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ASML最新一代EUV設(shè)備2025年量產(chǎn)

旺材芯片 ? 來源:yxw ? 2019-07-05 15:32 ? 次閱讀
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當(dāng)前半導(dǎo)體制程微縮到10納米節(jié)點以下,包括開始采用的7納米制程,以及未來5納米、3納米甚至2納米制程,EUV極紫外光光刻技術(shù)已成為不可或缺的設(shè)備。藉由EUV設(shè)備導(dǎo)入,不僅加快生產(chǎn)效率、提升良率,還能降低成本,使不僅晶圓代工業(yè)者積極導(dǎo)入,連DRAM記憶體的生產(chǎn)廠商也考慮引進。為了因應(yīng)制程微縮的市場需求,全球主要生產(chǎn)EUV設(shè)備的廠商艾司摩爾(ASML)正積極開發(fā)下一代EUV設(shè)備,就是High-NA(高數(shù)值孔徑)EUV 產(chǎn)品,預(yù)計幾年內(nèi)就能正式量產(chǎn)。

根據(jù)南韓媒體《ETNews》報導(dǎo),High-NA的EUV設(shè)備與目前EUV設(shè)備的最大不同點,在于使用EUV 曝光時,透過提升透鏡解析度,使解析度(resolution)和微影疊對(overlay)能力比現(xiàn)行EUV系統(tǒng)提升70%,達到業(yè)界對幾何式芯片微縮(geometric chip scaling)的要求。ASML利用德國蔡司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的技術(shù)提升透鏡解析度,就為了此目的,ASML 2016年正式收購德國蔡司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門24.9%股權(quán)。

針對下一代High-NA的EUV 產(chǎn)品,ASML之前也已從3個主要客戶取得4 臺訂單,并售出8臺High-NA EUV產(chǎn)品的優(yōu)先購買權(quán)。這些訂單中,晶圓代工龍頭臺積電也是其中之一。2018年時,臺積電就宣布增加3億美元資本支出,為下一代EUV設(shè)備的預(yù)付款,也就是已預(yù)購新一代High-NA的EUV設(shè)備。針對新一代High-NA EUV設(shè)備,ASML預(yù)計2025年正式量產(chǎn)。

新型號3400C將亮相

在去年年底,ASML的副總裁Anthony Yen表示,他們已經(jīng)開始研發(fā)下一代***3400C。他表示,在他們公司看來,一旦現(xiàn)有的系統(tǒng)到達了極限,他們有必要去繼續(xù)推動新一代產(chǎn)品的發(fā)展,進而推動芯片的微縮。

據(jù)介紹,較之他們的客戶三星Intel和臺積電都正在使用的3400系列,ASML 5000將會有更多的創(chuàng)新。Yen在本周于舊金山舉行的IEEE國際電子設(shè)備會議上告訴工程師,其中最引人注目的是機器數(shù)值孔徑(numerical aperture)從現(xiàn)在的0.33增加到0.55 。數(shù)值孔徑是無量綱(dimensionless quantity)的數(shù)量,與光的聚焦程度有關(guān)。數(shù)值孔徑越大意味著分辨率越高。改變EUV機器中的數(shù)值孔徑將需要更大,更完美拋光的成像鏡組。

EUV光是通過使用來自高功率二氧化碳激光器的雙脈沖瞄準(zhǔn)微小錫滴而產(chǎn)生的。第一個脈沖將錫滴重新塑造成模糊的薄餅形狀,這樣第二個脈沖就會更加強大并且跟隨它僅僅3微秒,它可以將錫爆炸成等離子體,并以13.5納米的光照射。然后將光聚集,聚焦并從圖案化的掩模上彈開,使得圖案將投射到硅晶圓上。

通過提升功率,ASML已經(jīng)將每小時可以處理的晶圓數(shù)量提升了。功率越大意味著晶圓可以更快地曝光。在195瓦特的時候,他們每小時可以處理125片晶圓; 功率在2018年年初達到246 W之后,這個數(shù)字則來到了140片晶圓。該公司全年都在對客戶機器進行改造,以期達到更高的標(biāo)準(zhǔn)。

下一代機器將需要更多的EUV瓦數(shù)。在實驗室中,ASML已破解410 W,但尚未達到芯片生產(chǎn)所需的,足夠好的占空比(duty cycle)。更強大的激光器將有所幫助,但這可能會增加錫液滴的速度。在今天的機器中,錫滴每秒被射出50,000次,但Yen表明,新產(chǎn)品的液滴發(fā)生器的運行速度或?qū)⑦_到80,000赫茲。

與此同時,該公司正在改進其3400系列的功能。新版本3400C將于2019年下半年發(fā)布,效率提升到每小時處理超過170片晶圓。但在EUV發(fā)展過程中,最大的一個痛點就在于極其昂貴的MASK,這些MASK可以“保持”鑄造在硅片上的圖案。這種被稱為薄膜的覆蓋物,用于保護掩模免受雜散粒子的影響,吸收太多光線。ASML表示,現(xiàn)有的薄膜可以傳輸83%的光。這就將產(chǎn)能吞吐量降低到每小時116個晶圓。Yen說,他們的目標(biāo)是將傳輸率提高到90%。ASML也正在努力保持機器內(nèi)部比現(xiàn)在更清潔,這樣客戶可以隨意使用沒有薄膜的MASK。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:行業(yè) | ASML最新一代EUV設(shè)備2025年量產(chǎn)

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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