近日，中國集成電路知識產(chǎn)權(quán)聯(lián)盟秘書處綱正知識產(chǎn)權(quán)中心發(fā)布了《集成電路專利態(tài)勢報告(2018版)》。該報告分別從集成電路總體、DRAM 領(lǐng)域、FPGA 領(lǐng)域、光刻設(shè)備領(lǐng)域這四個方面，分析了各個領(lǐng)域的專利態(tài)勢。

集成電路總體專利態(tài)勢

首先來看集成電路總體的專利態(tài)勢，據(jù)報告顯示，集成電路領(lǐng)域?qū)＠暾埩繎B(tài)勢逐年增長。2010年-2015年間年均增長率 5.89%，其中 2015 年增速最高，達(dá)到 9.28%。

截止到 2017 年 12 月 31 日，集成電路領(lǐng)域全球公開專利申請 209.7 萬件，授權(quán) 144.5 萬件。其中，中國大陸申請 46.4 萬件，授權(quán) 27.8 萬件，緊隨美國和日本之后，位列第三。

報告指出，《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》等全國及地方各層面戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)規(guī)劃的相繼出臺營造了良好發(fā)展環(huán)境，激發(fā)企業(yè)活力和創(chuàng)造力，帶動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同可持續(xù)發(fā)展，推動中國集成電路領(lǐng)域跨越式發(fā)展。

截至目前，全球?qū)＠暾埧偭康墓谲娛?a href="http://www.socialnewsupdate.com/tags/三星/" target="_blank">三星，隨后分別是 NEC、高通、日立、富士通、松下、東芝、三菱化學(xué)、IBM 和索尼?？梢钥吹?，在前十名中有一家韓國企業(yè)、兩家美國企業(yè)和七家日本企業(yè)。

而在中國大陸專利申請總量排名中，排在第一和第二位的分別是中興通訊和華為。隨后分別是三星、國家電網(wǎng)、高通、京東方、松下、OPPO、英特爾和臺積電。

從 2017 年新公開的全球?qū)＠暾埩颗琶麃砜?，高通和三星仍占?jù)前兩位。值得一提的是，排名前十的企業(yè)中，有三家中國企業(yè)上榜，分別是華為、中興和京東方，可見中國企業(yè) 2017 年也在全球持續(xù)大量布局。

而在 2017 年新公開的中國大陸專利申請量排名中，申請量最大的為中興通訊，其后為國家電網(wǎng)、努比亞和華為，與中國大陸申請總量排名差異不大。值得一提的是，OPPO 和小米等中國廠商進(jìn)入前十，表明近年來在加強(qiáng)專利布局方面正在逐步追趕。

在集成電路行業(yè)專利技術(shù)領(lǐng)域排名（IPC 大組前十）中，申請量較大的領(lǐng)域集中于集成電路的制造、零器件、數(shù)據(jù)交換與傳輸、光刻設(shè)備以及存儲器。

在中國大陸內(nèi)地省市專利排名中，廣東省集成電路專利申請量達(dá) 90790 件，位居全國首位。北京、江蘇、上海和浙江緊隨其后，分別以52067件、35336件、31298件、24493件專利申請量位居第二、三、四、五位。

總體來看，全球集成電路行業(yè)專利態(tài)勢呈現(xiàn)五個特點(diǎn)：一是全球范圍內(nèi)集成電路行業(yè)的專利申請量現(xiàn)階段趨于穩(wěn)定；二是在申請人和申請地域兩個維度呈現(xiàn)聚集的特點(diǎn)；三是申請人以企業(yè)為主；四是 2017 年，集成電路領(lǐng)域?qū)＠_量仍然較大；五是中國信息技術(shù)申請總量中占比較高的多為經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)地區(qū)。

DRAM 領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢

在 DRAM 領(lǐng)域，截止到 2017 年 12 月 31 日，全球公開專利申請 14 萬余件，全球申請總量排名日本最高，其后是美國和韓國。其中，中國大陸專利 6 千余件，位居第六位。

DRAM 行業(yè)專利申請高峰期在 1995 年到 2006 年。1995 年申請量開始新一輪激增，正是 DDR 技術(shù)開始發(fā)展的時期。巔峰時期可以達(dá)到年申請量 6000 多件，從 2007 年開始專利申請量逐年下降，近兩年維持在每年 2000 件左右。

在全球 DRAM 專利申請總量排名中，位居前列的主要申請人有：三星、海力士、美光和日立。值得注意的是，這與 DRAM 內(nèi)存市場占有率也相匹配。

而在中國大陸 DRAM 專利申請總量排名中，位居前列的企業(yè)主要有：海力士、三星、NEC 和IBM等。

總體來看，DRAM 領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢呈現(xiàn)三個特點(diǎn)：一是 DRAM 領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展較為成熟，技術(shù)研發(fā)投入有所減少；二是 DRAM 研發(fā)重心在于 DRAM 操作和設(shè)計方面；三是 DRAM 領(lǐng)域知識產(chǎn)權(quán)作用巨大。

FPGA 領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢

在 FPGA 領(lǐng)域，截止到 2017 年 12 月 31 日，全球公開專利申請 8 萬余件，全球申請總量排名中國大陸最高，總共申請專利 2 萬余件，其后是美國和日本。

FPGA 領(lǐng)域全球?qū)＠暾埥?jīng)歷了三個階段，第一個階段是 1989 年到 2000 年，處于萌芽期，申請量較少，第二階段是 2001 年到 2012 年，是 FPGA 產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展期，年申請量直線上升，第三階段是 2013 年到 2017 年，上升趨勢趨于穩(wěn)定，年申請量小幅上升。

在全球 FPGA 專利申請總量排名中，位居前三的企業(yè)為 ALTERA、賽靈思和 L attice。值得一提的是，在前十的排名中，有兩家中國企業(yè)也入圍了，分別是位居第四和第七的中國電網(wǎng)和中興。

而在中國大陸 FPGA 專利申請總量排名中，主要的申請人為國家電網(wǎng)、中興通訊和華為等企業(yè)及北京航空航天大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、浙江大學(xué)和電子科技大學(xué)等高校。

報告指出，F(xiàn)PGA 領(lǐng)域?qū)＠饕性?H03K19/177和 H03K19/173矩陣式排列的邏輯電路，另外，由于 FPGA 中很多涉及硬件電路編程語言的，還有相當(dāng)一部分專利聚焦在計算機(jī)輔助設(shè)計、電路測試上。

總體來看，F(xiàn)PGA 領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢呈現(xiàn)四個特點(diǎn)：一是FPGA領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展較為成熟，上升趨勢趨于穩(wěn)定；二是全球范圍內(nèi)，中國、美國和日本申請量位于前列；三是 FPGA 領(lǐng)域?qū)＠钟姓呦鄬Ρ容^集中；四是 FPGA 領(lǐng)域國內(nèi)主要研發(fā)主體還是高校。

光刻設(shè)備領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢

在光刻設(shè)備領(lǐng)域，截止到 2017 年 12 月 31 日，全球公開專利申請 8.2 萬件，全球申請總量排名美國最高，其后是日本和韓國。其中，中國大陸專利 1 萬件，位居第四位。

在全球光刻設(shè)備專利申請總量排名中，ASML 位居榜首，緊隨其后的是卡爾蔡司、海力士和三星。

而在中國大陸光刻設(shè)備專利申請總量排名中，除 ASML 依然位居榜首外，其余位居前十的基本都是中國企業(yè)，分別有中芯國際、上海微電子裝備有限公司、京東方、上海華虹宏力、上海華力微電子，還有中科院光電研究所和中科院微電子所兩家科研院所。

報告指出，光刻領(lǐng)域?qū)＠琶^高的類別聚焦在 G03F7圖紋面、H01L21專門適用于制造和處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備上，申請量明顯高出其他分類。

總體來看，光刻設(shè)備領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢呈現(xiàn)四個特點(diǎn)：一是光刻設(shè)備技術(shù)近幾年申請量相對穩(wěn)定；二是全球范圍內(nèi)日本和美國申請量位于全球前列，韓國第三；三是光刻設(shè)備領(lǐng)域中國主要的申請人中，主要為企業(yè)；四是光刻設(shè)備主要技術(shù)集中在 G03F7、H01L21兩個 IPC 類別上，說明曝光材料及設(shè)備、半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)在光刻設(shè)備領(lǐng)域占比較高。