說到晶體，要追溯到古希臘。古希臘人首先創(chuàng)造了κρ?σταλλο?（krustallos）這個詞，意思是“冰”和“水晶”。大晶體的實例包括雪花、金剛石和食鹽。

所謂晶體生長是物質(zhì)在特定的物理和化學條件下由氣相、液相或固相形成晶體的過程。

人類在數(shù)千年前就會曬鹽和制糖。人工模仿天然礦物并首次合成成功的是剛玉寶石(α氧化鋁)。

維爾納葉約在1890年開始試驗用氫氧焰熔融氧化鋁粉末，以生長寶石，這個方法一直沿用至今。

第二次世界大戰(zhàn)后，由于天然水晶作為戰(zhàn)略物資而引起人們的重視，科學家們又發(fā)明了水熱法生長人工水晶。

人們還在超高壓下合成了金剛石，在高溫條件下生長了成分復雜的云母等重要礦物，以補充天然礦物的不足。

20世紀50年代，鍺、硅單晶的生長成功，促進了半導體技術(shù)和電子工業(yè)的發(fā)展。20世紀60年代，由于研制出紅寶石和釔鋁石榴石單晶，為激光技術(shù)打下了牢固的基礎(chǔ)。

然而，要想成為一個煉“晶”術(shù)師，晶體生長中需要解決的問題不得不看。

01

晶體生長過程能夠發(fā)生的

熱力學條件分析及其生長驅(qū)動力

晶體生長過程是一個典型的相變過程，因此進行晶體生長過程設(shè)計時首先需要考慮的是該相變過程在什么條件下可以發(fā)生、相變驅(qū)動力的大小與環(huán)境條件的關(guān)系，并以此為基礎(chǔ)，選擇合理的晶體生長條件。這是一個典型的熱力學問題。

02

晶體生長過程中的形核

晶體生長的第一步是獲得晶體結(jié)晶核心，后續(xù)的結(jié)晶過程通過該核心的長大完成。結(jié)晶核心可以是外來的，即引入籽晶，也可以直接從母相中形核獲得。該形核過程是需要嚴格控制的。理想的單晶生長過程應該精確地控制到只形成一個晶核。在后續(xù)的晶體長大過程中，防止新的晶核形成也是晶體生長過程形核研究的重要課題。

03

晶體生長界面的

結(jié)構(gòu)及其宏觀、微觀形態(tài)

在完成形核之后，晶體生長過程是通過結(jié)晶界面不斷向母相中推進進行的。結(jié)晶界面的宏觀及微觀形態(tài)與結(jié)晶過程的宏觀傳輸特性相互耦合、相互影響，并對晶體的結(jié)晶質(zhì)量，特別是晶體結(jié)構(gòu)缺陷與成分偏析的形成具有至關(guān)重要的影響。因此，從結(jié)晶界面彎曲特性等宏觀的形貌，到結(jié)晶界面納米到毫米尺度上的平整度等細觀形貌，直至晶面原子尺度的微觀結(jié)構(gòu)都是晶體生長研究的重要課題。

04

結(jié)晶界面的物理化學過程

母相中的原子或分子在結(jié)晶界面上的沉積過程、堆垛方式，以及界面上的化學反應、擴散行為等是影響晶體結(jié)構(gòu)完整性的重要因素。該過程決定著雜質(zhì)與夾雜物的卷入、溶質(zhì)的分凝、缺陷(點缺陷、位錯、孿晶等)的形成，特別是對于溶液法及化學氣相沉積法晶體生長過程顯得尤為重要。

05

晶體生長過程中的溶質(zhì)再分配

溶質(zhì)原子及摻雜在結(jié)晶界面上的分凝是由其物理化學性質(zhì)決定的。分凝導致形成晶體中的成分與母相成分的不同。對于熔體法和溶液法晶體生長過程，通常采用分凝系數(shù)反映分凝特性。某特定組元在結(jié)晶界面的分凝系數(shù)ki定義為析出晶體中該組元的含量wSi與母相中該組元含wLi的比值，即，ki=wSi/wLi。

結(jié)晶界面上的溶質(zhì)分凝(成分的變化)使其附近液相和晶體中形成成分梯度而引起擴散，晶體生長過程中的溶質(zhì)再分配包括了界面上的分凝及固相和液相中的擴散。

06

晶體生長過程中的

熱平衡及其傳熱過程控制

晶體生長過程通常是在梯度場中進行的，而結(jié)晶過程通常也包含熱效應，如結(jié)晶潛熱的釋放。傳熱過程不僅決定著結(jié)晶過程能否進行，而且傳熱方式控制是結(jié)晶界面的宏觀、微觀形貌及生長速率控制的主要手段。

07

晶體結(jié)構(gòu)缺陷的形成與控制

晶體中的主要缺陷可在結(jié)晶過程中直接形成，也可以在結(jié)晶結(jié)束后的保溫過程中形成。合理地控制晶體的熱過程，可以改變?nèi)毕莸拿芏扰c分布，實現(xiàn)晶體的改性。

08

晶體材料原料的提純

在半導體等電子、光電子材料及各種功能晶體材料中，微量的雜質(zhì)可能會對其性能造成災難性的影響。精確控制材料中的雜質(zhì)含量，實現(xiàn)材料的高純度是至關(guān)重要的。因此，材料的提純成為晶體生長研究必不可少的環(huán)節(jié)。材料的提純技術(shù)包括化學方法及區(qū)熔法等物理方法。在晶體生長過程中還要進行全過程控制，防止材料的二次污染。

09

化合物晶體材料合成過程的

化學反應熱力學及動力學

對于化合物晶體材料，需要首先進行原料的合成。合成過程可以采用高純原料直接合成，也可以借助中間化合物間的化學反應合成。在采用高純原料合成過程中通常會遇到不同的技術(shù)難題：單質(zhì)材料通常熔點較低，而形成化合物后熔點很高，形成的固態(tài)化合物會阻斷反應的通道，為了維持反應的繼續(xù)進行，需要進一步提高溫度。但提高反應溫度又會遇到高蒸汽壓、雜質(zhì)污染等技術(shù)問題。借助于中間化合物進行化學合成的過程中，需要維持反應充分進行，并使其他副產(chǎn)物能夠從晶體材料中排除，從而保證晶體的純度。

10

晶體材料

結(jié)構(gòu)、缺陷與組織的分析與表征

晶體結(jié)構(gòu)、缺陷及組織分析是評價結(jié)晶質(zhì)量的基本環(huán)節(jié)。該環(huán)節(jié)獲得的信息將對改進和完善晶體生長工藝提供重要的信息。從傳統(tǒng)的光學顯微分析到X射線衍射技術(shù)，透射電鏡、掃描電鏡等電子顯微分析技術(shù)，都已成為晶體結(jié)構(gòu)分析的重要手段。同時，借助于吸收光譜、光致發(fā)光譜等分析技術(shù)也能間接獲得晶體結(jié)構(gòu)與缺陷的信息。

11

晶體材料的

力學、物理、化學等性能表征

晶體材料的力學、物理、化學性質(zhì)的分析是考查材料使用性能的依據(jù)。材料使用性能的要求不同，所需要檢測的性能指標也不同。

12

晶體生長過程

溫度、氣氛、真空度等環(huán)境條件的控制

晶體生長過程的環(huán)境控制主要包括：

①溫度控制，即升溫與保溫過程；②溫度場的控制，即溫度場的分布及溫度梯度；③真空度的控制；④氣氛控制，即環(huán)境介質(zhì)中氣相的成分及不同氣體的蒸汽分壓；⑤自然對流及溶液、氣相生長過程中流體流動場的控制；⑥晶體生長的坩堝材料選擇，其主要依據(jù)是室溫及高溫強度、工作溫度、熱穩(wěn)定性及化學穩(wěn)定性。由于需要防止坩堝材料與晶體材料之間發(fā)生化學反應，對于不同的晶體需要選用不同的坩堝材料。

13

晶體生長設(shè)備機械傳動系統(tǒng)的控制

晶體生長設(shè)備通常包括大量的傳動系統(tǒng)，如拉晶過程中的抽拉速度控制、晶體及坩堝的旋轉(zhuǎn)、氣相生長系統(tǒng)中樣品的移動。這些傳輸過程通常對低速及長時間的穩(wěn)定性、平穩(wěn)性、位置的精確控制等有很高的要求，是先進的機電一體化技術(shù)。

總體來說，這些問題涉及的學科領(lǐng)域包括物理學、化學、化學工程、材料科學、應用數(shù)學、機電工程等學科領(lǐng)域，并且與工程熱物理、地礦學、測試技術(shù)、電子信息、計算機等學科交叉。因此，晶體生長作為應用性的學科，具有綜合性、交叉性的特點，需要綜合相關(guān)學科領(lǐng)域的知識，并進行創(chuàng)造性的運用。