在先進制程納米節(jié)點持續(xù)微縮下，***是重要關鍵設備。12寸晶圓主要***為ArF immersion機臺，可覆蓋45nm一路往下到7nm節(jié)點的使用范圍，其雷射光波長最小微縮到193nm；針對7nm節(jié)點以下的制程，EUV（Extreme Ultra-Violet）極紫外光使用光源波長為13.5nm，確保先進制程持續(xù)發(fā)展的可能性。

半導體***設備市場規(guī)模主要有3家設備供應商：ASML、Nikon及Cannon。其中，ASML以市占率超過8成居首，幾乎占據(jù)邏輯IC與存儲器先進制程的***需求，且面對更小微縮尺寸的范圍，目前僅有ASML能提供EUV機臺做使用，更加鞏固其在市場上的地位。本篇主要借ASML在***的銷售狀況，做區(qū)域性分布與先進制程需求狀況分析。

***地區(qū)與韓國對***需求最強烈，大陸地區(qū)未來或將開創(chuàng)新市場開發(fā)程度值得關注

ASML營收在先進制程快速發(fā)展下，連續(xù)5年呈現(xiàn)高度成長，年復合成長率13%。從營收區(qū)域分布來看，***地區(qū)與韓國由于晶圓代工擴廠動作頻頻，自2016年來持續(xù)保持超過5成份額，為ASML最大營收占比區(qū)域；美國與大陸地區(qū)的區(qū)域營收則大致保持2～3成左右份額。

韓國除了既有制造存儲器的大量需求外，2019年4月底，Samsung宣布計劃至2030年底投入總數(shù)133兆韓圜擴張晶圓代工業(yè)務，其中60兆韓圜將規(guī)劃投資生產設備，也預期持續(xù)拉抬ASML在韓國地區(qū)的營收。

至于***地區(qū)部份，臺積電目前擴廠計劃包括在南科負責生產3nm與5nm節(jié)點的FAB 18，對***需求也是ASML主要成長動能，尤其是在高單價EUV需求方面，從ASML最早的第一批EUV出貨即獲得機臺，搶得先機做持續(xù)性的現(xiàn)地化調機，有助于評估日后FAB 18的建置數(shù)量。

美國的擴廠動作則相對保守，從Global Foundries終止研發(fā)7nm制程后，基本上在晶圓代工這一塊就停止擴廠計劃，光刻設備需求轉而倚靠IDM廠。美國最大IDM廠Intel是***設備商的主要客戶，在2018下半年因10nm制程進度延期造成CPU供貨不足，也促使Intel于2018年第四季宣布在以色列與愛爾蘭的14nm擴產計劃，拉抬ASML在美國地區(qū)營收。

不過，Intel同時也是Nikon ArF immersion與ArF的主要客戶，Nikon憑借價格優(yōu)勢把握Intel***部份需求，估計在2019～2020年出貨ArF immersion與ArF機臺給Intel，未來ASML在美國區(qū)域營收或許由EUV采購狀況來主導。

最后是大陸地區(qū)，雖然晶圓廠擴廠計劃持續(xù)增加，但對高端光刻設備依賴度較高的先進制程晶圓廠目前不在多數(shù)，其余成熟制程的光刻設備供應商則有Nikon與Canon等競爭對手，加上大陸地區(qū)也致力于國產光刻設備開發(fā)，未來ASML在大陸地區(qū)區(qū)域的營收成長目標，除了獨家供應EUV優(yōu)勢外，尚需考量額外的影響因素。

總括來說，先進制程的光刻設備出貨前景看好，加上EUV高單價設備加持，將持續(xù)助益ASML營收攀升。在區(qū)域性方面，四大區(qū)域需求將持續(xù)增加，以韓國與***地區(qū)成長潛力較高，而大陸地區(qū)在中芯國際宣布成功購入EUV機臺后，可望開啟大陸地區(qū)發(fā)展14nm以下節(jié)點發(fā)展。

EUV需求數(shù)量持續(xù)增加，貢獻ASML營收僅次于ArF Immersion

受惠于先進制程發(fā)展，EUV使用量在7nm節(jié)點以下制程大幅增加。以7nm節(jié)點制程來說，Samsung的做法是包括前、中、后段曝光顯影制程全面使用EUV；臺積電7nm做法可劃分為沒有使用EUV，以及部份Critical Layer使用EUV兩類；至于Intel以10nm發(fā)展時程看來，應該是與臺積電在7nm節(jié)點做法相似，初期不使用EUV，在后續(xù)優(yōu)化版本部份Layer使用EUV。而在7nm節(jié)點以下制程，3家主要廠商將全面使用EUV機臺，大幅拉抬EUV需求量。

ASML是目前唯一提供EUV的光刻技術廠商，在光刻設備市場位居領先地位。分析過去3年ASML供應的機臺分類，ArF Immersion為其營收主力，涵蓋45nm以下至7nm的制程節(jié)點；EUV目前雖然數(shù)量不多，但受惠于價格較高，在營收表現(xiàn)上已穩(wěn)居第二位，有機會在未來追上ArF immersion的營收表現(xiàn)。

另外，就EUV數(shù)量來看，或許在發(fā)展3nm制程時，可望看見更大量機臺需求。Samsung宣布其先進制程Roadmap，預計在2021下半年推出使用GAA-FET（Gate-All-Around Field-Effect Transistor）技術的3nm節(jié)點制程；3nm GAA-FET工法相較現(xiàn)行5nm Fin-FET結構更復雜，制作閘極環(huán)繞的納米線（Nano-Wire）需要更多道程序，可能將增加曝光顯影的使用次數(shù)。

EUV現(xiàn)行的Throughput（處理量）約125 WPH（每小時能處理的wafer數(shù)量），相比現(xiàn)行ArF immersion產能有限。

而ASML下一世代EUV機臺NXE3400C將提高產能，成為各家晶圓廠計劃導入的新機臺，預計2019下半年陸續(xù)出貨。如果在3nm制程使用GAA技術，曝光顯影次數(shù)增加，預期會讓EUV機臺數(shù)超過現(xiàn)行發(fā)展5nm的需求數(shù)量，甚至有機會接近ArF immersion數(shù)量的一半，在此情況下，ASML營收可望于未來顯著增長。