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LM2830系列 高頻1A降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-07-21 10:42 ? 次閱讀
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LM2830穩(wěn)壓器是一款單片、高頻、PWM降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,采用 5引腳SOT-23和6引腳WSON封裝。該設(shè)備提供所有有源功能 本地 DC-DC 轉(zhuǎn)換,具有快速瞬態(tài)響應(yīng)和精確調(diào)節(jié),最小 可能的 PCB 面積。LM2830穩(wěn)壓器使用最少的外部元件,易于使用。這 能夠使用最先進(jìn)的 0.5 μm 通過內(nèi)部 130 mΩ PMOS 開關(guān)驅(qū)動(dòng) 1.0 A 負(fù)載 BiCMOS 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最佳功率密度。世界一流的控制電路 允許導(dǎo)通時(shí)間低至 30 ns,從而支持超高的轉(zhuǎn)換 整個(gè)3V至5.5V輸入工作范圍,最低輸出電壓為0.6V。開關(guān) 頻率在內(nèi)部設(shè)置為 1.6 MHz 或 3.0 MHz,允許使用極小的 表面貼裝電感器和片式電容器。即使工作頻率很高, 高達(dá) 93% 的效率很容易實(shí)現(xiàn)。包括外部關(guān)斷功能,具有超低 待機(jī)電流為 30 nA。LM2830穩(wěn)壓器使用電流模式控制和內(nèi)部補(bǔ)償 在廣泛的工作條件下提供高性能調(diào)節(jié)。附加 特性包括內(nèi)部軟啟動(dòng)電路,可減少浪涌電流、逐脈沖電流 限位、熱關(guān)斷和輸出過壓保護(hù)。
*附件:lm2830.pdf

特性

  • 采用
    SOT-23 封裝的 LM2830Z-Q1 和 LM2830X-Q1 是汽車級(jí)
    產(chǎn)品,符合 AEC-Q100 1
    級(jí)標(biāo)準(zhǔn)(–40°C 至 +125°C 工作
    結(jié)溫)
  • 節(jié)省空間的 SOT-23 封裝
  • 輸入電壓范圍為 3.0 V 至 5.5 V
  • 輸出電壓范圍為 0.6 V 至 4.5 V
  • 1.0A 輸出電流
  • 高開關(guān)頻率
    • 1.6 兆赫 (LM2830X)
    • 3.0兆赫(LM2830Z)
  • 130mΩ PMOS開關(guān)
  • 0.6V、2% 內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源
  • 內(nèi)部軟啟動(dòng)
  • 電流模式,PWM作
  • 熱關(guān)斷
  • 過壓保護(hù)

參數(shù)

image.png

方框圖
image.png

?1. 產(chǎn)品概述?
LM2830/LM2830-Q1是德州儀器(TI)推出的高頻PWM降壓DC-DC穩(wěn)壓器,具有以下核心特性:

  • ?輸入電壓范圍?:3.0V至5.5V
  • ?輸出能力?:0.6V至4.5V可調(diào),最大1.0A連續(xù)輸出電流
  • ?開關(guān)頻率?:1.6MHz(LM2830X)或3.0MHz(LM2830Z)
  • ?封裝?:5引腳SOT-23和6引腳WSON,適用于緊湊PCB設(shè)計(jì)
  • ?關(guān)鍵特性?:內(nèi)部軟啟動(dòng)、電流模式PWM控制、熱關(guān)斷、過壓保護(hù)

?2. 主要應(yīng)用場(chǎng)景?

?3. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

  • ?電感選擇?:需滿足峰值電流需求(如1.6MHz版本推薦3.3μH電感)
  • ?輸入/輸出電容?:建議22μF陶瓷電容(X5R/X7R類型)以降低ESR
  • ?二極管選型?:低正向壓降(0.3V)肖特基二極管(如Toshiba CRS08)
  • ?反饋電阻?:通過分壓電阻(如R1=45.3kΩ, R2=10kΩ)設(shè)置輸出電壓

?4. 效率與熱管理?

  • 效率高達(dá)93%(典型值)
  • 熱阻參數(shù):
    • SOT-23封裝:RθJA=165.2°C/W
    • WSON封裝:RθJA=53.9°C/W
  • 熱關(guān)斷閾值:165°C(滯后15°C)

?5. 典型電路示例?

  • ?1.2V/1.0A輸出設(shè)計(jì)?:
    • 電感:3.3μH(Coilcraft ME3220)
    • 反饋電阻:R1=10kΩ, R2=10kΩ
  • ?3.3V/1.0A輸出設(shè)計(jì)?:
    • 電感:2.2μH(1.6MHz)或1.6μH(3.0MHz)
    • 反饋電阻:R1=45.3kΩ, R2=10kΩ

?6. 布局建議?

  • 關(guān)鍵優(yōu)先項(xiàng):輸入電容、二極管和IC的GND需緊密耦合
  • 高頻路徑:縮短VIN/SW/VOUT走線以減少輻射噪聲
  • 熱焊盤設(shè)計(jì):WSON封裝需添加4-6個(gè)散熱過孔
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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