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?憶阻器破冰!下一代高性能計算機(jī)系統(tǒng)突破存儲墻問題

mK5P_AItists ? 來源:YXQ ? 2019-07-12 17:29 ? 次閱讀
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在計算量和數(shù)據(jù)量變得越來越大的今天,計算和存儲成為了下一步科技發(fā)展中要面臨的兩座大山,下一代高性能計算機(jī)系統(tǒng)必須突破存儲墻問題。在過去,這兩者一直都是各自發(fā)展,再通過下游產(chǎn)品產(chǎn)生交集。但伴隨著未來器件小型化、集成度高的趨勢,使得這兩者開始融合。在這當(dāng)中,存算一體技術(shù)得到了發(fā)展。

就科技發(fā)展趨勢來看,未來無人駕駛、人臉人別、智能機(jī)器人等場景,都將是存算一體技術(shù)的發(fā)展機(jī)會。目前,存算一體主要的實(shí)現(xiàn)方式有兩種,一種是基于易失性、現(xiàn)有工藝較成熟的SRAMDRAM構(gòu)建,另一種是基于非易失性、新型存儲器件或新材料構(gòu)建。

為了提高效率,科研人員開發(fā)了各種加速部件和專用的深度學(xué)習(xí)處理器,GPU、TPU等相繼在市場內(nèi)出現(xiàn)。但由于,這些場景中的模型越來越復(fù)雜,所需要的能耗也越來越高。為了通過人工智能使模擬信號處理方式所能實(shí)現(xiàn)的計算性能和能效,與現(xiàn)在數(shù)字方法相比有較大幅度的提升,就需要利用新材料特性和集成技術(shù),來減少數(shù)據(jù)處理電路中移動數(shù)據(jù)的需求。

在這種情況下,一種被稱為是第四種基本元件的憶阻器,進(jìn)入了智能時代的視線中。據(jù)相關(guān)資料顯示,憶阻器是1971年,由加州大學(xué)伯克利分校的蔡少棠教授根據(jù)電子學(xué)理論而得,他預(yù)測到在電阻器電容器及電感元件之外,還存在電路的第四種基本元件,即是憶阻器。

廣義憶阻器的內(nèi)涵很豐富,目前研究者們普遍采用的憶阻器概念實(shí)際上是指廣義憶阻器。阻變隨機(jī)存取存儲器( RRAM)、相變存儲器以及熱敏電阻、氣體放電燈、金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變(MIT)記憶器件、自旋電子記憶器件、生物體中的離子通道等均可歸屬于憶阻器的范疇。其中,RRAM是研究較多的一種數(shù)字型憶阻器。

據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)顯示,憶阻器結(jié)構(gòu)形式非常簡單,總共僅需要三層—— 兩個發(fā)送和接收電信號的電極以及之間的“存儲”層。從外部看,憶阻器看起來像一個電阻,因此具有高密度集成和低成本制造的巨大潛力。然而,不同于靜態(tài)電阻,憶阻器中的存儲層的物理參數(shù)可以通過電學(xué)刺激而重新配置,并且會形成記憶效應(yīng),其中物理參數(shù)的變化(電阻)可用于數(shù)據(jù)的存儲和處理。

基于這種架構(gòu),2008年,惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件。市場認(rèn)為,納米憶阻器件的出現(xiàn),有望實(shí)現(xiàn)非易失性隨機(jī)存儲器。至此以后,業(yè)界就掀起了憶阻器的研究熱潮。在接下來的發(fā)展中,憶阻器已在非易失性存儲、邏輯運(yùn)算、新型計算/存儲融合架構(gòu)計算和新型神經(jīng)形態(tài)計算等方面,呈現(xiàn)出了極有潛力的應(yīng)用前景。

憶阻器類似于生物體中的突觸,可用于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)研究,被認(rèn)為是硬件實(shí)現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。除此之外,由于憶阻的非線性性質(zhì),可以產(chǎn)生混沌電路,也使得其在保密通信中也有很多應(yīng)用。另外,更由于憶阻器具備高集成密度、高讀寫速度、低功耗、多值計算潛力等優(yōu)勢,也被視為是推動未來存算一體發(fā)展的技術(shù)之一。

但基于憶阻器存算一體技術(shù)的發(fā)展,仍然存在著很大的挑戰(zhàn)。在這種情況下,就需要靈活的NPU硬件來適應(yīng)各種網(wǎng)絡(luò)。一個具有足夠靈活性的端到端(設(shè)備級到系統(tǒng)級)NPU模擬器是非常必要的。

據(jù)EETOP消息稱,在美國舊金山召開的第66屆國際固態(tài)電路會議(ISSCC 2019)上,清華大學(xué)微電子學(xué)研究所錢鶴、吳華強(qiáng)教授團(tuán)隊報道了國際首個基于阻變存儲器(RRAM)的可重構(gòu)物理不可克隆函數(shù)(PUF)芯片設(shè)計,該芯片在可靠性、均勻性以及芯片面積上相對于之前工作都有明顯提升,且具有獨(dú)特的可重構(gòu)能力。

基于憶阻器的架構(gòu)在馮諾依曼瓶頸和摩爾定律時代之后展示了開發(fā)未來計算系統(tǒng)的巨大潛力。在泰克公司第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會上,有行業(yè)專家分享了這方面的研究成果

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原文標(biāo)題:?憶阻器會成為“存儲墻”的破局者么

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