今日比亞迪IGBT技術(shù)解析會在浙江寧波順利召開。解析會上比亞迪在車規(guī)級領(lǐng)域發(fā)布了具有標(biāo)桿性意義的IGBT4.0技術(shù)，再一次展示出其在電動車領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

2005年，比亞迪組建IGBT研發(fā)團(tuán)隊，正式進(jìn)軍IGBT領(lǐng)域。

此前，IGBT的核心技術(shù)長期以來始終掌握在國外廠商手里。到了2009年，比亞迪IGBT芯片成功通過中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會組織的科技成果鑒定，這也標(biāo)志著中國在IGBT芯片技術(shù)上實現(xiàn)零的突破，打破了國際巨頭的技術(shù)壟斷僵局。

如今，在該領(lǐng)域比亞迪截至2018年11月，累計申請IGBT相關(guān)專利175件，其中授權(quán)專利114件。這對于促進(jìn)我國芯片產(chǎn)業(yè)以及新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有深遠(yuǎn)影響。

“命脈”IGBT

另外，IGBT也是新能源汽車最為核心的技術(shù)，其好壞直接影響電動車功率的釋放速度：直接控制直、交流電的轉(zhuǎn)換，同時對交流電機(jī)進(jìn)行變頻控制，決定驅(qū)動系統(tǒng)的扭矩（直接影響汽車加速能力）、最大輸出功率（直接影響汽車最高時速）等，被稱為電力電子裝置的“CPU”。 因此，一塊IGBT模塊盡管只有巴掌大小，卻是駕馭一臺龐大裝備的“命脈”。

在會上，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會IC設(shè)計分會副理事長周生明表示：“比亞迪有得天獨厚的條件，做IGBT有最大的自己的應(yīng)用市場，可以讓我們充分施展拳腳，如果沒有比亞迪這樣整體的產(chǎn)業(yè)鏈，也許你造出來的IGBT很多人也不敢用，原來我們是依賴型經(jīng)濟(jì)，現(xiàn)在遇到了貿(mào)易爭端發(fā)現(xiàn)依賴型不行，特別是我們的產(chǎn)品和他國產(chǎn)品形成競爭時，你會感覺到這是我們的瓶頸。但是比亞迪依靠自身強(qiáng)大的研發(fā)實力和人才的聚集、產(chǎn)業(yè)鏈的搭配，在這方面有了非常核心的突破，這個突破不是今天想明天投入就能實現(xiàn)的，是積累了十多年的技術(shù)、人才和產(chǎn)業(yè)鏈的供應(yīng)，一般的企業(yè)不具備這種市立，所以這是今天我學(xué)習(xí)到的最深的東西?！?/p>

如今，比亞迪經(jīng)過十余年耕耘，成功研發(fā)出全新的車規(guī)級產(chǎn)品IGBT4.0，成為車規(guī)級IGBT的標(biāo)桿。得益于在IGBT領(lǐng)域的成果，使比亞迪電動汽車的超凡性能得以成功落地，并具有持續(xù)迭代升級的能力。如比亞迪全新一代唐EV的百公里加速時間達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的4.4秒的成績，不少的功勞也得益于IGBT對電流準(zhǔn)確、有效的控制。同時，比亞迪IGBT在芯片損耗、電流輸出能力等方面的優(yōu)異性能，和電池等其他關(guān)鍵技術(shù)一起，將比亞迪全新一代唐EV等純電動車的續(xù)航里程提升到了600公里（60KM/小時等速行駛情況下）。

作為中國第一家實現(xiàn)車規(guī)級IGBT大規(guī)模量產(chǎn)、也是唯一一家擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈的車企，此次發(fā)布會上，比亞迪還釋放了另一重磅消息：比亞迪已投入巨資布局性能更加優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預(yù)計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。

“雙芯”加持

享有“技術(shù)狂”之稱的比亞迪掌握了功率半導(dǎo)體和電池“雙芯”、電機(jī)、電控等電動車全產(chǎn)業(yè)鏈的核心技術(shù)。同時也是全球唯一一家同時擁有動力電池和電動汽車大規(guī)模生產(chǎn)能力的企業(yè)。

電池技術(shù)方面，比亞迪在電池領(lǐng)域已有24年經(jīng)驗，具備100%自主研發(fā)、設(shè)計和生產(chǎn)能力，并形成了完整（原材料、研發(fā)、設(shè)計、制造、應(yīng)用以及回收）的電池產(chǎn)業(yè)鏈。

電機(jī)方面，比亞迪新能源汽車采用了永磁同步電機(jī)，具有高效率、高功率密度、高可靠性的特點。相對國內(nèi)工業(yè)電機(jī)企業(yè)轉(zhuǎn)型制造的動力電機(jī)，以及部分車企外采的做法，比亞迪作為掌握汽車驅(qū)動電機(jī)核心技術(shù)的汽車品牌，配套兼容性更強(qiáng)。

此次發(fā)布會上，比亞迪宣布，已經(jīng)成功研發(fā)了SiC MOSFET（汽車功率半導(dǎo)體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預(yù)計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現(xiàn)SiC基車用功率半導(dǎo)體對硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。

比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續(xù)迭代更新的新一代‘殺手锏’，我們期望在加速、續(xù)航等性能指標(biāo)上，為廣大消費者帶來更多驚喜。”