電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前鎧俠Kioxia 在其企業(yè)戰(zhàn)略會(huì)議上宣布了其在人工智能時(shí)代的中長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略。鎧俠通過(guò)提供存儲(chǔ)技術(shù)和支持?jǐn)?shù)據(jù)創(chuàng)新的解決方案，繼續(xù)在信息基礎(chǔ)設(shè)施中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

預(yù)計(jì)到2029年，近一半的NAND需求將與人工智能相關(guān)。Kioxia旨在通過(guò)先進(jìn)的SSD產(chǎn)品和技術(shù)，以支持人工智能系統(tǒng)不斷變化的需求。鎧俠正在開發(fā)鎧俠CM9系列、鎧俠LC9系列和其他系列，作為其使用第8代BiCS FLASH的最新SSD產(chǎn)品線。KIOXIA CM9系列是用于AI系統(tǒng)的高性能SSD，旨在最大限度地提高需要高性能和高可靠性的GPU能力。KIOXIA LC9系列是一款大容量SSD，容量達(dá)到122TB，適用于推理中使用的大型數(shù)據(jù)庫(kù)等用例。Kioxia利用閃存技術(shù)和SSD技術(shù)的融合，包括內(nèi)部SSD控制器和SSD固件，并利用其在企業(yè)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)，繼續(xù)推進(jìn)SSD發(fā)展，致力于擴(kuò)大其市場(chǎng)份額。

NAND芯片的成本競(jìng)爭(zhēng)力水平取決于單個(gè)芯片可以容納多少位。一般來(lái)說(shuō)提高位密度的方法包括以下幾種:“垂直擴(kuò)展”，即增加層數(shù)?！皺M向縮小”技術(shù)，這是鎧俠的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，涉及減少芯片的二維面積。引入新的架構(gòu)，如CBA(直接連接到陣列的CMOS)。通過(guò)QLC等方法提高邏輯比特密度。

橫向縮小，鎧俠(Kioxia)與合作伙伴合作開發(fā)了一種名為“On Pitch Select Gate Drain”(OPS)的突破性技術(shù)。該技術(shù)減少了存儲(chǔ)單元的字線(水平)層中的面積開銷。在BiCSFLASH的第6代之前，在傳統(tǒng)布局中，一些存儲(chǔ)孔被犧牲并變?yōu)榉腔顒?dòng)狀態(tài)，以提供物理隔離，從而允許物理頁(yè)的單獨(dú)選擇。在BiCSFLASH的第8代中，鎧俠成為業(yè)內(nèi)首家采用OPS技術(shù)的廠商，該技術(shù)能夠在活動(dòng)存儲(chǔ)孔之間形成隔離，顯著減少面積開銷。

過(guò)去，架構(gòu)從CNA(CMOSNexttoArray)發(fā)展到CUA(CMOS UnderArray)，這減少了CMOS的面積開銷，但仍然需要路由開銷將CMOS連接到存儲(chǔ)單元。在BiCSFLASH的第8代中引入的CBA技術(shù)通過(guò)分別制造CMOS和單元陣列并將它們粘合在一起進(jìn)一步減少了這種開銷。此外，由于CBA技術(shù)允許CMOS芯片和存儲(chǔ)單元芯片在其最佳的熱條件下單獨(dú)處理，兩者都可以達(dá)到其最高的性能水平。

BiCS FLASH技術(shù)戰(zhàn)略正在沿著兩個(gè)軸推進(jìn)開發(fā):一個(gè)軸是增加傳統(tǒng)方式下的層數(shù)，提供大容量和高性能的產(chǎn)品線，另一個(gè)軸是通過(guò)將現(xiàn)有單元技術(shù)與最新的CMOS技術(shù)相結(jié)合，充分利用CBA技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)高性能并降低投資成本。我們稱之為雙軸戰(zhàn)略。

首先，對(duì)于大容量、高性能的產(chǎn)品線，我們將結(jié)合進(jìn)一步的堆疊與橫向收縮開發(fā)具有高位密度和大容量的產(chǎn)品，如BiCSFLASH第10代及更高版本，以滿足企業(yè)和數(shù)據(jù)中心SSD市場(chǎng)的需求。其次，對(duì)于以性能為核心的產(chǎn)品線，我們將開發(fā)BiCSFLASH第九代，利用CBA技術(shù)，將現(xiàn)有的一代存儲(chǔ)單元與高速CMOS技術(shù)相結(jié)合，從而滿足各種尖端應(yīng)用的要求。由于我們利用了現(xiàn)有的內(nèi)存單元世代，可以抑制與堆疊層相關(guān)的資本投資，同時(shí)滿足人工智能驅(qū)動(dòng)的邊緣應(yīng)用的需求。通過(guò)這一雙軸戰(zhàn)略，鎧俠的目標(biāo)是保持最佳的投資效率，同時(shí)開發(fā)滿足下一代應(yīng)用先進(jìn)需求的有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。

目前，除了大部分業(yè)務(wù)在TLC和QLCNAND上之外，也在開發(fā)諸如OCTRAM(氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM)，這是一種使用氧化物半導(dǎo)體通道的新型DRAM，目標(biāo)市場(chǎng)將是需要低功耗主存儲(chǔ)的未來(lái)市場(chǎng)。

此外，鎧俠開發(fā)了一種具有極低延遲、高性能的閃存XL-FLASH。XL-FLASH設(shè)計(jì)用于填補(bǔ)易失性存儲(chǔ)器（如DRAM）和當(dāng)前閃存之間存在的性能缺口。XL-FLASH與所有閃存一樣，能夠在斷開電源時(shí)保留數(shù)據(jù)。支持MLC功能的第二代XL-FLASH正在批量生產(chǎn)。

采用鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)制造的XL-FLASH旨在幫助數(shù)據(jù)中心、云提供商以及企業(yè)滿足日益嚴(yán)苛的應(yīng)用需求。XL-FLASH的特點(diǎn)是易于管理和擴(kuò)展，具有128 Gb芯片（SLC）/256 Gb芯片（MLC）（采用2芯片、4芯片、8芯片封裝）、4kB頁(yè)面大小（可實(shí)現(xiàn)更高效的操作系統(tǒng)讀寫性能）、快速頁(yè)面讀取和寫入時(shí)間以及小于5微秒的讀取延遲。

鎧俠計(jì)劃在兩種解決方案中部署這項(xiàng)技術(shù)。

首先，超高IOPS SSD針對(duì)AI服務(wù)器。AI訓(xùn)練和推理的主要挑戰(zhàn)是缺乏HBM/DRAM容量和數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤導(dǎo)致的重新計(jì)算需求。SSD在提供大容量和避免數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤方面表現(xiàn)出色，通過(guò)利用高速、低延遲的XL-FLASH，我們可以實(shí)現(xiàn)能夠承受GPU高速計(jì)算的SSD。

超高IOPS SSD，通過(guò)將XL-FLASH（大規(guī)模生產(chǎn)）與新的SSD控制器相結(jié)合，提供超過(guò)1000萬(wàn)IOPS。Kioxia計(jì)劃在2026年下半年送樣。

其次是CXL-XL(基于Compute Express Link的XL-FLASH內(nèi)存)，這是一種利用CXL接口技術(shù)的內(nèi)存解決方案，允許CPU之間共享內(nèi)存空間。

隨著計(jì)算規(guī)模的擴(kuò)大和分布的增多以支持高級(jí)工作負(fù)載，僅通過(guò)DRAM擴(kuò)展內(nèi)存容量在成本和功耗方面都帶來(lái)了挑戰(zhàn)。

此外，鎧俠表示，將資本支出控制在收入的20%以下，并根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)進(jìn)行適當(dāng)?shù)耐顿Y。Kioxia的四日市和北上工廠生產(chǎn)具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。鎧俠將把研發(fā)支出保持在收入的8-9%，專注于SSD業(yè)務(wù)和下一代設(shè)備開發(fā)。