進給量較小時，切割工具與碳化硅襯底接觸區(qū)域的切削力相對較小且穩(wěn)定

  半導體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-11 09:57

  碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

  

  在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度，且二者相互作用形成耦合效應。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測量誤差根源，為優(yōu)化測量探頭性能提供理論支撐。 耦合影響機制分析 材料各向異性對溫漂的促進作用 碳化硅材料具有顯著的各向異性，其熱膨脹系數(shù)、導熱系數(shù)等熱物理性能在不同晶向存在差異 。當測量探頭所處環(huán)境溫度發(fā)生變化時，由于材料各向異

  測量 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-06 09:37

  碳化硅襯底高溫加工場景下測量探頭溫漂的動態(tài)修正方法

  

  引言 碳化硅襯底高溫加工過程中，溫度的劇烈變化會引發(fā)測量探頭溫漂，嚴重影響襯底厚度等參數(shù)的測量精度，進而干擾加工工藝的精準控制。探尋有效的動態(tài)修正方法，是保障高溫加工質量與效率的關鍵所在。 溫漂影響因素分析 在高溫加工場景下，測量探頭溫漂受多因素共同作用。一方面，高溫環(huán)境直接導致探頭材料熱膨脹系數(shù)改變，引發(fā)內部結構變形，影響測量元件的性能 。例如，探頭中

  測量 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-05 09:43

  基于光纖傳感的碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂抑制技術

  

  引言 在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂是影響測量精度的關鍵因素。傳統(tǒng)測量探頭受環(huán)境溫度變化干擾大，導致測量數(shù)據(jù)偏差。光纖傳感技術憑借獨特的物理特性，為探頭溫漂抑制提供了新方向，對提升碳化硅襯底厚度測量準確性意義重大。 光纖傳感原理及優(yōu)勢 光纖傳感技術基于光在光纖中傳輸時，外界物理量（如溫度、應變等）對光的強度、相位、波長等特性的調制原理 。當溫度發(fā)生變化

  光纖傳感 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-06-04 09:37

  碳化硅襯底厚度測量中探頭溫漂的熱傳導模型與實驗驗證

  

  引言 在碳化硅襯底厚度測量過程中，探頭溫漂會嚴重影響測量精度。構建探頭溫漂的熱傳導模型并進行實驗驗證，有助于深入理解探頭溫漂的產生機理，為提高測量準確性提供理論依據(jù)與技術支持。 熱傳導模型構建 模型假設與簡化 為便于建模，對探頭結構及熱傳導過程進行假設與簡化。假設探頭各部件為均勻連續(xù)介質，忽略探頭內部微觀結構差異對熱傳導的影響；熱傳導過程遵循傅里葉定律

  晶圓 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-06-03 13:48

  碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀器的選型指南與應用場景分析

  

  引言 碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質量的關鍵指標，直接影響半導體器件性能。合理選擇測量儀器對準確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關重要，不同應用場景對測量儀器的要求存在差異，深入分析選型要點與應用適配性，有助于提升測量效率與質量。 選型指南 測量精度與分辨率 碳化硅襯底 TTV 厚度通常在微米級甚至亞微米級，測量儀器的精度和分辨率需與之匹配。光學

  測量儀器 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-05-22 10:05

  優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控

  

  摘要：本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設備改進及檢測反饋機制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質量。 關鍵詞：濕法腐蝕；晶圓；TTV 管控；工藝優(yōu)化 一、引言 濕法腐蝕是晶圓制造中的關鍵工藝，其過程中腐蝕液對晶圓的不均勻作用，易導致晶圓出現(xiàn)厚度偏差，影響 TT

  晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-05-19 09:36

  液晶手寫板像素缺陷修復及相關液晶線路激光修復

  

  引言 液晶手寫板憑借便捷書寫、環(huán)保節(jié)能等優(yōu)勢廣泛應用于教育、辦公等領域，然而像素缺陷會嚴重影響書寫流暢度與顯示清晰度。研究像素缺陷修復及相關液晶線路激光修復技術，對提升液晶手寫板性能與用戶體驗至關重要。 液晶手寫板像素缺陷的成因與影響 液晶手寫板像素缺陷表現(xiàn)為書寫時筆跡中斷、顏色異?；虺霈F(xiàn)固定亮點、暗點等，嚴重干擾正常書寫與內容顯示。其成因涵蓋多個方面：生產

  液晶線 激光

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