eSSD介紹

eSSD是企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（Enterprise Solid State Drive）的縮寫(xiě)，是面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心環(huán)境設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)設(shè)備，旨在滿足企業(yè)對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在性能、可靠性、可擴(kuò)展性和管理性等方面的嚴(yán)格要求。相較于消費(fèi)級(jí)SSD，eSSD具有更高的讀寫(xiě)速度，更低的延遲，更大的存儲(chǔ)容量以及更高的可靠性，并且具有斷電保護(hù)功能。

為實(shí)現(xiàn)其斷電保護(hù)功能，eSSD通常會(huì)配備大容量的電容。在正常供電時(shí)，電容會(huì)充電儲(chǔ)能。當(dāng)檢測(cè)到斷電瞬間，電容釋放儲(chǔ)存的電能，為控制器和閃存芯片提供短暫的電力，使控制器有足夠時(shí)間將緩存中尚未寫(xiě)入閃存的數(shù)據(jù)安全寫(xiě)入，避免數(shù)據(jù)丟失。

產(chǎn)業(yè)背景

當(dāng)前用于eSSD斷電保護(hù)的電容有液態(tài)鋁電解電容、固體聚合物鉭電容以及超級(jí)電容。但隨著eSSD朝著更高密度存儲(chǔ)、更快讀寫(xiě)速度、更小體積的方向演進(jìn)，系統(tǒng)對(duì)儲(chǔ)能電容提出了更高的要求：

①更大的電容量，以滿足毫秒級(jí)甚至更長(zhǎng)時(shí)間的供電要求。以20W功率的eSSD為例，要滿足10ms以上的供電時(shí)間，則需要總電容量500μF，且再留50%~100%的余量，即750μF~1000μF。若要達(dá)到1000μF，使用47μF的電容需要22pcs，但使用100μF的電容則僅需10pcs,數(shù)量減少55%。

②更高的體積利用率，適合eSSD高存儲(chǔ)密度需求，滿足高密度貼裝，在相同功率下進(jìn)一步薄型化。例如E3.S（2U short）eSSD在同樣的功率40W下高度從16.8mm進(jìn)一步降低至7.5mm，對(duì)應(yīng)電容的高度則會(huì)限制到1.5mm以下；

③在較寬的溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定,大部分eSSD工作溫度范圍需達(dá)到-40℃~85℃，電容則需要在更寬的溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定（-55℃~125℃）；

Sunlord針對(duì)上述痛點(diǎn)需求，推出高性能聚合物鉭電容TP系列，實(shí)現(xiàn)eSSD更加可靠的斷電保護(hù)。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

與目前eSSD使用的液態(tài)鋁電解電容相比，Sunlord新型固體聚合物鉭電容器TP系列具有如下優(yōu)點(diǎn)：

更大電容量

①高介電常數(shù)

鉭電容的介質(zhì)是五氧化二鉭（Ta?O?），其介電常數(shù)（ε）遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)電容材料（如鋁電解電容的氧化鋁介電常數(shù)約8～10，而Ta?O?可達(dá)27～30）。

②超薄介質(zhì)層

鉭電容的介質(zhì)層通過(guò)陽(yáng)極氧化工藝形成，厚度可控制在微米級(jí)（如1～5μm），遠(yuǎn)薄于鋁電解電容的介質(zhì)層（通常10～20μm）。

根據(jù)電容公式,其中C為電容，ε為介電常數(shù)，S為極板面積，d為介質(zhì)厚度，上述固態(tài)聚合物鉭電容對(duì)比液態(tài)鋁電解電容分別實(shí)現(xiàn)了ε的提高和d的減小，綜合提升單位體積的電容量。

更小尺寸、更低高度

①高密度結(jié)構(gòu)

固態(tài)聚合物鉭電容使用導(dǎo)電聚合物作為電解質(zhì)，相比液態(tài)電解質(zhì)，其結(jié)構(gòu)更緊湊，可填充到鉭粉的細(xì)微孔隙中，減少空隙。此外，固態(tài)電解質(zhì)無(wú)需預(yù)留膨脹空間，封裝體積利用率更高，間接提升單位體積的容量，使得電容尺寸得以減小。

②小型化、低背化

將同電性的Sunlord固態(tài)聚合物鉭電容與常規(guī)液態(tài)鋁電解電容對(duì)比：

圖片來(lái)自順絡(luò)內(nèi)部

更高可靠性

①電解質(zhì)穩(wěn)定

固態(tài)導(dǎo)電聚合物電解質(zhì)，不存在液態(tài)電解液干涸、泄漏或揮發(fā)的問(wèn)題，長(zhǎng)期使用不易因電解質(zhì)劣化導(dǎo)致性能下降。

②使用溫度范圍廣

固態(tài)聚合物鉭電容可以在很寬的溫度范圍內(nèi)工作，即使是惡劣環(huán)境中也能使用。

圖片來(lái)自順絡(luò)內(nèi)部

③耐壓特性優(yōu)

聚合物電解質(zhì)導(dǎo)電均勻性好，即使在高電壓或瞬態(tài)過(guò)載情況下，也能保持穩(wěn)定的介電性能。

圖片來(lái)自順絡(luò)內(nèi)部

與傳統(tǒng)Frame結(jié)構(gòu)鉭電容相比，Sunlord新型固體聚合物鉭電容器TP系列具有如下優(yōu)點(diǎn)：

高體積利用率

Sunlord新型鉭電容通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)體積利用率提升25%。在相同封裝體積內(nèi)，新結(jié)構(gòu)增加了鉭芯長(zhǎng)度，提高鉭粉裝粉量。根據(jù)公式CV=比容*粉重，當(dāng)比容一定時(shí)，粉重提升相當(dāng)于C值（電容值）和V值（額定電壓）提高，并且可以在相同電性下實(shí)現(xiàn)更小尺寸和更低高度。

圖片來(lái)自順絡(luò)內(nèi)部

全密封結(jié)構(gòu)

傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)Frame金屬端子與塑封料的熱膨脹系數(shù)(CTE)差異大，導(dǎo)致之間有縫隙，水汽容易滲入導(dǎo)致漏電流增大而失效。新結(jié)構(gòu)采用PCB代替Frame，與塑封料的熱膨脹系數(shù)接近且結(jié)合性好，防潮性更高。新型鉭電容可通過(guò)額定電壓下1000h+的雙85實(shí)驗(yàn)（溫度85℃，濕度85%）考核。

圖片來(lái)自順絡(luò)內(nèi)部

型號(hào)推薦

圖片來(lái)自順絡(luò)內(nèi)部