動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-07-23 08:14

  參加研討會，下載白皮書 | 揭秘功率轉(zhuǎn)換技術(shù)如何重塑綠色氫能

  

  全球綠色氫能需求激增，制造商競相擴(kuò)產(chǎn)，目標(biāo)2030年前達(dá)155GW/年產(chǎn)能。展望至2050年，預(yù)計全球?qū)⒂?0%至80%的氫氣供應(yīng)實現(xiàn)脫碳。電解水作為綠色氫能基礎(chǔ)設(shè)施的基石，其重要性日益凸顯。鑒于電解水過程對高水平且穩(wěn)定直流電流的嚴(yán)格要求，電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（PCS）在電解制氫設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。線上研討會直播主題驅(qū)動綠色未來：功率半導(dǎo)體在制氫電能轉(zhuǎn)換的革

  PCS 功率轉(zhuǎn)換 新能源

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• 發(fā)布了文章 2024-07-20 08:14

  簡述半導(dǎo)體原理——晶體管家族的核心工作機(jī)制

  

  簡述半導(dǎo)體原理——晶體管家族的核心工作機(jī)制

  GaN IGBT 半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-07-19 08:14

  直播預(yù)告 | 驅(qū)動綠色未來：功率半導(dǎo)體在制氫電能轉(zhuǎn)換的革新解決方案

  

  氫能因其能量密度高、熱值高、儲量豐富等特點被專家學(xué)者認(rèn)為是最具應(yīng)用前景的能源之一。作為高效的儲能載體，氫能有望解決可再生能源實現(xiàn)大規(guī)?？缂竟?jié)儲存和運輸?shù)碾y題。本次研討會將深入探討功率半導(dǎo)體尤其是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在綠色制氫領(lǐng)域的應(yīng)用。IGBT作為電源解決方案，能夠顯著提高能源轉(zhuǎn)換效率，并完美適配新能源電網(wǎng)，確保制氫過程的穩(wěn)定和高效，進(jìn)而提高系統(tǒng)的

  功率半導(dǎo)體 電網(wǎng) 電能轉(zhuǎn)換

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• 發(fā)布了文章 2024-07-18 08:14

  新品 | 采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開關(guān)評估板

  

  新品采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開關(guān)評估板EVAL-iSSI30R11H用于評估應(yīng)用電路中的英飛凌iSSI固態(tài)隔離器iSSI30R11的產(chǎn)品的功能。評估板為交流固態(tài)開關(guān)配置，使用iSSI30R11H驅(qū)動兩個CoolMOSIPQC60R010S7MOSFET，溫度采樣外接PTC。產(chǎn)品型號：EVAL-iSSI30R11H評估板所用器件：固態(tài)隔離器：i

  MOSFET 評估板 隔離器

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• 發(fā)布了文章 2024-07-16 08:14

  新品 | 光伏混合逆變器用Easy模塊

  

  新品光伏混合逆變器用Easy模塊采用CoolSiCMOSFET和高性能AlNDCB的Easy模塊，用于功率高達(dá)12千瓦的光伏混合逆變器。相關(guān)產(chǎn)品：FS3L40R07W2H5F_B70EasyPACK2B650V、40A三電平NPC1全橋IGBT模塊，配有CoolSiC肖特基二極管650V、TRENCHSTOP5H5IGBT、PressFIT壓接技術(shù)和AIND

  easy 光伏 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2024-07-13 08:14

  科普講座《讓AIGC提高你的科研和科普能力》

  

  為了配合中國電源學(xué)會科普工作委員會聯(lián)合英飛凌科技（中國）有限公司正在舉辦的《第二屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽》，中國電源學(xué)會7月2日晚特邀百度AIGC專家講解AIGC助力電力電子技術(shù)科學(xué)普及及科學(xué)研究。2022年以來AI迅速發(fā)展，各類產(chǎn)品層出不疊，其中百度推出的生成式AI產(chǎn)品：文心一言和文心一格，廣受好評，熱度不減。為了在電源行業(yè)和高校師生中普及AIGC人工智

  AIGC 電力電子 電源

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• 發(fā)布了文章 2024-07-12 08:14

  驅(qū)動SiC MOSFET有多容易？

  

  得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢，SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同，對驅(qū)動設(shè)計也提出了更高的要求。為了最大化利用SiCMOSFET的性能優(yōu)勢，驅(qū)動芯片的選擇需要著重考慮如下幾個方面：1更高的軌到軌電壓IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V，而

  MOSFET SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 驅(qū)動

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• 發(fā)布了文章 2024-07-12 08:14

  CoolSiC™ MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場

  

  英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù)，再度突破極限，實現(xiàn)更高效率、更低功耗，這也使英飛凌在日益發(fā)展且競爭激烈的碳化硅市場，屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在過去三年，碳化硅市場經(jīng)歷了蓬勃發(fā)展，特別是在全球能源轉(zhuǎn)型相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域，例如，光伏、儲能、電動汽車和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。英飛凌CoolSiC產(chǎn)品系列在這些領(lǐng)域大有可為。掃碼下載英飛凌碳化硅白皮書QCoolSi

  MOSFET 功率半導(dǎo)體 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-07-11 08:14

  固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器時代將至

  

  機(jī)電繼電器和斷路器作為一種成熟的技術(shù)已廣為人知，大量應(yīng)用在各種場合，但是它們?nèi)匀淮嬖谝恍┕逃腥毕?。盡管采用基于半導(dǎo)體的固態(tài)技術(shù)可以解決這些問題，但設(shè)計中又會面臨一系列挑戰(zhàn)。到底，什么才是正確的解決方案呢？目前，高壓繼電器和斷路器大部分都是機(jī)電式的。除了人們百年來已經(jīng)習(xí)慣使用繼電器和斷路器外，工程領(lǐng)域也普遍認(rèn)為，半導(dǎo)體技術(shù)不適合應(yīng)用于高壓開關(guān)。但近年的功率半導(dǎo)

  MOSFET 固態(tài)繼電器 斷路器 機(jī)電繼電器

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• 發(fā)布了文章 2024-07-06 08:14

  無線電能傳輸技術(shù)綜述

  

  作者介紹陳武，教授，博士生導(dǎo)師，IETFellow，東南大學(xué)先進(jìn)電能變換技術(shù)與裝備研究所所長。長期從事大功率電力電子變換及其應(yīng)用領(lǐng)域的研究工作。主持國家自然科學(xué)基金3項、國家重點研發(fā)計劃課題1項。研究成果發(fā)表SCI/EI論文100余篇，出版專著5部。本文新出版的電力電子綜述和科普專著《循跡電力電子》一書內(nèi)容。邀請你一起來創(chuàng)作科普作品，點擊報名無線電能傳輸技術(shù)

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