99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

鈺創(chuàng)科技開發(fā)全新的DRAM架構(gòu)

電子工程師 ? 來源:cc ? 2019-02-11 09:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

DRAM在過去的幾十年里發(fā)展方向單一,以追求高密度存儲(chǔ)器為目標(biāo),但***的鈺創(chuàng)科技沒有走傳統(tǒng)路線,而是開發(fā)全新的DRAM架構(gòu),稱為RPC (Reduced Pin Count) DRAM。

在過去的幾十年里,DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向單一,以追求高密度存儲(chǔ)器為目標(biāo),首先是非同步 DRAM,然后發(fā)展到DDR5同步DRAM。鈺創(chuàng)科技(Etron Technology)在今年度消費(fèi)性電子展(CES 2019)上表示該公司沒有走傳統(tǒng)路線,而是開發(fā)全新的DRAM架構(gòu),稱為RPC (Reduced Pin Count) DRAM。

鈺創(chuàng)科技董事長暨執(zhí)行長盧超群表示,RPC DRAM只使用到一半數(shù)量的接腳,既能達(dá)到小型化,又能降低成本。他將RPC DRAM定位為小型化穿戴式裝置和終端AI子系統(tǒng)的理想選擇。盧超群補(bǔ)充說明,為了采用DDR4,現(xiàn)今許多研發(fā)小型穿戴式裝置的公司必須購買更多不需要的元件,「對于許多開發(fā)小型系統(tǒng)的研發(fā)人員來說,導(dǎo)入DDR4反而多余。」

RPC DRAM帶領(lǐng)DRAM技術(shù)藍(lán)圖往不同的方向發(fā)展。

更具體地說,鈺創(chuàng)的RPC DRAM號稱可提供16倍的DDR3頻寬,在40接腳的FI-WLCSP封裝中僅使用22個(gè)開關(guān)訊號;該公司表示,RPC DRAM在無需增加設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本的情況下,能提供DDR4的容量和頻寬。

RPC鎖定未被滿足的市場

市場研究機(jī)構(gòu)Objective Analysis的分析師Jim Handy對 EE Times表示:「DRAM的有趣之處在于大廠僅關(guān)注每年出貨量可達(dá)數(shù)億甚至數(shù)十億顆的元件;這為鈺創(chuàng)這樣的公司提供了機(jī)會(huì),前提是它們能夠想辦法說明標(biāo)準(zhǔn)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(commodity DRAM)并不能滿足目前的市場需求,并制造出能滿足這些市場需求的零組件。這(RPC DRAM)就是一個(gè)例子?!?/p>

在被問到RPC DRAM 可用來解決哪些問題時(shí),Handy 表示:「主要是節(jié)省成本和空間;鈺創(chuàng)提出了一個(gè)令人信服的論點(diǎn),即RPC透過減少I/O接腳數(shù)目或以其他方式支援較小的邏輯晶粒(logic die)尺寸,進(jìn)而(藉由允許公司購買較低密度的元件)降低DRAM和FPGA或SoC 的成本。他補(bǔ)充指出:「我發(fā)現(xiàn)節(jié)省成本是任何一種新產(chǎn)品最吸引人的理由?!?/p>

RPC DRAM與DDR3或LPDDR3 DRAM相似,但是少了一半以上的接腳數(shù)。

與萊迪思建立合作關(guān)系

RPC DRAM不僅僅是新DRAM架構(gòu)的概念,鈺創(chuàng)還在CES展上透露該公司已經(jīng)與萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor)合作,展出可兼容鈺創(chuàng)RPC DRAM的萊迪思EPC5 FPGA解決方案。

為此EE Times詢問了萊迪思這間FPGA公司,在RPC DRAM架構(gòu)中發(fā)現(xiàn)了哪些傳統(tǒng)DRAM所沒有的「特點(diǎn)」或「優(yōu)勢」?該公司產(chǎn)品營銷總監(jiān)Gordon Hands告訴我們:「包括FPGA在內(nèi)的許多芯片之使用者相當(dāng)重視I/O接腳,它們通常會(huì)對設(shè)計(jì)工程師帶來限制;透過消除對單獨(dú)控制和位址接腳(address pins)的需求,鈺創(chuàng)的RPC存儲(chǔ)器能減少對這些稀少資源的使用?!?/p>

那么萊迪思的FPGA采用RPC DRAM后,有變得更好用嗎?對此Hands解釋:「自從推出ECP品牌,萊迪思一直專注于提供比其他中階FPGA產(chǎn)品在每個(gè)邏輯容量上更高的FPGA頻寬,研發(fā)人員運(yùn)用I/O環(huán)路中的預(yù)設(shè)計(jì)元件來實(shí)現(xiàn)DDR存儲(chǔ)器界面,我們重新使用這些元件來支援鈺創(chuàng)的RPC?!?/p>

Hands指出,到目前為止萊迪思和鈺創(chuàng)的合作已經(jīng)證明了此概念性設(shè)計(jì)可以讓此兩間公司的芯片具兼容性;他補(bǔ)充,「在2019年上半年,萊迪思希望發(fā)表一系列參考設(shè)計(jì)和展示,促使客戶加快導(dǎo)入此技術(shù)?!?/p>

結(jié)合萊迪思FPGA與鈺創(chuàng)的PRC DRAM參考設(shè)計(jì)在CES 2019亮相。

RPC DRAM無可取代?

那么,OEM和ASIC研發(fā)人員對這種新型存儲(chǔ)器架構(gòu)的需求會(huì)有多高?除了RPC DRAM,是否有其他解決方案呢?對此Objective Analysis的Handy 表示:「目前不需要高密度DRAM的應(yīng)用通常會(huì)使用SRAM,但后者相當(dāng)昂貴;低密度DRAM是另一種選擇,但它們比大多數(shù)的設(shè)計(jì)需要更寬的界面。」

在Handy看來,RPC承諾能用更具成本效益的解決方案來取代以上兩者,因此只要鈺創(chuàng)能堅(jiān)持到底,他們應(yīng)該能在市場上獲得佳績。

鈺創(chuàng)的盧超群指出,縮小存儲(chǔ)器尺寸是導(dǎo)入穿戴式裝置的一個(gè)關(guān)鍵因素,存儲(chǔ)器尺寸太大將是目前的一大缺點(diǎn)。他以Google智慧眼鏡為例解釋,DDR3的頻寬足以讓智慧眼鏡擷取與播放影像,但問題是DDR3的9x13mm球閘陣列封裝(BGA)尺寸使其無法放進(jìn)智慧眼鏡。

盧超群表示,DDR3存儲(chǔ)器在x16配置的96球BGA封裝中,尺寸大約為9 x 13mm;無論晶粒容量多大,采用0.8 mm間距6列、16接腳,最小封裝尺寸維持不變,即使改用256 Mbit至8 Gbit任何容量的晶粒,封裝體積也是一樣。

但如果DRAM不是采用BGA封裝呢?對此盧超群解釋,F(xiàn)I-WLCSP的制程與BGA不同,「不是一次只封裝一顆芯片,而是一片晶圓一整批封裝;」而每個(gè)封裝單元都是半導(dǎo)體晶粒的大小,也就是小型的FI-WLCSP封裝內(nèi)就是一顆小晶粒。他表示:「RPC DRAM是世界上第一款采用FI-WLCSP封裝的 DRAM?!?/p>

采用不同封裝的RPC DRAM。

使用FI-WLCP封裝時(shí),不用基板、也不用打線接合(wire-bonding)或覆晶(flip-chip)等封裝步驟。封裝元件內(nèi)包含沉積的電介質(zhì)和光學(xué)定義的導(dǎo)體,接著是電鍍和植錫球,所有制程都在完整晶圓片上進(jìn)行。

鈺創(chuàng)的影像和存儲(chǔ)器產(chǎn)品開發(fā)副總裁暨首席科學(xué)家Richard Crisp接受EE Times訪問時(shí)表示:「減少接腳數(shù)目和較小的晶粒尺寸為RPC DRAM能采用FI-WLCSP封裝的關(guān)鍵因素;」他強(qiáng)調(diào):「沒有其他DRAM采用此封裝方式,RPC DRAM只有一粒米的大小?!?/p>

一切都與成本有關(guān)

要在市場上推廣 RPC DRAM,鈺創(chuàng)必須做什么?Objective Analysis的Handy認(rèn)為:「鈺創(chuàng)需要確保產(chǎn)品價(jià)格能為OEM廠商帶來成本效益,他們似乎正為了這個(gè)目標(biāo)在努力,由此可知他們正朝著對的方向前進(jìn);而如果這些廠商可能會(huì)因?yàn)橐蕾噯我还?yīng)來源而感到不安的話,鈺創(chuàng)要是能列出替代供應(yīng)來源會(huì)有幫助?!?/p>

被問到RPC DRAM的晶圓代工伙伴時(shí),鈺創(chuàng)僅表示該產(chǎn)品采用與該公司其他DRAM產(chǎn)品一樣的制造來源,但婉拒透露具體合作廠商名稱。至于RPC DRAM 的制程,鈺創(chuàng)的Crisp 強(qiáng)調(diào):「與標(biāo)準(zhǔn) DDR3 相比,我們使用標(biāo)準(zhǔn)的制程與材料,不需要用到特別夸張的信令(signaling)或特殊材料?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2348

    瀏覽量

    185623
  • 鈺創(chuàng)科技
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    3

    瀏覽量

    1793

原文標(biāo)題:行業(yè) | 值得學(xué)習(xí)!臺廠開發(fā)新架構(gòu)DRAM

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    匠芯創(chuàng)發(fā)布新版GUI開發(fā)工具 新增多國語言設(shè)置等功能

    近日,匠芯創(chuàng)自主研發(fā)的GUI開發(fā)工具AiUIBuilder推出全新V1.3.0版本。作為一款基于LVGL的UI設(shè)計(jì)工具,AiUIBuilder致力于為嵌入式平臺的圖形應(yīng)用開發(fā)提供高效、
    發(fā)表于 07-16 13:54

    創(chuàng)龍 瑞芯微 RK3562 國產(chǎn) 2GHz 四核A53 工業(yè)開發(fā)板—NPU開發(fā)案例

    本文主要介紹基于創(chuàng)龍科技TL3562-EVM評估板的NPU開發(fā)案例,適用開發(fā)環(huán)境如下。
    的頭像 發(fā)表于 07-16 11:46 ?80次閱讀
    <b class='flag-5'>創(chuàng)</b>龍 瑞芯微 RK3562 國產(chǎn) 2GHz 四核A53 工業(yè)<b class='flag-5'>開發(fā)</b>板—NPU<b class='flag-5'>開發(fā)</b>案例

    全新STM32MP257開發(fā)板震撼發(fā)布!異核架構(gòu)x接口豐富x邊緣AI,助力ARM嵌入式工業(yè)4.0應(yīng)用!

    全新STM32MP257開發(fā)板震撼發(fā)布!異核架構(gòu)x接口豐富x邊緣AI,助力ARM嵌入式工業(yè)4.0應(yīng)用! ATK-DLMP257B開發(fā)板是正點(diǎn)原子基于STM32MP257DAK3處理器
    發(fā)表于 04-12 12:04

    SOA架構(gòu)開發(fā)小助手PAVELINK.SOA-Converter 2.1.2新版本發(fā)布

    為提升汽車SOA架構(gòu)設(shè)計(jì)開發(fā)效率,優(yōu)化用戶體驗(yàn),我們對PAVELINK.SOA-Converter進(jìn)行了全新升級。本次2.1.2新版本升級,聚焦于提升軟件性能、擴(kuò)展功能特性及增強(qiáng)用戶交互體驗(yàn)。
    的頭像 發(fā)表于 04-09 10:37 ?956次閱讀
    SOA<b class='flag-5'>架構(gòu)</b><b class='flag-5'>開發(fā)</b>小助手PAVELINK.SOA-Converter 2.1.2新版本發(fā)布

    速騰聚創(chuàng)發(fā)布AC1及AI-Ready生態(tài) 開創(chuàng)AI感知開發(fā)新時(shí)代

    2025年3月28日,RoboSense速騰聚創(chuàng)正式發(fā)布機(jī)器人視覺全新品類Active Camera的首款產(chǎn)品AC1及AI-Ready生態(tài),為行業(yè)提供顛覆性的機(jī)器人感知開發(fā)一站式解決方案。AC1提供
    發(fā)表于 03-28 12:39 ?424次閱讀
    速騰聚<b class='flag-5'>創(chuàng)</b>發(fā)布AC1及AI-Ready生態(tài) 開創(chuàng)AI感知<b class='flag-5'>開發(fā)</b>新時(shí)代

    寶馬發(fā)布全新一代智能電子電氣架構(gòu)

    "超級大腦"賦能寶馬新世代車型智能駕駛樂趣 全新一代電子電氣架構(gòu)搭載新世代車型,覆蓋全動(dòng)力系統(tǒng)和全細(xì)分車型 全新一代電子電氣架構(gòu)集成算力提升20倍,支持AI用戶體驗(yàn)和場景
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:42 ?311次閱讀

    北京迅為RK3568開發(fā)板OpenHarmony系統(tǒng)南向驅(qū)動(dòng)開發(fā)內(nèi)核HDF驅(qū)動(dòng)框架架構(gòu)

    北京迅為RK3568開發(fā)板OpenHarmony系統(tǒng)南向驅(qū)動(dòng)開發(fā)內(nèi)核HDF驅(qū)動(dòng)框架架構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 03-11 14:13 ?1119次閱讀
    北京迅為RK3568<b class='flag-5'>開發(fā)</b>板OpenHarmony系統(tǒng)南向驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>開發(fā)</b>內(nèi)核HDF驅(qū)動(dòng)框架<b class='flag-5'>架構(gòu)</b>

    三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

    問題,在2024年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有1b nm工藝的同時(shí),從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。 不過,三星通過相關(guān)媒體表示相關(guān)報(bào)道不準(zhǔn)確。盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計(jì),但有業(yè)內(nèi)人士透露,三星的目標(biāo)是提升1b DRAM的性能和良率。據(jù)了解,三星啟動(dòng)了名為“D1b - p”的
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?970次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對三星在HBM4
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?633次閱讀

    創(chuàng)龍C6748開發(fā)板求助

    求助各位大佬,使用創(chuàng)龍的C6748開發(fā)板,運(yùn)行LINE_IN例程,為什么輸入正弦波后,輸出的是雜波
    發(fā)表于 12-27 17:01

    芯原發(fā)布全新Vitality架構(gòu)GPU IP系列

    芯原股份(芯原,股票代碼:688521.SH)今日宣布推出全新Vitality架構(gòu)的圖形處理器(GPU)IP系列,具備高性能計(jì)算能力,廣泛適用于云游戲、AI PC、獨(dú)立顯卡和集成顯卡等應(yīng)用領(lǐng)域。
    的頭像 發(fā)表于 12-19 15:26 ?866次閱讀

    DRAM的基本構(gòu)造與工作原理

    本文介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理,以及其在器件縮小過程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器(Dynamic Random Access Memory,簡稱
    的頭像 發(fā)表于 12-17 14:54 ?3328次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>的基本構(gòu)造與工作原理

    泰ETA3000電池均衡器IC

    描述 ETA3000是電池平衡IC,可面向上下兩串電池組,其可以通過無限級聯(lián),實(shí)現(xiàn)3節(jié)-24節(jié)動(dòng)力電池組的均衡,ETA3000是主動(dòng)開關(guān)式均衡,其均衡電流可以達(dá)到1.5A。ETA3000是泰半
    發(fā)表于 10-25 10:13

    從芯片到系統(tǒng)賦能創(chuàng)新:2024新思科技開發(fā)者大會(huì)共創(chuàng)萬物智能未來

    9月10日,芯片行業(yè)年度嘉年華“2024新思科技開發(fā)者大會(huì)”在上海成功舉辦,匯聚全球科技領(lǐng)袖,與全場芯片開發(fā)者們一起探討如何加速從芯片到更廣泛科技領(lǐng)域的創(chuàng)新,共創(chuàng)萬物智能時(shí)代。 新思科技全球資深
    發(fā)表于 09-11 10:45 ?468次閱讀
    從芯片到系統(tǒng)賦能創(chuàng)新:2024新思<b class='flag-5'>科技開發(fā)</b>者大會(huì)共創(chuàng)萬物智能未來

    DRAM芯片的基本結(jié)構(gòu)

    如果內(nèi)存是一個(gè)巨大的矩陣,那么DRAM芯片就是這個(gè)矩陣的實(shí)體化。如下圖所示,一個(gè)DRAM芯片包含了8個(gè)array,每個(gè)array擁有1024行和256列的存儲(chǔ)單元。
    的頭像 發(fā)表于 07-26 11:41 ?1819次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>芯片的基本結(jié)構(gòu)