99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

WBG功率器件的軟/硬開關(guān)應(yīng)用案例

TI視頻 ? 來源:ti ? 2019-04-15 06:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應(yīng)用在電力電子產(chǎn)品中來提升效率和功率密度. 培訓(xùn)內(nèi)容介紹了WBG功率器件特性, 及應(yīng)用. 并且詳細(xì)的分析了開關(guān)性能,損耗計(jì)算以及測試,仿真技巧.
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 開關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    3282

    瀏覽量

    95393
  • ti
    ti
    +關(guān)注

    關(guān)注

    113

    文章

    8030

    瀏覽量

    214946
  • 功率器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    9

    瀏覽量

    8294
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    電源功率器件篇:線路寄生電感對(duì)開關(guān)器件的影響

    、降低線路寄生電感影響的方案 1、優(yōu)化PCB布局設(shè)計(jì) ▍縮短功率回路路徑 ? 將功率開關(guān)器件、直流母線電容、驅(qū)動(dòng)電路等盡可能靠近布局,減少功率
    發(fā)表于 07-02 11:22

    功率器件開關(guān)功耗測試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試

    功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)
    發(fā)表于 05-14 09:03 ?391次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>功耗測試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET<b class='flag-5'>開關(guān)</b>損耗測試

    芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗

    功率器件的世界里,開關(guān)損耗是一個(gè)繞不開的關(guān)鍵話題。
    的頭像 發(fā)表于 05-07 13:55 ?433次閱讀

    浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

    主導(dǎo)著逆變器設(shè)計(jì)領(lǐng)域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率
    的頭像 發(fā)表于 04-25 11:34 ?364次閱讀
    浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的代際跨越與選型策略

    寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)

    功率電子技術(shù)的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:36 ?396次閱讀
    寬帶隙<b class='flag-5'>WBG</b><b class='flag-5'>功率</b>晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)

    開關(guān)電源環(huán)路開關(guān)電源技術(shù)的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

    上世紀(jì)60年代,開關(guān)電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和
    發(fā)表于 04-09 15:02

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET解決LLC功率調(diào)整時(shí)的開關(guān)損耗痛點(diǎn)

    LLC諧振轉(zhuǎn)換器的核心優(yōu)勢在于 開關(guān)實(shí)現(xiàn)的高效率、寬輸入適應(yīng)性及高功率密度 ,其典型應(yīng)用涵蓋消費(fèi)電子、工業(yè)電源、新能源、醫(yī)療等高要求領(lǐng)域。與SiC MOSFET結(jié)合后,LLC在高頻、高溫、高可靠性
    的頭像 發(fā)表于 03-07 07:30 ?362次閱讀
    國產(chǎn)碳化硅MOSFET解決LLC<b class='flag-5'>功率</b>調(diào)整時(shí)的<b class='flag-5'>硬</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>損耗痛點(diǎn)

    二極管橋堆橋和橋區(qū)別

    1、橋,也叫開關(guān)橋,是整流橋的一種變形,它主要由可控硅(thyristor)等元器件組成。橋?qū)崿F(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 02-07 17:20 ?1174次閱讀

    碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景

    功率轉(zhuǎn)換器中具有許多優(yōu)勢,例如提高功率密度和效率,因此可能非常適合于空間應(yīng)用。然而,這些WBG器件的抗輻射性能需要被仔細(xì)考慮。本文概述了在飛機(jī)和空間
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:13 ?1125次閱讀
    碳化硅(SiC)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景

    WBG 器件給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來的挑戰(zhàn)

    :RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對(duì) WBG 柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料,因其開關(guān)更快且損耗更低,相較于傳統(tǒng)硅 (Si) 在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域更具優(yōu)勢。對(duì)于需要關(guān)鍵考
    發(fā)表于 09-27 15:05 ?1078次閱讀
    <b class='flag-5'>WBG</b> <b class='flag-5'>器件</b>給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來的挑戰(zhàn)

    開關(guān)技術(shù)的原理和分類

    開關(guān)技術(shù),作為一種先進(jìn)的電力電子技術(shù),在近年來得到了廣泛的關(guān)注和應(yīng)用。該技術(shù)通過優(yōu)化開關(guān)元件的開關(guān)過程,實(shí)現(xiàn)了降低開關(guān)損耗、提高系統(tǒng)效率、
    的頭像 發(fā)表于 08-14 17:23 ?5050次閱讀

    開關(guān)電路可以分為哪幾類

    開關(guān)電路是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的技術(shù),它通過減少開關(guān)器件開關(guān)過程中的電壓和電流應(yīng)力,從而降低
    的頭像 發(fā)表于 08-14 11:06 ?2228次閱讀

    液晶拼接屏是屏好還是屏好呢

    液晶拼接屏的屏和屏各有其特點(diǎn),選擇哪種屏幕主要取決于具體的應(yīng)用場景和需求。
    的頭像 發(fā)表于 07-22 09:42 ?676次閱讀

    功率器件開關(guān)波形分析

    功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確
    的頭像 發(fā)表于 07-19 14:08 ?1607次閱讀

    IGBT功率器件功耗

    IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是
    的頭像 發(fā)表于 07-19 11:21 ?1336次閱讀
    IGBT<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>功耗