（電子發(fā)燒友網報道 文/章鷹）“華潤微公司在深圳的投資已經超過200億元，潤鵬半導體12英寸集成電路生產線項目已經在2024年12月順利實現投產，也意味著我們正式加入深圳市半導體的大家庭。” 華潤微電子有限公司副總裁馬衛(wèi)清在2025中國（深圳）集成電路峰會表示。

2025年功率半導體市場有哪些機遇？全球功率半導體的頭部廠商和中國廠商在占有率上有哪些變化？汽車企業(yè)自研SIC器件有哪些進展？本文結合華潤微電子有限公司副總裁馬衛(wèi)清的觀點和比亞迪、理想等汽車企業(yè)的最新實踐進行分析。

2025年功率半導體銷售規(guī)模將達815億美元，中國企業(yè)在IGBT、MOS嶄露頭角

全球功率半導體市場集中度較高，前五家均為歐美日廠商，包括英飛凌、安森美、意法半導體，2024年累計占比約42%。其中英飛凌占比18%，安森美占比9%，意法半導體占比7%，三菱電機和富士電機分別占比5%和4%。中國廠商士蘭微、比亞迪進入前十行列。

中國功率半導體上市公司全球市占率在細分領域已經嶄露頭角，2023年國內功率公司晶閘管/二極管/小信號等累計占全球5.3%，MOS占8.5%，IGBT占19%，整體國產替代仍然有較大空間。在全球智能傳感器方面，全球領導的品牌依然是博世、霍尼韋爾、西門子等，國內廠商整體處于追隨者地位。

華潤微副總裁馬衛(wèi)清表示，盡管功率半導體行業(yè)面臨著諸多挑戰(zhàn)，包括面臨突破國際巨頭的市場壟斷、應對供應鏈的不穩(wěn)定以及跨越終端市場的高準入門檻等，但隨著AI、新能源以及電動汽車等新興產業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率半導體產業(yè)正迎來新一輪的創(chuàng)新發(fā)展機遇，有望實現產業(yè)升級與突破。

比如在新能源體系的變革下，功率半導體市場規(guī)模將顯著受惠于新能源產業(yè)光伏、儲能、風電、汽車電動化/智能化、AI等應用蓬勃發(fā)展，2024年功率半導體全球市場規(guī)模預計達到757億美元，2025年有望達到815億美元，中國是全球最大的功率半導體消費國，2024年需求預計達到283億美元，占全球需求超37%，2025年市場規(guī)模有望達到381億美元。

他還提到，AI技術飛速發(fā)展，賦能傳統行業(yè)不斷升級，人機互聯方式從桌面互聯網經移動互聯網邁向萬物互聯。在當下AI時代，多模態(tài)AI成為新應用的優(yōu)質載體，并且推動功率半導體、傳感器產品和高端集成電路，配合AI驅動帶來的芯片產品性能提升，如汽車智能化DC-DC、IGBT、SIC、MCU、CPU、GPU、FPGA等以及人形機器人CIS、IMU等的需求爆發(fā)。

800V車型快速上市，帶來SiC器件需求快速增長！汽車企業(yè)自研SiC器件加速

華潤微副總裁馬衛(wèi)清指出，新能源汽車供應鏈變短，主機廠更愿意與芯片廠商直接對話，甚至進行自研芯片，以提高效率和響應速度。電子發(fā)燒友調研顯示，比亞迪汽車旗下的比亞迪半導體，比亞迪半導體自研的1200V/1040A SiC模塊在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率大幅度提升了近30%。

2025年3月17日，比亞迪e平臺技術發(fā)布會上，比亞迪董事長兼總裁王傳福發(fā)布了“兆瓦閃充”技術，這一創(chuàng)新技術可實現最高充電電壓1000V，最大充電電流1000A，最高充電倍率10C，最大充電功率1MW，最高峰值充電速度可實現1秒2公里，5分鐘充電400公里。

比亞迪集團執(zhí)行副總裁廉玉波宣布，比亞迪正式發(fā)布1500V車規(guī)級SiC功率芯片，這也是行業(yè)首次量產應用的、最高電壓等級的車規(guī)級SiC功率芯片。首搭車型覆蓋漢L EV、唐L EV、仰望U7、騰勢N9。

此外，長安汽車的車規(guī)級SiC芯片流片成功。3月4日，長安汽車與重慶大學聯合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。該項目在2023年4月啟動，此次流片下線的SiC功率芯片在耐壓和閾值電壓等關鍵參數上均表現出優(yōu)秀的性能。器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達1700V以上；閾值電壓一致性表現優(yōu)異，通過率達到98%，實測值分布集中，具有較強的抗干擾能力，在大批量使用時更易于配對，從而節(jié)約成本。

6月13日，理想汽車首次公開發(fā)布了新一代電驅動核心技術——自研高壓碳化硅功率模塊LPM（Li Power Module)。“這款產品歷時3年半完成了從設計到量產的全過程，即將在下個月搭載于理想汽車新一代純電車型理想i8中首發(fā)上市，并且未來會陸續(xù)搭載在所有理想純電車型上?！崩硐肫噭恿︱寗硬块T電子電力高級總監(jiān)袁寶成表示。

這款產品給汽車帶來兩大優(yōu)勢：一、理想i8采用SiC功率模塊，相對IGBT模塊增加6%續(xù)航，約40公里。在此基礎上，通過關鍵技術組合，理想汽車自研SiC功率模塊可以把續(xù)航再提升1%，以理想i8為例，續(xù)航就又增加了大概7公里。

二、模塊體積縮小。理想汽車在自研SiC模塊上，做了一個巨大改動：徹底拋棄了外露的傳統功率端子和螺栓連接方式，轉而采用了更精巧的內部開窗設計——直接在模塊本體上直接開出窗口，讓大電容和銅排可以直接“對號入座”。理想SiC模塊與市場常見的半橋模塊相比“占地面積”直接減半，模塊Y方向尺寸減少了40mm。

據悉，目前理想汽車已在功率半導體領域持續(xù)投入多年，具備了從功率半導體到整車、從設計到制造的全鏈條能力。未來，這家汽車公司也將在SiC功率模塊等純電核心技術上持續(xù)耕耘。

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