引言
在芯片設計的流片之路充滿挑戰(zhàn),物理驗證EDA工具無疑是這“最后一公里”關鍵且不可或缺的利器。它通過設計規(guī)則檢查、版圖與原理圖一致性驗證等關鍵流程,為IC設計契合制造需求提供堅實保障。作為簽核(Signoff)環(huán)節(jié)的關鍵防線,物理驗證EDA工具有力保障了流片的可靠性與成功率,堪稱芯片成功流片的守護者。
在大規(guī)模數(shù)字/數(shù)?;旌螴C領域,隨著芯片設計規(guī)模突破百億晶體管級別,設計規(guī)則檢查(DRC)的復雜度呈指數(shù)級增長,層次化并行驗證加速成為提升DRC/LVS效率的關鍵。先進工藝的新型設計規(guī)則,如FinFET專屬規(guī)則驗證等,也要求物理驗證工具不斷創(chuàng)新。
在電源管理芯片(PMIC)領域,高壓器件的可靠性檢測至關重要。在存儲芯片領域,海量陣列層次的處理與物理驗證性能,直接影響芯片良率與成本。在射頻(RF)芯片設計中,由于存在異形結構,如螺旋電感、傳輸線、復雜天線形狀等,其物理驗證往往難以通過普通EDA工具完成。
此外,隨著Chiplet(芯粒)技術的興起,先進封裝(如2.5D/3D IC、異構集成)成為突破摩爾定律瓶頸的關鍵路徑。為推動Chiplet大規(guī)模落地,實現(xiàn)跨工藝節(jié)點集成、多芯片電路與版圖的一致性檢查,高效物理規(guī)則驗證成為關鍵技術挑戰(zhàn)之一。
面對挑戰(zhàn),華大九天憑借30余年的深厚積累與深耕細作,成功打造了完整物理驗證解決方案Empyrean Argus,全面覆蓋模擬、射頻、存儲、數(shù)字、面板等各類芯片設計與制造環(huán)節(jié),并廣泛適用于先進封裝領域,提供Signoff級別的驗證服務,為芯片產(chǎn)業(yè)的高質量發(fā)展提供了強大的技術支撐與保障。
Argus:以Signoff精度打造的全場景解決方案
物理驗證平臺Argus集成了多項核心物理驗證功能,全面覆蓋復雜設計場景。
1設計規(guī)則檢查 (DRC)
出色的通用DRC規(guī)則檢查,涵蓋距離、圖形關系、密度、天線、電壓等方面;可對版圖進行邏輯運算等處理,并能針對圖形、邊及角度等各類數(shù)據(jù)開展高精度檢查,并可對特定區(qū)域進行局部交互式檢查。其DRC Flat模式創(chuàng)新性地引入多線程支持功能,顯著提升了規(guī)則檢查效率。
2版圖與原理圖一致性檢查 (LVS)
支持層次化版圖網(wǎng)表高效提取,可自定義HCELL。提供特殊路徑檢查、短路/開路路徑分析的ERC應用,具備靈活的器件提取語言,可精準提取后仿所需多種參數(shù),適用于電源驅動芯片中的高壓器件、圖像傳感CIS特殊結構及3DIC器件提取。針對超大規(guī)模SoC電路,Argus的LVS工具驗證速度更快,性能優(yōu)勢顯著。
3版圖與版圖對比 (LVL)
支持多機并行,可對不同類型電路版圖實施自適應預處理,提升性能;具備雙窗口反標結果顯示等功能,滿足用戶多樣化需求。
能夠對Netlist流程進行Topological檢查,提供豐富的Python編程指令,支持基于Pattern模式檢索,降低規(guī)則與引擎的無效交互,同時支持數(shù)據(jù)與命令雙并行處理。
5冗余圖形填充 (Dummy Fill)
支持先進工藝,涵蓋鰭片高度、寬度限制、密度梯度規(guī)則及多圖案化掩膜拆分;支持多種形狀Dummy填充,以及多圖形、多層次、堆疊、伸縮填充;具備密度優(yōu)化與顏色拆分功能,滿足光刻要求,可壓縮層次存儲數(shù)據(jù)以優(yōu)化處理效率。
6圖形查找與匹配 (Pattern Match)
提供精準匹配和模糊匹配多種模式,支持層次化并行查找和匹配,方便用戶快速定位版圖中的重復結構或潛在設計缺陷。
7先進工藝掩膜拆分 (Multi Pattern)
支持先進工藝 Double-Pattern/Multi-Pattern掩膜拆分,提供多種拆分沖突的輸出形式,可將版圖圖形拆分到多張掩膜版,借助多重曝光技術,滿足高圖形密度工藝設計及先進工藝晶圓制造要求。
8物理規(guī)則開發(fā)平臺 (DRStudio)
提供界面化Design Rule開發(fā)平臺,展示邏輯圖的圖層派生關系,助力開發(fā)者理清思路;通過交互式反標功能,提高DRC/LVS Rule-Deck Debug效率,憑借可視化工具快速驗證規(guī)則邏輯并精準定位錯誤。
93DIC堆疊的跨工藝節(jié)點物理檢查
針對復雜3DIC芯片堆疊場景,Argus可實現(xiàn)跨工藝多Die組裝,自動解決版圖沖突,并對3D系統(tǒng)界面進行一致性和連接性檢查;支持用戶自定義規(guī)則檢查,支持Die在組裝過程中進行放縮、旋轉、翻轉操作,更能開展千萬級HB堆疊的高性能系統(tǒng)檢查。
針對先進封裝版圖設計中因不規(guī)則圖形導致的驗證偽錯及版圖變形等難題,采用異形版圖處理、容差處理、異構多芯片整合以及系統(tǒng)連接關系檢查等核心技術,突破先進封裝轉接板中電源地信號開路的辨別難題,并深度耦合先進封裝自動布線工具,實現(xiàn)版圖設計期間根據(jù)局部區(qū)域和檢查項目篩選進行快速設計規(guī)則檢查,驗證前移,大幅提升校錯精度和效率。
技術突破:引領行業(yè)變革
Argus 在研發(fā)創(chuàng)新、技術應用和生態(tài)布局方面展現(xiàn)出高精度、高性能、高效率和易用性,形成全鏈條優(yōu)勢。它提供Signoff級別的物理驗證高精度,無論異形結構還是復雜器件都能精準處理。其Flatten模式支持多線程并行處理,多機并行分布處理技術達到業(yè)界領先水平,CPU調用可超過1000核。
Argus的顯著性能優(yōu)勢獲得了客戶的廣泛好評。下圖展示了不同GDS Size芯片在16核CPU測試條件下的DRC驗證性能比較。不同芯片規(guī)模下,Baseline(灰色)耗時都遠高于Argus(藍色),Argus的加速比可達5-10倍。
在超大規(guī)模SoC的LVS驗證場景中,Argus的速度優(yōu)勢尤為突出。驗證2G規(guī)模版圖僅需0.4小時,對比Baseline的6.7小時,節(jié)省了半天時間;面對超大規(guī)模60G設計,Argus更是可以節(jié)省83.6小時,這相當于為整個研發(fā)團隊爭取了寶貴的3.5天,為芯片設計迭代帶來了極為顯著的加速效果。
在液晶面板領域,Argus不僅滿足主流物理驗證需求,還提供圓弧處理、偽錯去重等特色解決方案,憑借這些優(yōu)勢,已占領中國超95%的市場份額,成為面板領域事實上的Signoff標準。在大規(guī)模數(shù)字及數(shù)?;旌螴C領域,由于版圖數(shù)據(jù)量大、設計規(guī)則復雜,傳統(tǒng)物理驗證工具性能不足,成為設計迭代的瓶頸。Argus通過層次化與并行算法創(chuàng)新,實現(xiàn)了2-5倍以上性能提升,在市場競爭中取得了顯著的技術優(yōu)勢。在泛模擬設計領域,Argus在電源管理芯片的高壓可靠性檢查覆蓋率、存儲芯片陣列層次處理與驗證性能以及射頻定制規(guī)則等方面持續(xù)創(chuàng)新,助力數(shù)百億顆芯片成功量產(chǎn)。在先進封裝領域,隨著3D堆疊與Chiplet技術的興起,華大九天與先進封裝廠緊密合作,開發(fā)出多芯片版圖集成驗證解決方案,引領市場發(fā)展。在晶圓制造領域,Argus已經(jīng)通過三星、XFab等知名海外廠商的認證,國內幾乎所有晶圓制造廠都在與華大九天展開合作,加速設計工具和規(guī)則的遷移與應用。
結語
作為一款全面支持先進工藝、并獲得ISO26262國際車規(guī)安全標準認證的新一代物理驗證平臺,Argus已在超過100家客戶的實際項目中得到廣泛應用和驗證。從消費類電子到工業(yè)級芯片,再到汽車電子,高性能計算等領域,華大九天的物理驗證產(chǎn)品線在功能對標齊全的前提下,已經(jīng)從技術及應用層面展現(xiàn)出超越之勢。憑借更多晶圓制造廠及IC設計公司的支持,結合中國研發(fā)速度的優(yōu)勢,華大九天定將打破壟斷,通過技術優(yōu)勢助力中國芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。
北京華大九天科技股份有限公司(簡稱“華大九天”)成立于2009年,一直聚焦于EDA工具的開發(fā)、銷售及相關服務業(yè)務,致力于成為全流程、全領域、全球領先的EDA提供商。
華大九天主要產(chǎn)品包括全定制設計平臺EDA工具系統(tǒng)、數(shù)字電路設計EDA工具、晶圓制造EDA工具、先進封裝設計EDA工具和3DIC設計EDA工具等軟件及相關技術服務。其中,全定制設計平臺EDA工具系統(tǒng)包括模擬電路設計全流程EDA工具系統(tǒng)、存儲電路設計全流程EDA工具系統(tǒng)、射頻電路設計全流程EDA工具系統(tǒng)和平板顯示電路設計全流程EDA工具系統(tǒng);技術服務主要包括基礎IP、晶圓制造工程服務及其他相關服務。產(chǎn)品和服務主要應用于集成電路設計、制造及封裝領域。
華大九天總部位于北京,在南京、成都、深圳、上海、香港、廣州、北京亦莊、西安和天津等地設有全資子公司,在武漢、廈門、蘇州等地設有分支機構。
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原文標題:Signoff利刃出鞘!物理驗證Argus工具為大規(guī)模數(shù)字SoC/泛模擬/3DIC設計保駕護航
文章出處:【微信號:華大九天,微信公眾號:華大九天】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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