01

共同點(diǎn)和區(qū)別

STM32F10x芯片由絲印所體現(xiàn)出的共同點(diǎn)和區(qū)別。規(guī)則：101基本型，102USB基本型，103增強(qiáng)型，105或107互聯(lián)型。T：36腳，C：48腳，R：64腳，V：100腳，Z：144腳。C：256K SRAM, D：384K SRAM, E：512K SRAM。

正對(duì)芯片的絲印，會(huì)看到芯片左下角會(huì)有一個(gè)小圓點(diǎn)（正方向），有的在右上角會(huì)有一個(gè)稍大點(diǎn)的圓圈標(biāo)記，靠近左下角小圓點(diǎn)的管腳號(hào)為1，然后以逆時(shí)針?lè)较颍琙ET6最后一個(gè)管腳號(hào)為144，VET6最后一個(gè)管腳號(hào)為100，即是Z的管腳多于V的，說(shuō)以說(shuō)Z的功能也要多于V的；接下來(lái)說(shuō)說(shuō)絲印上的ARM和ST，crotex-Mx內(nèi)核是由ARM公司（就叫做IP廠商）設(shè)計(jì)的，一塊32除了內(nèi)核還必須有外圍電路，ST公司在獲得ARM內(nèi)核設(shè)計(jì)的授權(quán)后，據(jù)此設(shè)計(jì)出外圍電路（SOC廠商，像三星，蘋果，飛思卡爾。。。都是SOC廠商，其使用的內(nèi)核都是IP廠商授權(quán)的），比如說(shuō)儲(chǔ)存程序的FLASH，儲(chǔ)存變量的SRAM，外設(shè)（GPIO,IIC,SPI,USTAR等等），小結(jié)一下32的芯片構(gòu)架是由內(nèi)核（驅(qū)動(dòng)單元）和外設(shè)（被動(dòng)單元）組成。

02

STM32F10xx 的系統(tǒng)框架的理解

（1）驅(qū)動(dòng)單元Icode總線：我們寫好的程序?qū)懞煤笸ㄟ^(guò)編譯都變成一條條指令存儲(chǔ)在外設(shè)的FLASH里面，內(nèi)核要讀取這些指令來(lái)執(zhí)行程序就必須通過(guò)Icode總線（專門用來(lái)取指）。

DCode總線與DMA總線：即為DATA，我們知道常量const 存放在內(nèi)部FLASH里面，而變量存在內(nèi)部SRAM里面。這些數(shù)據(jù)可以由DCode和DMA來(lái)讀取，為了避免兩者同時(shí)去讀取數(shù)據(jù)從而造成沖突，所以在兩者讀取數(shù)據(jù)的時(shí)候會(huì)有一個(gè)總線矩陣來(lái)裁定誰(shuí)來(lái)讀取數(shù)據(jù)。

System總線：讀取數(shù)據(jù)，最主要還是用來(lái)訪問(wèn)外設(shè)的寄存器，即讀寫寄存器都是通過(guò)這條總線來(lái)完成的。

DMA總線：說(shuō)先說(shuō)這條總線也是主要老傳輸數(shù)據(jù)的，這個(gè)數(shù)據(jù)可以是某個(gè)外設(shè)的數(shù)據(jù)寄存器，可以是SRAM，可以是內(nèi)部的FLASH

以一個(gè)例子來(lái)說(shuō)明DMA總線的作用，還有簡(jiǎn)單的區(qū)分一下DMA和DCode的區(qū)別，如果我們沒有DMA ,現(xiàn)在要從SRAM里讀取一個(gè)數(shù)據(jù)到內(nèi)部的外設(shè)數(shù)據(jù)寄存器DR，首先CPU通過(guò)DCode總線將數(shù)據(jù)從SRAM讀到CPU的內(nèi)部的通用寄存器里來(lái)暫存數(shù)據(jù)，然后在通過(guò)DCode總線將數(shù)據(jù)傳到DR，這樣通過(guò)了CPU作為數(shù)據(jù)的中轉(zhuǎn)。但是我們現(xiàn)在有了DMA總線，只需要CPU發(fā)送命令就可以將SRAM里的數(shù)據(jù)直接發(fā)送到DR。

（2）被動(dòng)單元內(nèi)部FLASH：內(nèi)部閃存存儲(chǔ)器，我們編寫好的程序通過(guò)編譯后變成一條條指令存放在這里，Crotex-Mx通過(guò)ICode總線訪問(wèn)內(nèi)部FLASH來(lái)取指。

內(nèi)部SRAM：Static Random Access Memory它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM（Dynamic Random Access Memory）那樣需要刷新電路,每隔一段時(shí)間,固定要對(duì)DRAM刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一部分面積。當(dāng)然SRAM的優(yōu)點(diǎn)就是速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率.SRAM的缺點(diǎn)是集成度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且價(jià)格較高,所以少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。像程序的變量，堆棧等等的開銷都是基于內(nèi)部的SRAM，Crotex-Mx通過(guò)DCode總線來(lái)訪問(wèn)它。

FSMC：Flexible Static Memory Controller可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器，這是STM32系列采用一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)，由于通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器的設(shè)置，F(xiàn)SMC能夠根據(jù)不同的外部存儲(chǔ)器類型，發(fā)出相應(yīng)的數(shù)據(jù)/地址/控制信號(hào)類型以匹配信號(hào)的速度，從而使得STM32系列微控制器不僅能夠應(yīng)用各種不同類型、不同速度的外部靜態(tài)存儲(chǔ)器，而且能夠在不增加外部器件的情況下同時(shí)擴(kuò)展多種不同類型的靜態(tài)存儲(chǔ)器，滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)存儲(chǔ)容量、產(chǎn)品體積以及成本的綜合要求。強(qiáng)調(diào)一下，只能拓展靜態(tài)內(nèi)存。

STM32F10xx系統(tǒng)時(shí)鐘樹：

如圖左邊部分：1.HSI是高速內(nèi)部時(shí)鐘，RC振蕩器頻率為16MHz，可以直接作為系統(tǒng)時(shí)鐘或經(jīng)過(guò)二分頻后用作PLL的輸入。2.HSE是高速外部時(shí)鐘，可接4~26MHz石英陶瓷諧振器或者接外部時(shí)鐘源，可以直接作為系統(tǒng)時(shí)鐘或經(jīng)過(guò)二分頻后用作PLL的輸入。3.LSE是低速外部時(shí)鐘，接32.768KHz石英晶體，主要是RTC時(shí)鐘源。4.LSI是低速內(nèi)部時(shí)鐘，RC振蕩器，32KHz左右，供獨(dú)立看門狗和自動(dòng)喚醒單元使用。5.PLL圍鎖相環(huán)倍頻輸出，32上面有兩個(gè)PLL。