動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-02 09:49

  超薄碳化硅襯底切割自動對刀精度提升策略

  

  超薄碳化硅襯底（

  晶圓 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-07-01 09:55

  修屏 4.0 時代：新啟航數(shù)字孿生技術如何實現(xiàn)激光修屏修復工藝遠程優(yōu)化？

  

  一、修屏 4.0 時代的技術特征 修屏 4.0 時代以智能化、數(shù)字化、遠程化協(xié)同為核心特征。傳統(tǒng)修屏依賴人工經驗與現(xiàn)場調試，而 4.0 時代通過數(shù)字孿生、物聯(lián)網、人工智能等技術融合，實現(xiàn)修復全流程的虛擬映射與動態(tài)優(yōu)化。新啟航數(shù)字孿生技術打破時空限制，構建激光修屏 “物理設備 - 虛擬模型 - 數(shù)據交互” 閉環(huán)，為遠程優(yōu)化修復工藝提供技術支撐。 二、新啟航數(shù)

  激光 面板

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• 發(fā)布了文章 2025-06-30 09:59

  基于機器視覺的碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)設計與厚度均勻性控制

  

  一、引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，以其卓越的物理化學性能，在新能源汽車、軌道交通、5G 通信等關鍵領域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而，SiC 材料硬度高、脆性大的特性，給其襯底切割加工帶來了極大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)切割方法存在切割精度低、效率慢、厚度均勻性差等問題，嚴重制約了 SiC 器件的性能與生產規(guī)模。在此背景下，開發(fā)基于機器視覺的碳化硅襯底切割

  晶圓 機器視 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-28 09:48

  柔性屏激光修屏禁區(qū)突破：新啟航如何實現(xiàn)曲面 OLED 面板的無損修復？

  

  一、引言 柔性 OLED 面板憑借其輕薄、可彎曲等特性，在智能終端、可穿戴設備等領域廣泛應用。然而，生產過程中面板易出現(xiàn)缺陷，傳統(tǒng)修復方法難以滿足曲面 OLED 面板的無損修復需求。新啟航半導體有限公司在激光修屏技術上取得突破，為曲面 OLED 面板修復提供了新路徑。 二、曲面 OLED 面板特性與修復難點 2.1 結構與特性 曲面 OLED 面板主要

  OLED 激光屏

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• 發(fā)布了文章 2025-06-27 09:58

  循環(huán)經濟 2.0：海翔科技如何用區(qū)塊鏈技術追溯二手設備全生命周期

  

  摘要：在循環(huán)經濟 2.0 時代，資源高效利用與透明化管理成為核心訴求。海翔科技創(chuàng)新性地將區(qū)塊鏈技術應用于二手半導體設備全生命周期追溯，為行業(yè)發(fā)展提供新范式。本文通過分析循環(huán)經濟 2.0 背景下的行業(yè)需求，闡述區(qū)塊鏈技術在二手設備追溯中的應用路徑、優(yōu)勢及面臨的挑戰(zhàn)，揭示海翔科技如何借助技術創(chuàng)新推動二手設備產業(yè)升級。 一、引言 循環(huán)經濟 2.0 強調在資源循

  區(qū)塊鏈技術 設備

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• 發(fā)布了文章 2025-06-26 09:46

  自動對刀技術對碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性優(yōu)化

  

  摘要：碳化硅襯底切割對起始位置精度與厚度均勻性要求極高，自動對刀技術作為關鍵技術手段，能夠有效提升切割起始位置精度，進而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動對刀技術的作用機制、實現(xiàn)方式及其對切割工藝優(yōu)化的重要意義。 一、引言 碳化硅襯底是第三代半導體器件的核心基礎材料，其切割質量直接影響器件性能與成品率。在碳化硅襯底切割過程中，起始位置精度不足會導致切割路徑偏

  碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-25 11:22

  碳化硅襯底切割進給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調控模型

  

  摘要：碳化硅襯底切割過程中，進給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關聯(lián)，二者協(xié)同調控對提升切割質量與效率至關重要。本文深入剖析兩者相互作用機制，探討協(xié)同調控模型構建方法，旨在為優(yōu)化碳化硅襯底切割工藝提供理論與技術支撐。 一、引言 碳化硅憑借優(yōu)異的物理化學性能，成為第三代半導體材料的核心。在其襯底加工環(huán)節(jié)，切割是關鍵工序。切割進給量直接影響切割效率與材料去除率，而磨粒磨損

  碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-14 09:42

  晶圓邊緣 TTV 測量的意義和影響

  

  摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導體制造中的重要意義，分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產良品率的影響，同時研究測量方法、測量設備精度等因素對測量結果的作用，為提升半導體制造質量提供理論依據。 關鍵詞：晶圓邊緣；TTV 測量；半導體制造；器件性能；良品率 一、引言 在半導體制造領域，晶圓總厚度偏差（TTV）是衡量晶圓質量的關鍵指標之一，而晶圓邊

  晶圓 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-06-13 10:07

  基于進給量梯度調節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術

  

  碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴重影響其后續(xù)應用性能。傳統(tǒng)固定進給量切割方式難以適應材料特性與切割工況變化，基于進給量梯度調節(jié)的方法為提升切割厚度均勻性提供了新思路，對推動碳化硅襯底加工技術發(fā)展具有重要價值。 技術原理分析 梯度調節(jié)依據 碳化硅硬度高、脆性大，切割起始階段，材料表面完整，刀具與材料接觸狀態(tài)穩(wěn)定，可采用相對較大的進給量提高加工效率

  碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-06-12 10:03

  切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關系及工藝優(yōu)化

  

  引言 在碳化硅襯底加工過程中，切割進給量是影響其厚度均勻性的關鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關系，并進行工藝優(yōu)化，對提升碳化硅襯底質量、滿足半導體器件制造需求具有重要意義。 量化關系分析 切割機理對厚度均勻性的影響 碳化硅硬度高、脆性大，切割過程中，切割進給量直接影響切割力大小與分布 。當進給量較小時，切割工具與碳化硅襯底接觸區(qū)域的切削力相對較小且穩(wěn)定

  半導體 碳化硅

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